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[发明专利]用于减少砂附着物的试剂-CN202180048670.9在审
发明人：克里斯蒂安·普里贝;马蒂亚斯·彼得 -专利权人： ASK化学品股份有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C08G18/28 文献下载
摘要：本发明的主题是铸型材料混合物，其包含基于苄基醚型酚醛树脂、聚异氰酸酯的聚氨酯粘结剂并且还包含具有环氧基和羟基的聚丁二烯衍生物或者具有琥珀酸酐基的聚丁二烯衍生物。此外，本发明涉及一种异氰酸酯组分和基于酚醛树脂的聚氨酯粘结剂，并且涉及使用铸型材料混合物制得的型芯、模具或者冒口以及聚丁二烯衍生物作为脱模剂的应用。
用于减少附着物试剂

[发明专利]激光二极管-CN201880061152.9有效
发明人：克里斯托夫·艾克勒;马蒂亚斯·彼得;扬·瓦格纳 -专利权人：欧司朗OLED股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：描述一种激光二极管(10)，具有半导体层序列(12)，所述半导体层序列基于氮化物化合物半导体材料，所述激光二极管包括：n型包覆层(2)；第一波导层(3A)；第二波导层(3B)；和设置在第一波导层(3A)和第二波导层(3B)之间的有源层(4)，所述有源层用于产生激光辐射；和p型包覆层(6)，其中p型包覆层(6)具有朝向有源层(4)的第一子层(6A)和背离有源层的第二子层(6B)。第一子层(6A)具有Alx1Ga1‑x1N，其中0≤x1≤1，或者具有Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N，其中0≤x1≤1，0≤y1＜1并且x1+y1≤1，其中铝含量x1沿背离有源层(4)的方向减小，使得铝含量在朝向有源层(4)的侧上具有最大值x1max并且在背离有源层的侧(4)上具有最小值x1min＜x1max。第二子层(6B)具有Alx2Ga1‑x2N，其中0≤‑S x2≤x1min，或者具有Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N，其中0＜x2＜x1min，0≤y2＜1并且x2+y2＜1。
激光二极管

[发明专利]转换元件和具有这种转换元件的发射辐射的半导体器件-CN201780008191.8有效
发明人：安德烈亚斯·莱夫勒;亚当·鲍尔;马蒂亚斯·彼得;迈克尔·宾德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：提出一种转换元件(1)，所述转换元件具有：有源区域(13)，所述有源区域由半导体材料形成并且包括多个势垒(131)和量子阱(132)；多个第一结构元件(14)，所述第一结构元件设置在转换元件(1)的上侧(1a)上；和多个第二结构元件(15)和/或第三结构元件(16)，所述第二结构元件和/或第三结构元件设置在有源区域(13)的背离多个第一结构元件(14)的侧上。此外，提出一种用于制造这种转换元件的方法。
转换元件具有这种发射辐射半导体器件

[发明专利]光电子器件和用于其制造的方法-CN201710670010.X有效
发明人：克里斯蒂安·莱雷尔;托比亚斯·迈耶;马蒂亚斯·彼得;于尔根·奥弗;约阿希姆·赫特功;安德烈亚斯·莱夫勒;亚历山大·沃尔特;达里奥·斯基亚翁 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光电子器件，所述光电子器件包括具有光有源层的层结构。在此，光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷密度。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]发光半导体芯片-CN201610643061.9有效
发明人： 马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;亚历山大·沃尔特;泷哲也;于尔根·奥弗;赖纳·布滕戴奇;约阿希姆·赫特功 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有带有半导体层序列的半导体本体(2)，其中所述半导体层序列具有n型导电的多层结构(21)、p型导电的半导体层(22)和设置用于产生辐射的有源区域(20)，所述有源区域设置在所述n型导电的多层结构和所述p型导电的半导体层之间；所述半导体本体具有凹部(24)，所述凹部穿过所述p型导电的半导体层和所述有源区域延伸到所述n型导电的多层结构中；在所述n型导电的多层结构中形成具有至少一个掺杂尖峰(4)的掺杂分布；以及所述凹部穿透所述掺杂尖峰。
发光半导体芯片

