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[发明专利]高压半导体装置-CN202011108928.3在审
发明人：莫尼卡·巴提;韦维克;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置，包括一半导体衬底、第一阱区和第二阱区、以及位于第一阱区与第二阱区之间的隔离结构。其中半导体衬底具有第一导电类型，且第一阱区和第二阱区设置于半导体衬底上和具有不同于第一导电类型的第二导电类型。隔离结构包括具有第一导电类型的第一隔离阱和第二隔离阱于半导体衬底上。一些实施例的隔离结构更包括具有第二导电类型的第三隔离阱，其位于第一隔离阱与第二隔离阱之间。隔离结构还包括第一顶部掺杂区、第二顶部掺杂区和第三顶部掺杂区，分别位于第一隔离阱、第二隔离阱和第三隔离阱中。
高压半导体装置

[发明专利]一种提高GaN基LED发光亮度的外延方法-CN201410090582.7有效
发明人：唐军 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高LED发光亮度的方法，其LED外延片结构从下向上的顺序依次为:蓝宝石衬底、低温成核层、高温GaN缓冲层、高温非掺杂GaN缓冲层、复合n型GaN层、复合浅量子阱结构SW、多量子阱发光层结构MQW、低温p型GaN层、p型AlGaN层、高温p型GaN层、p型GaN接触层,；2）控制V型缺陷密度及深度的外延结构：复合浅量子阱分为前后两个结构，前浅量子阱SW采用窄阱宽垒结构，生长2-6周期；后浅量子阱SW采用窄阱窄垒结构，生长5-20周期；发光层量子阱采用窄阱窄垒结构，生长5-12周期，其中量子阱层的厚度在2-5nm之间，垒层厚度在8-15nm之间。本发明可以有效控制V型缺陷的密度及深度，从而提高空穴载流子注入发光层量子阱的效率，提高发光层多量子阱的内量子效率。
一种提高 gan led 发光亮度外延方法

[发明专利]一种提高发光效率GaN基长波长LED器件结构及生长方法-CN202211322107.9在审
发明人：王小兰;刘国凡;张建立;潘拴;高江东;李丹;杨小霞 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高发光效率的GaN基长波长LED器件结构及其生长方法，该GaN基长波长LED器件结构包括有源层结构，其中，所述有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱和InGaN/AlGaN/GaN多量子阱。生长InGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于GaN垒层；生长InGaN/AlGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于AlGaN层和GaN垒层，AlGaN层与GaN垒层保持一致一种有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱结构以及InGaN/AlGaN/GaN多量子阱结构，可减少电子空穴泄露，改善量子阱质量，提高载流子在有源区的辐射复合速率，进而达到实现去除传统P‑AlGaN
一种提高发光效率 gan 波长 led 器件结构生长方法

[实用新型]一种电子阱结构及具有该结构的观察筒-CN202220430369.6有效
发明人：陈森林;李俊宏;季宇 -专利权人：成都纽曼和瑞微波技术有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01J49/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微波等离子体化学气相沉积设备的电子阱结构，包括电子阱本体1和至少1件电子阱2，所述电子阱本体1上设置有第一通孔3，所述电子阱2包括第一电子阱4和第二电子阱5，所述第一电子阱4上设置有第二通孔6，所述第二电子阱5上设置有第三通孔7，所述第二通孔6的内径与第三通孔7的内径不相等，所述电子阱本体1和电子阱2之间可拆卸的连接，所述第一电子阱4和第二电子阱5之间可拆卸的连接，其结构简单、便于加工制作
一种电子结构具有观察

[发明专利]半导体结构及其形成方法、电路及电路工作方法-CN202110507410.5在审
发明人：汤飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括第一阱区和第二阱区；位于第一阱区上的第一栅极结构和第一沟道区，所述第一沟道区位于第一栅极结构底部的第一阱区内，第一沟道区的导电类型与第一阱区的导电类型相同；位于第二阱区上的第二栅极结构、第二沟道区以及位于第二栅极结构两侧第二阱区内的第二源区和第二漏区，第二沟道区位于第二栅极结构底部的第二阱区内，且所述第二沟道区位于第二源区和第二漏区之间，所述第二沟道区的导电类型与第二阱区的导电类型相反，所述第二源区和第二漏区与第二沟道区的导电类型相同，所述第二漏区和第一栅极结构电互连，所述第二源区和第一阱区电互连。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
半导体结构及其形成方法电路工作

