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[发明专利]芯片的键合方法及系统-CN201910825436.7有效
发明人：陈勇辉;唐世弋 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片的键合方法及系统，首先获取若干晶圆的良率，然后将良率大于第一设定值的若干晶圆进行晶圆级键合，或者将若干所述晶圆进行两两预匹配并得到预匹配晶圆组的良率，挑出良率大于第三设定值的预匹配晶圆组进行晶圆级键合，而在剩余的所述晶圆中，将良率较大的作为衬底晶圆，良率较小的作为划片晶圆，将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，本发明将良率较高的晶圆进行晶圆级键合从而提高了键合的产率，将良率较低的晶圆切成键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，可以剔除部分不良芯片，从而提高了最终键合芯片的良率，从而降低了产品的制造成本。
晶圆键合良率晶圆级衬底匹配单个芯片芯片划片不良芯片键合芯片制造成本产率成键剔除

[发明专利]一种键合板条键合面相对损耗值的获取方法-CN202010488263.7有效
发明人：张建中;马占宇;柴全;苑勇贵;王钢;王超 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明提供一种键合板条键合面相对损耗值的获取方法，属于激光键合晶体板条的质量检测领域，首先运用已知反射率的标准反射面获取白光干涉装置回损校对值；然后通过干涉仪的延迟线结构，对待测板条中垂直键合面的深度方向扫描测试，获取各个反射面的分布式干涉强度信号，以及键合面的深度定位；进一步利用探头中已知反射率薄膜为标准，将干涉信号转化为反射率的分布式结果，并结合标准反射面的损耗校对值对测量结果校准；再利用菲涅尔反射公式将表面反射率测量结果转化为晶体的折射率，进而计算出键合面处理想的菲涅尔反射率理论值；最后通过键合面的反射率测量值与菲涅尔反射率理论值对比，得到键合面相对损耗值，以此评价键合面质量。
一种板条键合面相对损耗获取方法

[实用新型]一种高压VDMOS-CN202021944835.X有效
发明人：张峰;冯羽 -专利权人：杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压VDMOS，包括：支撑衬底和键合衬底，所述支撑衬底和键合衬底硅硅键合，键合衬底位于支撑衬底之上，所述支撑衬底电阻率为0.008~0.06ohm.cm，键合衬底的电阻率15ohm.cm本申请的高压VDMOS使用不同电阻率的衬底材料互相键合制备出硅硅键合片，替代目前的厚膜外延片，取得高质量的满足客户要求的硅衬底片，提高生产效率降低生产成本，得到的高压VDMOS器件的过渡区明显变窄，产品参数的一致性更好
一种高压 vdmos

[发明专利]一种提高板条键合面光斑扫描测量分辨率的方法-CN202010606876.6有效
发明人：张建中;马占宇;柴全;苑勇贵;王钢;王超 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明提供一种提高板条键合面光斑扫描测量分辨率的方法，本发明属于键合激光板条晶体的质量检测领域，板条键合面测量装置基于光纤白光干涉系统，通过光纤探头出射的光斑对键合面扫描，干涉探测获取键合面反射率信息，针对传统光斑检测方法分辨率受限于光斑尺寸的问题，提出利用光纤探头出射光束在轴向不同距离处的光强分布变化，进行“米”字路径光斑堆叠式扫描，在截面横向的四个角度上，实现不同距离位置处的反射率结果变化分析，有效推算出更高分辨率的反射率分布情况，同时对待测微尺寸键合面区域进行缺陷表征。
一种提高板条键合面光斑扫描测量分辨率方法

[发明专利]一种键合设备和键合方法-CN201810973550.X有效
发明人：郭耸;朱鸷;陈飞彪 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种键合设备和键合方法。该键合设备包括：第一键合模块和第二键合模块；所述第一键合模块用于将多个待键合芯片排布于待键合晶圆上，并对所述多个待键合芯片和所述待键合晶圆进行预键合；所述第二键合模块用于对预键合后的所述多个待键合芯片和所述待键合晶圆进行永久键合本发明实施例的方案提高了芯片键合的产率。
一种设备方法

