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[发明专利]一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件-CN201810249187.7有效
发明人：汪洋;关健;骆生辉;董鹏;金湘亮 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底，P型衬底内设有N深阱；N型深阱内设有第一P阱和第二P阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第二P+注入区、第一N+注入区；第二P阱内设有第二N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区；所述第二P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；所述第二N+注入区、第三P+注入区连接在一起并作为器件的阴极。本发明具有双向泄放静电的能力，可同时用于信号电平低于地和高于地的集成电路输入输出引脚的静电防护，在不增加额外面积和降低器件导通能力的前提下，保证器件具有低触发电压的同时还具有较高的维持电压，从而使得器件具有优良的ESD窗口。
一种维持电压触发双向可控硅静电防护器件

[发明专利]一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件-CN201810578321.8有效
发明人：汪洋;骆生辉;陈锡均;金湘亮;董鹏 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；N型埋层上设有第一N型深阱、高压N阱、第二N型深阱；高压N阱上设有第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱、第三P阱和第四N阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区；第三P阱内设有第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区。本发明在两个N阱之间加入一个P阱，P阱的厚度刚好与左右两边的N阱耗尽而形成具有一定电阻的通路，能够使得双向SCR结构在雪崩击穿导通后具有一个较高的维持电压，有效的防止静电释放器件在导通后因维持电压低而锁住的问题。
一种维持电压 npnpn 双向可控硅静电防护器件

[发明专利]光电二极管触发可控硅静电保护器件及其制作方法-CN202310280997.X在审
发明人： 金湘亮;刘煜杰 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电二极管触发可控硅静电保护器件，包括P型衬底；P型衬底上设有第二P‑Well区；第二P‑Well区中设有第二N+注入区、第二多晶硅栅、第三P+注入区、第三多晶硅栅、第三N+注入区。本发明的第二N+注入区、第二多晶硅栅、第二P‑Well区、第三P+注入区、第三多晶硅栅、第三N+注入区构成光电二极管触发结构，利用光电二极管在反偏电压下光子激发所产生的光生载流子来形成漂移电流，提高第二P‑Well区的电位，从而快速打开寄生BJT，达到降低器件触发电压的目的。
光电二极管触发可控硅静电保护器件及其制作方法

[发明专利]双极型复合单光子雪崩光电二极管器件及其制作方法-CN202310282826.0在审
发明人： 金湘亮;刘煜杰 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极型复合单光子雪崩光电二极管器件，包括衬底；衬底上设有环形DN‑Well区和圆形DN‑Well区；环形DN‑Well区中设有第一至第三环形N‑Well区；第一环形N‑Well区中设有第一环形N+注入区，第二环形N‑Well区中设有第一环形P+注入区，第三环形N‑Well区中设有第二环形N+注入区；环形DN‑Well区表面设有第一环形多晶硅栅和第二环形多晶硅栅，圆形DN‑Well区中设有第三环形N+注入区和圆形P‑Well区；圆形P‑Well区中设有第二环形P+注入区和圆形N+注入区。本发明实现了单光子雪崩光电二极管与三极管的复合，极大地增加了器件的光电流增益。
双极型复合光子雪崩光电二极管器件及其制作方法

[发明专利]静电保护器件-CN201810502138.X有效
发明人：陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;张云;吴志强 -专利权人：湖南大学
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。
静电保护器件

[发明专利]一种提高荧光强度比型温度传感器灵敏度的方法-CN202211231906.5在审
发明人： 金湘亮;周威 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本发明公开一种提高荧光强度比型温度传感器灵敏度的方法。包括1)选取具有温敏特性的稀土掺杂材料，且稀土掺杂材料在一定波长的激发下具有相反的温敏特性；2)测量不同温度下材料的上转换荧光光谱，选取具有最强相反温敏特性的荧光带进行积分；3)对两个荧光积分强度进行求比值；4)使用指数函数对强度的比值进行拟合；5)将两个荧光带的比值代入指数函数即得待测温度等步骤。本发明方法的最大绝对灵敏度SA达到0.227K‑1，最大相对灵敏度SR达到2.371％K‑1，且在整个温度范围内都有较大的SA和SR，这远远高于先前报道的大多数光学温度传感材料。这可能进一步促进光学测热研究，为提高温度灵敏度提供新策略。
一种提高荧光强度温度传感器灵敏度方法

