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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710438327.0有效
发明人：蒋昊;金秋敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：衬底；位于所述衬底中的第一阱区、第二阱区、第三阱区和位于所述第三阱区和第一阱区之间的第四阱区，所述第三阱区与第二阱区的掺杂离子的导电类型相同，所述第四阱区与所述第三阱区的掺杂离子导电类型相反；位于第三阱区上的器件结构；位于第一阱区中的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区分立，第一掺杂区和第二掺杂区中的掺杂离子与所述第一阱区掺杂离子导电类型相反，第一掺杂区与所述器件结构电连接；位于第二阱区中的第三掺杂区所述第一掺杂区、第一阱区和第二掺杂区形成三极管，能够改善半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]发光二极管芯片-CN202110219720.7在审
发明人：樊本杰;杨鸿志;邓顺达 -专利权人：开发晶照明（厦门）有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种发光二极管芯片，例如包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层；以及多量子阱结构层，形成在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层之间。其中，所述多量子阱结构层包括在所述第一掺杂类型半导体层与所述第二掺杂类型半导体层的距离方向上层叠设置的多个第一量子阱结构和至少一个第二量子阱结构，所述多个第一量子阱结构用于发射第一颜色光，所述至少一个第二量子阱结构用于发射不同于所述第一颜色光的第二颜色光，且所述至少一个第二量子阱结构的阱层总数为所述多个第一量子阱结构中位于所述至少一个第二量子阱结构与所述第二掺杂类型半导体层之间的第一量子阱结构的阱层总数的1/15～1/5。
发光二极管芯片

[发明专利]半导体装置结构-CN202010407322.3在审
发明人：廖竟淇;柯庆忠;曾峥 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置结构。具有第一导电类型的第一阱区被形成在半导体基板的上方。具有第二导电类型的第二阱区被形成在半导体基板的上方。第三阱区被形成在半导体基板的上方且位于第一阱区和第二阱区之间。第一栅极结构被设置在该第三阱区上且部分地位于第一阱区和第二阱区的上方。漏极区位于第一阱区中。源极区和本体区位于第二阱区中。漏极区、源极区和本体区具有第一导电类型。第二栅极结构被设置在第二阱区上，且通过源极区和本体区与第一栅极结构分隔开。
半导体装置结构

[发明专利]存储器的结构及其形成方法-CN201910744048.6有效
发明人：朱鹏;王永耀 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：一种存储器及其形成方法，结构包括:衬底，所述衬底内具有相邻的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和第二阱区的掺杂类型相反；位于第一阱区和第二阱区内的第一沟槽，且所述第一沟槽自第一阱区延伸至第二阱区；位于所述第一沟槽内的字线栅极结构；位于所述字线栅极结构表面的第一隔离层，所述第一隔离层填充满所述第一沟槽；位于第一阱区内的第二隔离层；位于第一阱区内的源线掺杂区，所述源线掺杂区位于所述第一隔离层和第二隔离层之间；位于第二阱区表面的位线栅极结构
存储器结构及其形成方法

[发明专利]SRAM结构及其形成方法-CN201910573430.5在审
发明人：温明璋;徐国修;田峻宇;吴琬瑶;张长昀;陈弘凯;洪连嵘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：提供了SRAM结构。SRAM结构包括：衬底；P型阱区，位于衬底上方；N型阱区，位于衬底上方；PMOS晶体管，位于N型阱区中；NMOS晶体管，位于P型阱区中；隔离区，位于P型阱区和N型阱区之间的边界上方；以及介电结构，形成在隔离区中并且从隔离区延伸到P型阱区和N型阱区之间的边界。介电结构的深度大于隔离区的深度。PMOS晶体管通过隔离区与NMOS晶体管分隔开。本发明的实施例还涉及SRAM结构的形成方法。
隔离区衬底介电结构分隔延伸

