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[发明专利]一种晶圆测试芯片的方法及装置-CN202310052629.X有效
发明人：黄钧 -专利权人：北京紫光芯能科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆测试芯片的方法及装置，可以获取所述存储单元的第一电学参数和所述连接电路的第二电学参数；接着，根据所述第一电学参数和所述第二电学参数确定所述芯片的第一测试结果；再接着，根据所述第一测试结果判断是否调整所述第二电学参数；然后，若需要调整所述第二电学参数，则在调整所述第二电学参数后，再次获取所述第一电学参数；再然后，根据再次获取的所述第一电学参数和调整后的所述第二电学参数确定第二测试结果。第一次测试后，根据第一测试结果，可调整第二电学参数，以再次获取第一电学参数，从而得到第二测试结果，可从第一测试结果和/或第二测试结果来综合判断芯片是否合格，避免误判。
一种测试芯片方法装置

[发明专利]电学参数计量方法、装置、充电设备和存储介质-CN201811086590.9有效
发明人：李建勇 -专利权人：易维德科（北京）电子科技有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G01R22/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种电学参数计量方法、装置、充电设备和存储介质。获取当前接入充电设备的待充电设备的个数；其中，一个待充电设备与一个充电电路组成一个充电支路；根据待充电设备的个数，分时控制每个充电支路的上电时间，以测量得到不同上电时刻下的各个已上电的充电支路上的测量电学参数；以及获取不同上电时刻下充电设备的总电学参数；根据总电学参数、控制电路上的控制电学参数和不同上电时刻下的各个已上电的充电支路上的测量电学参数，计算每个充电支路上的电学参数纠正量，并根据每个充电支路上的电学参数纠正量以及每个充电支路上的测量电学参数计算每个充电支路上的实际电学参数该方法提高了电学参数测量的准确性。
电学参数计量方法装置充电设备存储介质

[发明专利]一种智能检测设备和方法-CN202310356873.5在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：苏州奥特兰恩自动化设备有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种智能检测设备和方法，该设备包括交互模块、电学参数检测模块、光学参数检测模块、检测工位和处理器；其中，电学参数检测模块、光学参数检测模块分别被放置于不同的检测工位；电学参数检测模块用于对待检测目标进行电学参数检测；光学参数检测模块用于对待检测目标进行光学参数检测；交互模块用于获取输入数据；处理器与交互模块、电学参数检测模块和光学参数检测模块通信连接；处理器用于：根据输入数据，确定至少一组控制指令；通过至少一组控制指令，控制电学参数检测和光学参数检测，并获取电学参数检测结果和光学参数检测结果；基于电学参数检测结果和光学参数检测结果，确定待检测目标的评估数据。
一种智能检测设备方法

[发明专利]基于电测量的抗剪强度参数测试方法、系统及存储介质-CN202010947900.2在审
发明人：李培锋;李斯涛;李春;张祝林;张海峰;周桂兰;白静;白岭林;郭自东;王新华;汤华;袁从华;吴振君;尹小涛;邓琴;宋罡 -专利权人：云南玉临高速公路建设有限责任公司;中国科学院武汉岩土力学研究所
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G01N33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电测量的抗剪强度参数测试方法、系统及存储介质，该方法步骤包括：测试风化混合花岗岩的物理参数；测试风化混合花岗岩的电学参数；统计物理参数和电学参数并进行相关性分析，得到物理参数和电学参数之间的定量关系；基于风化混合花岗岩物理参数与抗剪强度参数之间的定量关系，得到电学参数与抗剪强度参数之间的定量关系；由电学参数求出相应的抗剪强度参数。本发明通过建立风化混合花岗岩电学参数与抗剪强度参数之间的定量关系，从而可以由电学参数对抗剪强度参数进行推定，避免了现有技术中由物理参数对抗剪强度参数时离散型特征显著且误差较大的问题；同时大幅缩短试验时间
基于测量强度参数测试方法系统存储介质

[发明专利]FET器件电特性建模方法、系统和存储介质-CN202010651063.9在审
发明人：李斌;卢丹;吴朝晖 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种FET器件的电特性建模方法、系统和存储介质，应用在半导体仿真技术，方法包括：获取所述FET器件的固定参数；获取所述FET器件的目标电学指标参数；配置并初始化所述FET器件的变量参数；根据所述FET器件的固定参数和变量参数构建物理模型；选择仿真物理模型对所述物理模型进行电学性能仿真，得到仿真电学指标参数；根据所述目标电学指标参数和仿真电学指标参数修改所述变量参数的数值，直到修改后的所述变量参数对应的物理模型的仿真电学指标参数和所述目标电学指标参数的差的绝对值满足预设条件；根据修改后的所述变量参数和所述固定参数所构成的物理模型的电学性能仿真结果，得到所述FET器件的电特性模型。
fet 器件特性建模方法系统存储介质