[发明专利]GGNMOS静电防护器件及其制作方法-CN202110774823.X在审
发明人：董鹏;张玉叶;汪洋;金湘亮;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种GGNMOS静电防护器件及其制作方法，包括：P型衬底、N型埋层、第一N型深阱、第二N型深阱与第一P型阱；第一N型深阱、第二N型深阱上还设有第一N+注入区、第四N+注入区；第一P型阱上设有P型半导体衬底以及第一NMOS的栅区、源区以及漏区，其中，第一NMOS的漏区被加宽；第一N型深阱、第二N型深阱以及第一N+注入区、第四N+注入区与N型埋层构成N型隔离带；P型半导体衬底与第一NMOS的源区连接在一起并作为器件的阴极，第一NMOS的漏区与第一N型深阱、第二N型深阱上的第一N+注入区、第四N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；第一NMOS的栅区位于第二N+与第三N+注入区之间；第一NMOS的栅区接第一PMOS和电容C以及反相器的耦合电路。
ggnmos 静电防护器件及其制作方法

[发明专利]高维持高失效双向可控硅静电防护器件及其制作方法-CN202110774824.4在审
发明人：董鹏;杨康帅;汪洋;金湘亮;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种高维持高失效双向可控硅静电防护器件及其制作方法，P型衬底、N型埋层、第一N型深阱、第二N型深阱和第三N型深阱；第二N型深阱的左侧设有第三P+注入区，右侧设有第四P+注入区；第二N型深阱左侧设有第一P阱，右侧设有第二P阱；第一P阱内设有第一P型漂移区和第二P型漂移区，第二P阱内设有第三P型漂移区和第四P型漂移区；第一P型漂移区内设有第一P+注入区，第二P型漂移区内设有第一N+注入区；第三P型漂移区内设有第二N+注入区，第四P型漂移区内设有第六P+注入区；第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区连接在一起作为器件的阳极，第二N+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区连接在一起作为器件的阴极。
维持失效双向可控硅静电防护器件及其制作方法

[发明专利]低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件及制作方法-CN202110774825.9在审
发明人：董鹏;关文杰;汪洋;金湘亮;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种低触发高维持电压的双向可控硅静电防护器件及制作方法，包括P型衬底、N型埋层、N型阱；N型埋层左侧设有第一P阱，N型埋层右侧设有第二P阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区和第一浮空P+注入区，第一P阱和第二P阱之间设有N型阱，N型阱中间位置设有中间N+注入区，同时，第一P型浅阱PB和第二P型浅阱PB分别设置横跨在第一P阱、N型阱和第二P阱中间位置；N型埋层的上方的左侧和右侧分别设有第一高压N阱和第二高压N阱；第一P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，第二P+注入区、第二N+注入区连接在一起并作为器件的阴极，如此，该器件能够有效地保护芯片的核心电路，远离闩锁的风险。
触发维持电压双向可控硅静电防护器件制作方法

[发明专利]低压带栅单向可控硅静电防护器件及其制作方法-CN202110775154.8在审
发明人：汪洋;邓志勤;金湘亮;董鹏;李幸;骆生辉 -专利权人：湖南静芯微电子技术有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种低压带栅单向可控硅静电防护器件及其制备方法，包括：P型衬底；P型衬底中设有N型埋层、N型深阱区和P型深阱区；N型深阱包括第一N阱，P型深阱包括第二P阱，N型深阱和第一N阱不等宽，P型深阱和第二P阱不等宽；第一N阱上有第一N+注入、第二P+注入、第三N+注入；N型深阱上有第四P+注入；P型深阱上设有第二P阱；第五N+注入的左部在N型深阱上，右部在P型深阱上和第二P阱上；第六N+注入的左部在第二P阱上，右部在P型深阱上；P型深阱上有第七P+注入；多晶硅栅极在第二P阱上；P型深阱的两个电极和第二P阱上的一个栅极电极均连接在一起并作为器件的阴极，第一N阱里的两个电极均连接在一起作为器件的阳极。
低压单向可控硅静电防护器件及其制作方法