[发明专利]光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法-CN201610086311.3有效
发明人：赖纳·布滕戴奇;亚历山大·沃尔特;马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;泷哲也;胡贝特·迈瓦尔德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法。该光电半导体芯片(100)具有：第一半导体层序列(1)，所述第一半导体层序列包括多个V形缺陷(11)；和第二半导体层序列(2)，所述第二半导体层序列包括有源区(12)，其中所述第一半导体层序列(1)和所述第二半导体层序列(2)基于氮化物‑化合物半导体材料，所述第一半导体层序列(1)在生长方向上位于所述第二半导体层序列(2)之前，所述V形缺陷(11)形成对所述有源区(12)的静电放电保护，所述V形缺陷中的大部分具有同种的电学性质，尤其同种的击穿特性，所述V形缺陷中的至少75％具有相似的尺寸，以及所述V形缺陷的密度至少为10⁸/cm²。
光电半导体芯片用于制造方法

[发明专利]光电子器件和用于其制造的方法-CN201380050790.8有效
发明人：克里斯蒂安·莱雷尔;托比亚斯·迈耶;马蒂亚斯·彼得;于尔根·奥弗;约阿希姆·赫特功;安德烈亚斯·莱夫勒;亚历山大·沃尔特;达里奥·斯基亚翁 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种光电子器件，所述光电子器件包括具有光有源层的层结构。在此，光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷密度。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]用于制造光电子器件的方法-CN201380050756.0有效
发明人：约阿希姆·赫特功;简-菲利普·阿尔;洛伦佐·齐尼;马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;亚历山大·弗里 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种用于制造光电子器件的方法，所述方法包括下述步骤提供衬底；将成核层施加在衬底的表面上；将掩模层施加在成核层上并且结构化；在第一生长步骤中生长氮化物半导体，其中设立连接片，所述连接片构成横向栅格，其中连接片沿生长方向分部段地具有梯形的横截面；以及在第二生长步骤中横向地在连接片之上生长氮化物半导体，以便闭合在连接片之间的空腔。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]用于光电子器件的反射性的接触层系统及其制造方法-CN201380040707.9有效
发明人： 马蒂亚斯·彼得;西梅昂·卡茨;于尔根·奥弗;科比尼安·佩尔茨尔迈尔;卡伊·格尔克;罗尔夫·艾达姆;于尔根·多伊布勒;托尔斯滕·帕索 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种用于光电子器件(100)的反射性的接触层系统，包括p型掺杂的第一氮化物化合物半导体层(1)，透明的传导的氧化层(3)，反射层(4)，和设置在p型掺杂的第一氮化物化合物半导体层(1)和透明的传导的氧化层(3)之间的p型掺杂的第二氮化物化合物半导体层(2)，其中p型掺杂的第二氮化物化合物半导体层(2)在朝向透明的传导的氧化层(3)的边界面(23)上具有N面域(22)，并且其中N面域(22)在边界面(23)上具有至少95％的面积份额。此外，提出一种用于制造接触层系统的方法。
用于光电子器件反射接触系统及其制造方法

[发明专利]光电子半导体材料的整面的光学表征的方法和执行该方法的设备-CN201480063969.1在审
发明人：延斯·埃贝克;西格马尔·库格勒;托比亚斯·迈耶;马蒂亚斯·彼得 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：提出一种用于光电子半导体材料(1)的整面的光学表征的方法，所述半导体材料设置用于制造多个光电子半导体芯片并且所述半导体材料具有给定半导体材料(1)的特征波长的带隙，所述方法具有下述步骤：A)用具有小于半导体材料(1)的特征波长的激发波长的光(20)整面地辐照光电子半导体材料(1)的主表面(11)，以在半导体材料(1)中产生电子空穴对；B)整面地检测通过电子空穴对复合从半导体材料(1)的主表面(11)放射的、具有特征波长的复合辐射(30)。此外，提出一种用于执行该方法的设备(100)。
光电子半导体材料光学表征方法执行设备

