专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光二极管及其制作方法、像素结构及其制作方法-CN201710226856.4有效
  • 张东煜;陈文斌;苏文明;郭文瑞 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2017-04-06 - 2020-05-19 - H01L51/50
  • 本发明公开了一种发光二极管,包括依次叠层设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层、电子传输层和阴极;空穴注入层的函数与量子点发光层的价带顶能级相匹配。本发明还公开了一种像素结构,包括依次排列的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,每一种颜色的子像素分别包括依次叠层设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层、电子传输层和阴极;在每一种颜色的子像素中,空穴注入层的材料的函数与量子点发光层的材料的价带顶能级相匹配本发明提供的发光二极管及像素结构在制作过程中采用打印工艺,实现了空穴注入层的材料的函数与量子点发光层的材料的价带顶能级相匹配,从而使得该发光二极管以及像素结构中的子像素均能够实现优异的发光性能。
  • 发光二极管及其制作方法像素结构
  • [发明专利]一种有机电致发光器件-CN201310059127.6有效
  • 解晓博 - 珠海光合作用光电设计有限公司
  • 2013-02-26 - 2017-02-08 - H01L51/50
  • 本发明公开了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的玻璃基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,所述空穴注入层材质为高函数金属氧化物、金属氧化物和高折射率材料形成的混合材料,高函数金属氧化物可提高器件的空穴注入能力,使空穴从阳极到达有机层的势垒降低,而金属氧化物在可见光范围内透过率较大,可提高出光效率,同时也具有空穴注入与传输作用,且易于成膜,使整个空穴注入层的成膜较均匀,平整,高折射率材料可有效降低光从有机层到达阳极的全反射概率,提高光出射,最终有效提高器件的发光效率。
  • 一种有机电致发光器件
  • [发明专利]晶体管的形成方法-CN201210492208.0有效
  • 鲍宇 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-11-27 - 2014-06-04 - H01L21/336
  • 一种晶体管的形成方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有介质层、位于介质层上的多晶硅层;对多晶硅层进行函数调整,形成功函数多晶硅层,在沿栅长方向,所述函数多晶硅层分为第一函数区域和第二函数区域,第二函数区域位于第一函数区域两侧,其中,当晶体管为NMOS晶体管时,第二函数区域的函数高于第一函数区域的函数,当晶体管为PMOS晶体管时,第二函数区域的函数低于第一函数区域的函数;去除函数多晶硅层之外的多晶硅层部分,剩余的函数多晶硅层作为栅极;在栅极两侧的半导体衬底上形成源极和漏极。
  • 晶体管形成方法
  • [发明专利]有机/高分子发光二极管-CN200310117518.5有效
  • 曹镛;吴宏滨;黄飞;王德利 - 华南理工大学
  • 2003-12-25 - 2004-12-15 - H01L51/20
  • 一种有机/高分子发光二极管,由阴极(1)、发光层(2)、空穴注入层(3)、阳极(4)、衬底(5)依次层叠构成,其特征在于在阴极(1)与发光层(2)之间设一电子注入层(6),所述电子注入层采用含有极性基团或离子性基团的极性单元的共轭聚合物;所述阴极采用功函数大于或等于3.6电子伏特的高函数金属。本发明可得到与低函数注入电极同样或更高量子效率,长期稳定性更好的有机/高分子发光二极管,适用于高分辨全色平面显示器。
  • 有机高分子发光二极管

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