[发明专利]功率半导体元件-CN202010927143.2在审
发明人：林宗翰;叶宜函 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开一种功率半导体元件，包括:基材、第一阱区、第二阱区、漏极、源极、第一栅极结构、第二栅极结构及掺杂区。第一阱区具有第一电性，由基材表面延伸进入基材中。第二阱区具有第二电性，由基材表面延伸进入基材中。漏极具有第一电性，并位于第一阱区中。源极具有第一电性，并位于第二阱区中。第一栅极结构位于基材表面上，且与第一阱区和第二阱区至少部分重叠。第二栅极结构位于基材表面上，且与第二阱区重叠，并与第一栅极结构隔离。掺杂区具有该第一电性，位于第二阱区中，并且连接第一栅极结构和第二栅极结构。
功率半导体元件

[实用新型]半导体器件-CN201320878759.0有效
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，包括：第一阱，嵌入在半导体衬底中；第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；栅极结构，在所述第一阱和所述第二阱之上；以及凸起型漏极结构，在所述第二阱之上并与所述第二阱接触并且与所述栅极结构分开，所述凸起型漏极结构包括在所述第二阱的表面之上的漏极连接点。
半导体器件

[发明专利]一种维持电压可调节的可控硅结构-CN201110332265.8有效
发明人：曾传滨;毕津顺;李多力;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：公开了一种维持电压可调节的可控硅结构，包括一第一N型阱、一第二N型阱、一第一P型阱、一第二P型阱、一第一P+掺杂区及一第一N+掺杂区；所述第一N型阱依次通过第二N型阱、第二P型阱与所述第一P型阱相连。本发明提供的一种维持电压可调节的可控硅结构制作在SOI（绝缘层上硅）硅片上，通过减薄第二N型阱和第二P型阱沟道区厚度，并进一步改变可控硅结构第二N型阱和/或第二P型阱沟道区长度，达到改变维持电压的目的。还可以采用此可控硅结构结合串联二极管技术，进一步达到满足各种工作电压对可控硅静电保护结构维持电压的需求。
一种维持电压调节可控硅结构

[发明专利]带有多量子阱结构的光电子半导体芯片-CN200880108978.2有效
发明人：彼得·施陶斯;马蒂亚斯·彼得;亚历山大·沃尔特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种光电子半导体芯片，其具有有源区(20)，该有源区包含设计用于产生电磁辐射的多量子阱结构，该多量子阱结构具有多个相继的量子阱层(210，220，230)。多量子阱结构具有至少一个第一量子阱层(210)，其被n导电地掺杂并且设置在与所述第一量子阱层(210)邻接的n导电地掺杂的两个势垒层(250)之间。多量子阱结构具有第二量子阱层(220)，其未掺杂并且设置在与所述第二量子阱层邻接的两个势垒层(250，260)之间，其中一个势垒层n导电地掺杂而另一个未掺杂。此外，多量子阱结构具有至少一个第三量子阱层(230)，其未掺杂并且设置在与所述第三量子阱层邻接的未掺杂的两个势垒层(260)之间。
带有多量结构光电子半导体芯片

[发明专利]一种抑制载流子横向扩散的半导体量子阱结构及制备方法-CN202211229143.0在审
发明人：刘昊;江晨;王琦;刘倬良;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制载流子横向扩散的半导体量子阱结构及制备方法。该结构包括依次层叠设置的下势垒层、量子阱层、成核结构和上势垒层；其中，成核结构的形貌为岛状和/或沟槽状，成核结构未全部覆盖量子阱层；成核结构的带隙宽度不等于上势垒层的带隙宽度。本发明能够减少量子阱内载流子的横向扩散，从而减少载流子在量子阱结构中位错区域的非辐射复合，提高量子阱结构的发光性能。采用该量子阱结构作为有源区的激光器对位错的容忍度将得到明显提升，尤其是硅基异质外延生长的Ⅲ‑Ⅴ族半导体量子阱激光器。本发明切实可行，为半导体量子阱结构的生长提供了全新的方案，将推进对应的半导体量子阱激光器在硅基光电集成芯片中的应用。
一种抑制载流子横向扩散半导体量子结构制备方法