[发明专利]一种集成电路仿真方法及系统-CN202110302151.2有效
发明人：吴修衡;朱召法;胡晓翔 -专利权人：浙江甬聚电子科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路仿真方法，包括：S1，基于集成电路的非电学域进行第一次仿真，获得影响电学域的第一电学域参数值，利用第一电学域参数值为第二仿真更新影响电学域的参数值；S2，进行第二仿真，获得影响非电学域第二非电学域参数值，利用第二非电学域参数值为第一仿真更新影响非电学域的参数值；S3，循环重复S1、S2，直到仿真结束。一种集成电路仿真系统，包括第一仿真模块、第一参数值获得模块、第二仿真参数值更新模块、第二仿真模块、第二参数值获得模块、第一仿真参数值更新模块和跨域仿真调度控制模块。本发明大大提升了非电学域对集成电路电学性能影响所导致的仿真精度和电路规模大或电路仿真次数多所面临的仿真速度。
一种集成电路仿真方法系统

[发明专利]振动型能量采集器电学参数识别方法-CN201610286201.1有效
发明人：陈立群;袁天辰;杨俭;丁虎 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-05-01 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种振动型能量采集器电学参数识别方法，属于能量采集领域。解决了当采集器恢复力模型未知情况下无法准确估计采集器电学参数的问题。基于采集器电学方程，提出了一种独立于动力学参数的采集器电学参数识别方法，通过构建采集器振动加速度和输出电压幅值之间关系，利用最小二乘法对求得待估计电学参数。本方法的电学参数识别过程独立于动力学参数，不需要预判采集器恢复力模型，电学参数的识别精度不受到动力学参数的影响，因此适合各种复杂的非线性采集器的电学参数识别。本发明解决了恢复力模型未知情况下，振动能量采集器的模型辨识和参数识别问题，为振动能量采集器的设计和优化奠定了理论基础。
振动能量采集电学参数识别方法

[发明专利]超声换能器预紧力的控制方法及系统-CN201910943449.4在审
发明人：郭毅军;戴开春;陈建;温兴东 -专利权人：重庆西山科技股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了超声换能器预紧力的控制方法及系统，包括：获取与目标预紧力对应的目标电学参数；以目标电学参数为目标来对压电换能件进行预紧，并在检测到压电换能件由此产生的电学参数达到所述目标电学参数时，停止对所述压电换能件的预紧由于向压电换能件施加一定压力或预紧力时，在压电效应的作用下压电换能件输出相应电学参数，通过压力或预紧力与电学参数之间的对应关系，拟合出压力或预紧力与电学参数的关系曲线，使得超声换能器能够根据预紧力和电荷的关系曲线来控制预紧力
超声换能器预紧力控制方法系统

[发明专利]重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置-CN202010244460.4有效
发明人：郭红霞;张鸿;潘霄宇;周益春;张凤祁;张晋新;琚安安;钟向丽;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置，其中，重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法，包括：获取SiC MOSFET器件的参数信息；根据所示参数信息构建SiC MOSFET模型，并计算所述SiC MOSFET模型的第一电学参数；将缺陷电荷引入所述SiC MOSFET模型，并计算经过重离子辐射SiC MOSFET模型的第二电学参数；对比所述第一电学参数和所述第二电学参数，分析重离子辐射对SiC MOSFET器件电学参数的影响。该方法可以多尺度地观测和分析重离子在SiC MOSFET中产生的缺陷，确定缺陷电荷在器件内的分布情况，得到缺陷最终对器件参数造成的影响；与开展重离子辐照实验相比，在节省大量的时间和经费的同时可以对器件的抗辐照性能进行很好的预测和评估
离子辐射 sic mosfet 电学参数影响分析方法装置

[发明专利]LED灯条制作方法-CN201210569190.X无效
发明人：赖志成 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： F21S4/00 文献下载
摘要：一种LED灯条制作方法，包括步骤：采用吸嘴拾取待贴装的LED，吸嘴在拾取LED的过程中同时检测LED的电学参数并将电学参数存储于资料库中；吸嘴将LED贴设在基板上；重复上述步骤直至基板上贴装形成多个LED支路；通过存储在资料库中的各LED电学参数计算各LED支路之间的电学参数的差异；根据差异调整各LED支路上的LED位置，使各LED支路之间的电学参数保持一致。由于本发明在采用吸嘴拾取待贴装的LED的同时检测LED的电学参数，并将该电学参数储存至。在贴装完成后，可以简单地通过资料库中的电性参数计算以及调整各LED支路上的LED位置，使各LED支路之间的电学参数保持一致，避免额外的消耗。
led 制作方法