[发明专利]一种红外热增强上转换发光的纳米材料及其制备方法和应用-CN202211215990.1在审
发明人： 金湘亮;周威 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明公开一种红外热增强上转换发光的纳米材料及其制备方法和应用。采用的原料为稀土金属氯化物、NaOH和NaF，三者的用量比为0.5‑1.5mmol：1‑2g：7‑9mmol，所述稀土金属氯化物中的稀土金属为Y、Yb、Er、Tm和Gd，Y、Yb、Er、Tm和Gd的摩尔比为35‑39：18‑22：1‑3：0.1‑0.3：38‑42。本发明所得纳米材料能够在802nm波长处实现热增强荧光发射；基于802nm/540nm荧光强度比随温度的变化可实现温度的精确测量，其最高绝对灵敏度达到0.039K‑1，最高相对灵敏度达到1.07％K‑1；制备工艺简单、成本低廉，明显提升了温度测量的精度。
一种红外增强转换发光纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于上转换发光NaLuF4:Er微晶的光学温度传感器及其制备方法和应用-CN202211216802.7在审
发明人： 金湘亮;周威 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明公开一种基于上转换发光NaLuF4:Er微晶的光学温度传感器及其制备方法和应用。所述微晶为NaLuF4:Er，在1532nm激光激发下，NaLuF4:Er微晶在520nm,540nm,660nm和808nm处均有荧光发射。并且随着温度升高，各处的荧光强度表现出不同的温度依赖性。通过选取660nm处的积分强度比上540nm处的积分强度，得到比率型温度传感器。本发明基于荧光强度比(FIR)技术，温度传感器的绝对灵敏度和相对灵敏度是均能够被显著提高，从而本发明的材料能在深组织温度测量中得到应用。
一种基于转换发光 naluf4 er 光学温度传感器及其制备方法应用

[发明专利]栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构及其制作方法-CN201910577178.5有效
发明人： 金湘亮;汪洋 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极增强型光控可控硅静电释放器件结构，包括衬底P‑Sub；衬底P‑Sub中设有DN‑Well区；DN‑Well区中设有第一P‑Well区和第二P‑Well区；第一P‑Well区中设有第一多晶硅栅、第二P+注入区；第二P‑Well区中设有第三P+注入区、第二多晶硅栅。本发明的第一多晶硅栅、第二P+注入区、第三P+注入区、第二多晶硅栅构成栅极增强型光控结构，能够使得双向可控硅器件的维持电压可调控，即利用雪崩倍增产生的光生载流子来调节P‑Well与DN‑Well的浓度，从而使得寄生BJT的基区浓度发生变化，达到改变发射效率，调控维持电压的目的。
栅极增强光控可控硅静电释放器件结构及其制作方法

[发明专利]一种光栅复合型单光子雪崩二极管及其制作方法-CN202210714238.5在审
发明人： 金湘亮;杨健;汪洋 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种光栅复合型单光子雪崩二极管，包括衬底P‑Sub区；衬底P‑Sub区上设有NBL区；NBL区上设有圆形DN‑Well区；圆形DN‑Well区中间设有N‑Well区，圆形DN‑Well区上表面从外到内依次设有环形N+注入区、第一环形多晶硅栅、第一环形P+注入区、第二环形多晶硅栅、第二环形P+注入区、第三环形多晶硅栅和圆形P+注入区，所述第一环形多晶硅栅、第一环形P+注入区、第二环形多晶硅栅、第二环形P+注入区、第三环形多晶硅栅和圆形P+注入区引出用作阳极；环形N+注入区引出用作阴极。本发明实现了光栅器件与单光子雪崩二极管的复合，极大地扩展了器件的光谱响应范围。
一种光栅复合型光子雪崩二极管及其制作方法

[发明专利]嵌入达林顿管的可控硅静电防护器件及其制作方法-CN202210476754.9在审
发明人： 金湘亮;刘煜杰 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入达林顿管的可控硅静电防护器件，包括P型衬底P‑Sub；P型衬底P‑Sub上设有DN‑Well区；DN‑Well区上设有N‑Well区、第一P‑Well区、第二P‑Well区；N‑Well区中设有第一N+注入区、第一P+注入区；第一P‑Well区中设有第二N+注入区；第二P‑Well区中设有第二P+注入区、第三N+注入区；N‑Well区、第一P‑Well区、第二N+注入区与DN‑Well区、第二P‑Well区、第三N+注入区构成NPN型达林顿管。本发明利用NPN型达林顿管能够得到更高的电流增益，有效地提高失效电流，器件能够承受更高的ESD电流脉冲应力。
嵌入达林顿管可控硅静电防护器件及其制作方法

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