[发明专利]具有集成的ESD保护的发射辐射的半导体芯片-CN201280021065.3有效
发明人：安德烈亚斯·莱夫勒;克里斯蒂安·莱雷尔;赖纳·布滕戴奇;托比亚斯·迈耶;马蒂亚斯·彼得 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提出一种发射辐射的半导体芯片（1），所述半导体芯片具有基于氮化物化合物半导体材料的带有pn结的半导体层序列（2），所述半导体层序列包括：第一保护层（3），所述第一保护层具有目的明确地引入的晶体缺陷（4），其中第一保护层（3）设为用于保护半导体芯片（1）免受静电放电脉冲的影响；用于产生辐射的有源区（7），所述有源区在生长方向（W）上设置在第一保护层（3，5）的下游，其中在半导体芯片（1）的运行中，半导体层序列（2）在截止方向上在具有晶体缺陷（4）的区域中的击穿性能不同于不具有晶体缺陷的区域，并且其中在静电放电脉冲的情况下，电荷以均匀分布的方式经由具有晶体缺陷（4）的区域导出。
具有集成 esd 保护发射辐射半导体芯片

[发明专利]LED照明设备-CN201180033454.3无效
发明人： 马蒂亚斯·彼得 -专利权人：欧司朗股份有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： F21S8/06 文献下载
摘要：公开一种具有灯壳体的照明设备，该灯壳体带有容纳部，所述容纳部适合于容纳或装入插脚式灯头高压卤素灯的灯座、尤其为根据IEC60432标准的G9灯座。在此，根据本发明替选地在所述容纳部中容纳或装入散热器，在所述散热器上固定有LED。
led 照明设备

[发明专利]发光半导体芯片-CN201080060204.4有效
发明人： 马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;亚历山大·沃尔特;泷哲也;于尔根·奥弗;赖纳·布滕戴奇;约阿希姆·赫特功 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：提出一种半导体芯片（1），其具有带有半导体层序列的半导体本体（2），其中用于产生辐射的有源区域（20）设置在n型导电的多层结构（21）和p型导电的半导体层（22）之间。在n型导电的多层结构中，形成具有至少一个掺杂尖峰（4）的掺杂分布。
发光半导体芯片

[发明专利]光电子半导体芯片以及基于AlGaN的中间层的应用-CN201080060178.5有效
发明人： 马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;尼古劳斯·格迈因维泽;泷哲也;汉斯-于尔根·卢高尔;亚历山大·沃尔特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在光电子半导体芯片(100)的至少一种实施方式中，它包含基于GaN、InGaN、AlGaN和/或InAlGaN的半导体层序列(1)。半导体层序列(1)包含p掺杂的层序列(2)，n掺杂的层序列(4)，和位于p掺杂的层序列(2)与n掺杂的层序列(4)之间的有源区(3)。半导体层序列(1)另外包含至少一个基于AlxGa1-xN的中间层(5)，其中0
光电子半导体芯片以及基于 algan 中间层应用

[发明专利]光电半导体芯片和用于制造光电半导体芯片的方法-CN201080060293.2有效
发明人：赖纳·布滕戴奇;亚历山大·沃尔特;马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;泷哲也;胡贝特·迈瓦尔德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明说明了一种光电半导体芯片（100），其具有第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2），所述第一半导体层序列包括多个微型二极管（11），所述第二半导体层序列包括有源区（12），其中，第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2）基于氮化物-化合物半导体材料，所述第一半导体层序列（1）在生长方向上位于第二半导体层序列（2）之前，并且所述微型二极管（11）形成对有源区（12）的ESD（静电放电）保护。
光电半导体芯片用于制造方法

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