[实用新型]一种量子阱结构-CN201620661036.9有效
发明人：曹志芳;赵霞焱;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种量子阱结构，包括多个量子阱单元，量子阱单元包括由下至上依次设置InGaN浅垒层、GaN量子垒层、第一InGaN浅阱层、InGaN量子阱层、第二InGaN浅阱层。本实用新型所设计的量子阱结构中，量子垒层包括通低流量TMIn源的InGaN浅垒层、不通TMIn源的GaN量子垒层，量子垒层包括通低流量TMIn源的第一InGaN浅阱层、通正常流量TMIn源的InGaN量子阱层、通低流量TMIn源的第二InGaN浅阱层，本实用新型设计的量子阱结构增加了通低流量TMIn源的InGaN浅垒层，使得量子垒层与量子阱层之间晶格适配度增加，减少内应力的产生。
一种量子结构

[实用新型]一种便于拆装的离子阱安装结构及质谱仪系统-CN202221271077.9有效
发明人：赖超阳;鲁信琼;张家雷 -专利权人：深圳至秦仪器有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于拆装的离子阱安装结构及质谱仪系统，离子阱安装结构包括：壳体，壳体设有放置离子阱的腔室，还包括安装离子阱的固定组件，固定组件与壳体可拆卸连接，腔室内设有连接件，离子阱位于腔室内时接触连接件，连接件电连接离子阱和采集离子质谱图的信号采集系统。本实用新型提出的便于拆装的离子阱安装结构中的固定组件安装离子阱后直接与壳体进行拆装，避免了在拆装离子阱的过程中直接拆装离子阱而导致离子阱损坏。同时，利用连接件取代连接线连接离子阱和信号采集系统，简化了拆装过程，也降低了拆装过程中的器件损坏。
一种便于拆装离子安装结构质谱仪系统

[发明专利]互补金属氧化物半导体器件及其制作方法-CN200810105625.9有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种互补金属氧化物半导体器件，包括，半导体衬底，位于半导体衬底内的N阱和P阱，半导体衬底内位于N阱和P阱之间的隔离结构，位于半导体衬底内的N阱上的栅极结构、N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极，所述N阱的深度大于N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极的耗尽层的深度并且小于隔离结构的深度。所述半导体器件的结构可以减小漏电流。本发明还提供了所述互补金属氧化物半导体器件的制作方法。
互补金属氧化物半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种具有多指漏极的光电探测器件及其制作方法-CN201910577217.1在审
发明人：金湘亮;曹胜果 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多指漏极的光电探测器件，包括P型衬底，P型衬底上嵌有高压深N阱，高压深N阱上嵌有P阱，P型衬底与高压深N阱、高压深N阱与P阱形成两个二极管结构；P阱上设有多个同心的环形N+漏极，P阱上设有环形P+源极，P+源极与位于最外侧的N+漏极之间设有环形栅极，多个N+漏极与P阱形成PN结的感光结构。本发明采用多指的N+注入区作为漏极并与P阱形成具有紫外/蓝紫光响应的光电二极管的结构进行感光，同时利用P阱与高压深N阱以及高压深N阱与P型衬底所形成的两个二极管结构，通过电极引出端形成短路结构，有效降低了器件对可见
高压深N阱漏极衬底光电探测器件二极管结构蓝紫光嵌有源极波长选择性电极引出端光电二极管短路结构感光结构环形栅极近红外光同心的注入区响应感光制作

[发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202310172702.7在审
发明人：董雪振;李森林;毕京锋;王亚宏;薛龙;赖玉财;谢岚驰;廖寅生 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下至上依次包括：衬底、底部缓冲层、N型半导体层、有源层以及P型半导体层，其中有源层包括依次堆叠的第一多量子阱结构、第二多量子阱结构和第三多量子阱结构，且第一多量子阱结构、第二多量子阱结构和第三多量子阱结构均为阱层和垒层交替生长形成的周期性结构，第一多量子阱结构的垒层为含Al组分的结构层，第二多量子阱结构的垒层为氮化镓结构层，第三多量子阱结构的垒层为含In组分的结构层。
led 外延结构及其制备方法