[发明专利]晶圆键合结构及其形成方法以及半导体器件的制备方法-CN202210317438.7在审
发明人：魏丹珠;席韡;刘奇斌 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆键合结构及其形成方法以及半导体器件的制备方法，晶圆键合结构，包括依次层叠的键合载片、介质层、键合胶层以及待键合晶圆；其中，所述键合载片的材质与所述待键合晶圆的材质相同，所述介质层的材料与所述键合载片以及所述待键合晶圆的材料的折射率不同上述的晶圆键合结构通过在键合载片上依次层叠的介质层和键合胶层，通过与待键合晶圆和键合载片的材料与介质层材料不同的折射率可以分辨出待键合晶圆和键合载片。利用上述晶圆键合结构既可以满足良好的键合效果，在后续进行一些如高温真空等离子体轰击或是高温退火等严苛的高温工艺条件下仍保持紧密且完整的键合，还可以有助于后续操作人员对于待键合晶圆厚度的测量。
晶圆键合结构及其形成方法以及半导体器件制备

[发明专利]键合头装置、键合方法及键合机台-CN201710930963.5有效
发明人：程海林;赵丽丽;夏海;陈飞彪 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提出的键合头装置、键合方法及键合机台，第一动力组件与键合组件相互独立，实现了整个键合头装置的轻量化，增加了键合头装置在键合过程中的移动速度，同时减小了在键合芯片时产生的第一作用力，增加了键合的产率；进一步的，通过键合组件中的气浮轴套单元精密调压以缓冲第一作用力，无需使用传统的压力传感器，降低了键合头进行芯片贴合时的控制过程的复杂度，同时无需减少键合头装置的刚度，避免了芯片键合时发生贴合翘曲以及第一作用力不均匀等问题；更进一步的，本发明提出的键合机台使用第一动力组件与键合组件相互独立的键合头装置，可同时对多个工作台上的芯片进行键合，极大提高了键合产率。
键合头装置方法机台

[发明专利]一种四元系透明衬底发光二极管及其制作方法-CN201711048315.3有效
发明人：李波;杨凯;邹微微;徐洲;张双翔 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本申请提供一种四元系透明衬底发光二极管制作方法和四元系透明衬底发光二极管，提出透明衬底键合技术，将四元系GaAs衬底发光二极管外延片转移至透明衬底上，代替吸光材质的衬底，从而提高发光效率，另外，对GaP层进行了粗化，并且在GaP层上形成了渐变折射率复合薄膜层，所述渐变折射率复合薄膜层能够增加透光率，进一步提高发光二极管的光提取率。进一步地，由于所述渐变折射率复合薄膜层的最外侧为SOG键合层，相对于现有技术中的氧化硅键合层，能够提高键合能力，使得键合更加牢固，可以有效提高键合良率。
一种四元系透明衬底发光二极管及其制作方法

[发明专利]增大芯片键合面积的方法-CN201110189245.X无效
发明人：杨继远 -专利权人：杨继远
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：一种增大芯片键合面积的方法，其主要技术特征是采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入其中进行键合材料的蒸发或沉积。可制备高效率、高亮度、低阻值、性能稳定的LED发光二极管器件。用这种方法进行晶圆片/硅片(或晶圆片/晶圆片)键合，键合后衬底片键合面积高达99.99％以上、无键合材料外溢、无空洞，键合强度高，键合率高达99％以上，其制得的衬底片不但键合区不存在污染层、多晶层、氧化层，而且提高后续工艺的成品率，降低生产成本。
增大芯片面积方法

[发明专利]晶圆键合方法-CN201510615665.8在审
发明人：何作鹏;施林波 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法，包括提供多个晶圆，所述晶圆用于键合的面为键合面，所述键合面包括中央区域和位于中央区域周围的边缘区域；在所述晶圆的键合面上形成氧化层；对所述氧化层进行化学机械抛光；对所述氧化层进行平坦化处理，所述平坦化处理对键合面边缘区域氧化层的去除量大于对键合面中央区域氧化层的去除量；在平坦化处理之后，使晶圆的键合面贴合在一起，进行键合。其中，通过所述平坦化处理使键合面边缘区域氧化层的去除量大于键合面中央区域氧化层的去除量，从而实现对键合面边缘区域的单独处理以平坦化键合面边缘区域，进而缩小键合面中央区域和边缘区域氧化层的厚度差，降低晶圆键合后形成的器件的空洞率和缺陷率
晶圆键合方法