[发明专利]外延结构及其制造方法-CN202010718509.5有效
发明人：范伟宏;李东昇;邬元杰;蒋敏;张成军 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种外延结构及其制造方法，该外延结构包括位于衬底上方的GaN电子供应层；多量子阱层，位于GaN电子供应层上方，包括交替堆叠的多个垒层与多个阱层；以及GaN空穴供应层，位于多量子阱层上方，其中，多量子阱层中的每个垒层的厚度不大于60埃米。该外延结构通过将多量子阱中的垒层厚度控制在60埃米以下，形成超薄垒结构，从而减少了阱垒的晶格失配应力，降低了多量子阱的量子限制斯塔克效应，进而提升了多量子阱的电子空穴复合效率。
外延结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201811301115.9在审
发明人：甘铠铨;许书维;宋建宪;陈姿亘 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包括半导体基板、设置于上述半导体基板中的埋藏层、设置于上述埋藏层上及上述半导体基板中的第一阱区、第二阱区、第三阱区与第四阱区。上述半导体装置亦包括设置于上述第二阱区中的源极区、设置于上述第一阱区中的漏极区、设置于上述第一阱区与上述第二阱区之上的栅极结构、以及设置于上述半导体基板中且围绕上述源极区与上述漏极区的深沟槽隔离结构。上述第二阱区围绕上述第一阱区。上述第三阱区与上述第四阱区位于上述第二阱区的相对两侧。上述深沟槽隔离结构穿过上述埋藏层。本发明可降低半导体装置的尺寸、减少或避免基板漏电流的发生，并避免或减轻闩锁效应。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]一种用于中压集成电路的片上双向静电防护装置-CN202111008967.0在审
发明人：钱江;陈瑞博 -专利权人：武汉喻家山微系统有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于中压集成电路的片上双向静电防护装置，包括一个以上DDGCSCR器件，所述DDGCSCR表示双向对称型SCR，每个DDGCSCR器件在结构上左右对称，相等大小电流从阳极和阴极流入DDGCSCR器件时，电学特性一致；每个DDGCSCR器件包括P型衬底、深N阱、第一P阱、N阱和第二P阱，所述P型衬底上设置深N阱，第一P阱和第二P阱分别和N阱相邻，所述第一P阱内从左至右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区和第二N+注入区；所述第一N+注入区和第二N+注入区之间的表面设有第一栅氧结构；所述N阱和第一P阱之间设有第一桥状P+注入区，所述第二P阱与第一P阱结构对称设置。
一种用于集成电路双向静电防护装置

[发明专利]一种半导体发光二极管-CN202310662766.5在审
发明人：李水清;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;陈婉君;刘紫涵;胡志勇;黄军;蒙磊 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光二极管，该二极管包括从下到上一次层叠设置的衬底、n型半导体、浅量子阱、量子阱、电子阻挡层和p型半导体；量子阱由阱层和垒层组成周期结构，量子阱具有若干个周期；量子阱的Si掺杂浓度从浅量子阱向电子阻挡层方向的第一预设周期内逐渐下降；量子阱的Mg掺杂浓度从电子阻挡层向浅量子阱方向的第二预设周期内逐渐下降；量子阱中具有Si掺杂和Mg掺杂的交叉区域。采用本发明实施例，通过浅量子阱、量子阱和电子阻挡层形成狄拉克量子隧穿结构，使得电子和空穴在该狄拉克量子隧穿结构中无法通过扩散和漂移在量子阱中跃迁，进而使得电子和空穴仅通过狄拉克量子隧穿进行跃迁和辐射。
一种半导体发光二极管