[发明专利]一种存储介质及晶圆级集成电路电学参数的测试方法-CN201811154053.3有效
发明人：郑勇军;成家柏;郑楷 -专利权人：杭州广立微电子有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储介质及晶圆级集成电路电学参数的测试方法；晶圆级集成电路电学参数的测试方法包括以下步骤:a)根据待测试结构的电学参数及测试所需的测试输入参数划分测试计划组，将待测试结构的电学参数相同且测试所需的测试输入参数相同的测试计划分为一组；b)读取当前测试计划组的测试输入参数并进行配置；c)对当前测试计划组内各个测试结构的电学参数进行逐个测试；d)判断当前测试计划组中是否还有其他测试结构未测试；e)判断是否还有其他测试计划组未测试。本发明能根据待测试电学参数的类型以及测试输入参数异同对测试计划进行分类，显著提高测试效率。
一种存储介质晶圆级集成电路电学参数测试方法

[发明专利]一种适用于医疗输液泵的供电智能监管系统-CN202310995065.3在审
发明人：陶秀佳 -专利权人：广州医科大学附属第一医院（广州呼吸中心）
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G08B21/24 文献下载
摘要：本发明涉及供电监管领域，用于解决输液泵缺少对供电系统的智能监管，导致输液泵容易受到电参数波动而影响实际使用效果的问题，具体为一种适用于医疗输液泵的供电智能监管系统；本发明中，通过对输液泵的电学参数进行采集，并通过权重赋值、重组计算以及阈值分析的方式确定当前运行环境的电学参数对实际的影响，根据影响结果生成对应的提醒，避免不符合要求的电学参数导致输液泵运行不稳定，通过对电学参数的持续监控，在确定电学参数不稳定的基础上，检测出电学参数不稳定性的扩张趋势，根据其扩张趋势实现预警信号的进一步判断，从而避免在电学参出现短暂偶然不稳定时触发报警，又能够在电学参数的不稳定性持续扩张时及时地生成预警信号。
一种适用于医疗输液供电智能监管系统

[发明专利]充电方法、装置、电子设备及介质-CN202010075650.8有效
发明人：郭朋飞 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：该充电方法包括：在充电器与电子设备建立充电连接的情况下，获取充电器的第一输出电学参数值、电子设备的第一目标参数值以及电子设备的电池的第一输入电学参数值；在第一输出电学参数值和第一输入电学参数值的差值大于或等于第一目标参数值的情况下，降低第一输出电学参数值。
充电方法装置电子设备介质

[发明专利]一种提高具体器件模型参数提取精度的方法及系统-CN201410406561.1有效
发明人：吴玉平;陈岚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高具体器件模型参数提取精度的方法及系统，该方法包括：获取器件的特性测量数据；根据特性测量数据确定器件的工作电学范围；将工作电学范围划分为至少两个工作电学子范围；在每个工作电学子范围内分别提取器件模型参数，并写入不同的模型卡；建立每一类器件模型卡的对应关系表，器件模型卡包括工作电学子范围的下限和上限以及对应的器件模型卡名；输入器件的工作电学范围搜索合适器件模型卡名的程序函数；根据程序函数输出器件的每一个所述工作电学子范围对应的所述器件模型卡名该方法通过缩小针对具体器件的模型参数提取范围，在较小的电学范围内提取参数，提高针对具体器件的模型参数提取精度，进而也提高了电路仿真精度。
器件模型电学模型参数提取器件模型参数程序函数特性测量电路仿真范围搜索获取器件模型参数输出器件输入器件数据确定提取参数提取器件关系表模型卡写入

[发明专利]一种不良芯片筛选方法-CN202110090092.7有效
发明人：肖南海;杨斌;洪海霞;贾美景;刘洪;葛志阳 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本发明适用于芯片测试技术领域，提供了一种不良芯片筛选方法，所述方法是根据预设的热力学筛选方法对待筛选的芯片进行热力学性能筛选，得到符合热力学要求的芯片，再根据预设的电学筛选方法对所述符合热力学要求的芯片进行电学性能筛选，得到符合电学性能要求的芯片，通过同时对待筛选芯片进行热力学测试和电学参数测试，能够有效保证芯片出厂的合格率；最后获取所述符合电学性能要求的芯片的电学参数测试数据，并基于正态分布原理筛选出电学参数测试数据符合3σ原则的芯片，能够筛选出具有高度一致的电学参数的良品，剔除存在失效风险的良品，从而进一步提高芯片出厂的合格率。
一种不良芯片筛选方法

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