[发明专利]一种硅硅键合检测图像的处理方法及系统-CN201610021552.X在审
发明人：陶智;闫晓军;李海旺;徐天彤;谭啸;余明星 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅硅键合检测图像的处理方法及系统，该方法包括：获取硅硅键合检测图像；去除待处理图像中的背景因素。基于sym8小波去除检测图像的噪声；基于sym4小波变换进行处理，得到高频增强图像；对高频增强图像进行对比度增强处理，得到对比度增强图案；设定键合阈值，将对比度增强图像中边界小于键合阈值的矩阵数值归为0；将边界大于等于键合阈值的灰度值归为255，得到键合边界对比图像；对键合边界对比图像的边界进行处理，得到键合边界图；计算硅硅键合率。本发明通过对图像进行各种变换，从而能够明确地划定的边界图像中提取到硅硅键合率，从而可以准确的分析硅硅键合效率。
一种硅硅键合检测图像处理方法系统

[发明专利]微型电镀立体结构提高圆片级金属键合强度的工艺方法-CN201210521807.0有效
发明人：吴璟;贾世星;朱健;郁元卫 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明是微型电镀立体结构提高圆片级金属键合强度的工艺方法，通过对其中一个晶片采用双层电镀工艺，以独立的、立体的、阵列式几何图形制备，实现圆片级金属键合的剪切强度与键合面积的增强，提高键合成品率，至少包括在原有器件设计版图上增加第二次电镀金属的几何图形版图，如小尺寸的网格状、柱状等几何凸起图形；通过辅助的金属粘附层实现二次电镀，与另一个晶片金属扩散键合。优点：工艺简单，剪切强度高、成品率高，克服常规金属键合工艺对键合晶片及其晶片金属表面的电镀平整度要求极高而易导致局部区域键合不上、键合面积不足、键合强度不够等晶片机键合质量不高问题，实现器件键合区域键合完好
微型电镀立体结构提高圆片级金属键强度工艺方法

[发明专利]一种利用表面微纳米结构的低温固态键合方法-CN201410402131.2在审
发明人：胡丰田;李明;胡安民;吴蕴雯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用表面微纳米结构的低温固态键合方法，包括以下步骤：选择具有相互匹配的电互连焊盘的两个或多个待键合元件，两两形成一个待键合偶；在待键合偶的一侧焊盘上形成纤维状纳米银金属层；在待键合偶的另一侧焊盘上形成微米级针锥阵列结构的金属层；将待键合偶表面焊盘对准，把接触区域加热到不超过金属熔点的某一温度同时向待键合偶一侧或双侧施加键合压力并保持一定时间，使得纤维状纳米银金属层与微米级针锥阵列结构的金属层固态键合。本发明的利用表面微纳米结构的低温固态键合方法的传导率、电导率更高，并且可以大大减低热压键合的温度，提高键合强度。
一种利用表面纳米结构低温固态方法

[发明专利]压力键合装置、控制系统及压力键合方法-CN202110463209.1有效
发明人：李健;韦欣;李川川;邱小浪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种压力键合装置、控制系统及压力键合方法，压力键合装置包括：键合凹槽，用于放置键合辅助材料；加压缓冲单元，包括：加压部件，悬空设置于键合凹槽上方；以及承压单元，设置在键合凹槽下方，用于为键合凹槽提供支撑；其中，所述加压部件可插入所述键合凹槽，以挤压容纳在所述键合凹槽内的待键合物体，实现所述待键合物体的键合。本发明通过设置键合凹槽以及设置在键合凹槽下的温度控制单元，并在压力键合过程中引入键合辅助材料，完成芯片与热沉之间键合，提高芯片键合的效率，降低芯片与热沉之间产生气泡的几率，提高芯片键合的成品率和可靠性。
压力装置控制系统方法

[发明专利]一种增大芯片键合面积的方法-CN201210001591.5无效
发明人：杨继远 -专利权人：杨继远
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种增大芯片键合面积的方法，采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入晶圆垫片上，用弹簧夹将其固定进行键合材料的蒸发或沉积，随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业，将晶圆片/晶圆片或晶圆片/硅片键合在一起。用这种方法进行晶圆片/硅片或晶圆片/晶圆片键合，键合后衬底片键合面积高达99.99％以上、无键合材料外溢、无空洞，键合强度高，键合率高达99％以上，其制得的衬底片不但键合区不存在污染层、多晶层、氧化层，而且提高后续工艺的成品率，降低生产成本。
一种增大芯片面积方法

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