[实用新型]一种双温冷阱装置-CN202222583041.0有效
发明人：谢伟民;马国昌 -专利权人：一恒生命科学仪器（昆山）有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B01D8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及冷阱技术领域，特指一种双温冷阱装置，包括干燥设备、1#冷阱、2#冷阱、真空泵、制冷模组以及控制器，干燥设备通过气管连接于1#冷阱，1#冷阱通过气管连接于2#冷阱，2#冷阱通过气管连接于真空泵，制冷模组通过制冷管分别连接于1#冷阱与2#冷阱，制冷模组上设有用于分别控制1#冷阱与2#冷阱内的制冷器，1#冷阱与2#冷阱内分别设有温度传感器，1#冷阱与2#冷阱内的温度传感器分别连接于控制器，控制器连接于制冷模组采用这样的结构设置，具有双阱换热面积大，物质容易冷凝，双阱温度独立可调，冷凝效率高，同时可回收多种熔点物质，回收效率高，有效保护真空泵，结构简单操作方便安全，后期易更换维护的特点。
一种双温冷阱装置

[发明专利]一种高压电路版图设计结构-CN201310731449.0有效
发明人：约瑟夫俄依恩扎 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种高压电路版图设计结构。所述高压电路版图设计结构包括：P型衬底、第一N型阱、第二N型阱、第三N型阱、具有第一宽度的第一P型阱和具有第二宽度的第二P型阱。所述高压电路版图设计结构实现了高压电路间的阱间隔离和电压跟踪。
一种高压电路版图设计结构

[实用新型]一种高压电路版图设计结构-CN201320867751.4有效
发明人：约瑟夫俄依恩扎 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种高压电路版图设计结构。所述高压电路版图设计结构包括：P型衬底、第一N型阱、第二N型阱、第三N型阱、具有第一宽度的第一P型阱和具有第二宽度的第二P型阱。所述高压电路版图设计结构实现了高压电路间的阱间隔离和电压跟踪。
一种高压电路版图设计结构

[发明专利]高压半导体装置-CN201811619517.3有效
发明人：韦维克;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压半导体装置，包含半导体衬底具有第一导电型，第一阱设置于半导体衬底上，第一阱具有第一导电型，第二阱和第三阱与第一阱相邻，且具有与第一导电型相反的第二导电型，具有第二导电型的第一源极区和第一漏极区分别设置于第一阱和第二阱中，第一栅极结构设置于第一阱和第二阱上，具有第二导电型的第二源极区和第二漏极区分别设置于第一阱和第三阱中，第二栅极结构设置于第一阱和第三阱上，以及埋置层设置于半导体衬底中且具有第一导电型，埋置层与第一阱、第二阱和第三阱重叠且位于第一源极区下方。
高压半导体装置

[实用新型]一种冻干机冷阱结构-CN202021267506.6有效
发明人：卞大山;孔鹏程;鲁恺;徐威;陈林;杨旭 -专利权人：扬子江药业集团有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： F26B5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冻干机冷阱结构，包括：冷阱壳体；安装在所述冷阱壳体顶部，并开口的冷阱端盖；固定在所述冷阱壳体底部中心，其伸缩端竖直密封探入所述冷阱壳体内部的液压缸；连接所述液压缸的伸缩端的竖直液压杆；连接竖直液压杆顶部，用于封闭/打开所述冷阱端盖的蘑菇阀；固定于所述冷阱壳体侧壁顶部，并连通所述冷阱壳体内部，用于注入水的多个喷淋头；固定于所述冷阱壳体侧壁中部，并连通所述冷阱壳体内部，用于注入蒸汽的多个外部接口；安装在所述冷阱壳体内的冷阱盘管；穿过所述冷阱端盖并探入所述冷阱壳体内部的温度探头；连接所述温度探头和所述冷阱盘管的内伸管；所述内伸管设有波纹段。结构简单，解决内伸管开裂问题。
一种冻干机冷阱结构

[发明专利]检测生产环境对金属连线腐蚀的方法-CN201310554616.9有效
发明人：倪棋梁;王凯;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测生产环境对金属连线腐蚀的方法，包括如下步骤：提供一晶圆，在所述晶圆的切割道上制备离子阱组合结构，其中，所述离子阱组合结构包括各种类器件结构的离子阱结构，每种器件的离子阱结构中P阱和N阱均通过各自上方的接触孔连接金属连线；将所述制备好离子阱组合结构的晶圆放置在正常的生产环境中；通过显微镜观察所述晶圆切割道上离子阱组合结构的金属连线的电化学腐蚀情况。
检测生产环境金属连线腐蚀方法