“键合率”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2432761个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构-CN202011059931.0在审
发明人：潘远杰;周祖源;薛兴涛 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构，通过添加等离子处理工艺，使重布线介质层的表面变粗糙，使其具有良好的亲水性，从而有利于临时键合胶粘剂流动性，实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触，减少后续的高温CVD过程中气泡的产生，从而降低边缘破裂的风险，可以提高产品的产量并可以增加产率。
一种减少临时过程气泡形成方法结构

[发明专利]芯片键合方法-CN201310041873.2有效
发明人：黄平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片键合方法，在加热待键合硅片至一定温度后，进行多次气体填充和抽真空的过程，使得芯片本身附着的气体被排出，从而避免键合后空洞的形成，另外，在加热前使用中心定位器固定所述待键合芯片，能够有效的限制芯片的位置偏移，减少了由于温度压强等变动所导致的芯片位置变动，从而大大的改善了芯片键合后的质量，提高了良率。
芯片方法

[发明专利]键合设备及键合方法-CN201810134295.X有效
发明人：刘育 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种键合设备及键合方法，所述键合设备包括：供给运动台、传输系统、键合运动台及对准测量系统。通过所述供给运动台、传输系统、键合运动台及对准测量系统连续实现了第一芯片的交接，传输和测量功能，减少单个芯片的流转时间，能够高效的完成第一芯片与基底上对应的第二芯片的键合，提高产率。进一步的，所述键合设备的尺寸紧凑，结构更加简单，对准测量系统布局在框架及键合运动台上，电气布线更方便；使用所述键合方法，预先标定对准测量系统位置，实现所述供给运动台上第一芯片与所述键合运动台上对应的第二芯片的键合
设备方法

[发明专利]半导体绝缘衬底、晶体管及其制备方法-CN202010722513.9有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：其中，半导体绝缘衬底的制备方法，包括：提供键合基片以及支撑基片；在支撑基片上形成沟道材料层；在沟道材料层上形成钝化层；将键合基片与支撑基片键合以形成键合衬底，键合后沟道材料层以及钝化层位于键合基片与支撑基片之间；将键合衬底自支撑基片一侧减薄至沟道材料层。本申请可以有效提高半导体绝缘衬底以及应用其制备的晶体管的载流子迁移率。
半导体绝缘衬底晶体管及其制备方法

[发明专利]芯片键合装置及方法-CN201610113370.5有效
发明人：郭耸;朱岳彬;陈飞彪;戈亚萍 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片键合装置，包括第一运动台、第二运动台、吸盘、精调及转移结构、键合台和控制系统。本发明还提供一种芯片键合方法，通过采用吸盘逐个吸附芯片，而后通过精调及转移结构精确调整芯片在其载板上的位置，并将载板上的芯片一次性键合到基底上，实现了芯片的批量接合，有效地提高了倒装芯片接合工艺的效率。本发明采用芯片批量拾取和批量键合方式，平衡了芯片拾取、芯片位置精调和芯片键合的时间，使键合设备在保证键合精度的同时，提高了产率。
芯片装置方法

[发明专利]一种半导体结构激光剥离方法-CN201510869126.7有效
发明人：吴正伟 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构激光剥离方法，在所述平台表面与所述外部键合点空隙相匹配的区域沉积有预定介质形成一填充区，将依次沉积有所述聚酰亚胺封装薄膜层、外部键合点的基板放置于所述平台上，使得所述外部键合点键合入所述填充区；外部键合点之间的空隙被预定介质填充，可以平整的放置于所述平台之上，基板表面处于同一水平位置上，去除基板准确率提高，另外因聚酰亚胺薄膜层表面平整，在贴附支撑性薄膜时，避免产生气泡，提高支撑性薄膜贴附的稳定性，提升产品成品率。
一种半导体结构激光剥离方法

[发明专利]一种用于超小型表贴晶体振荡器的基座夹持承载夹具-CN202011588805.4有效
发明人：王莉;王巍丹;郑文强;刘小光;牛磊;崔巍;段友峰;李国强 -专利权人：北京无线电计量测试研究所
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：该夹具可以对散料基座实现可靠紧固夹持及承载并形成适配的加工阵列，从而实现对其内部安装的集成电路芯片进行高效、良好的批量自动引线键合加工。键合工程中，基座可良好的固定在该载盘上，无脱位现象，焊盘定位精度高误差小，批量自动加工速度快，键合加工合格率和效率高。解决了原有技术存在的散料基座安装的芯片只能采用手工拾取、单只逐个进行引线键合加工的方式，从而导致的工艺稳定性和重复性较差，芯片键合质量一致性较差，键合强度散差较大，合格率较低等问题。
一种用于超小型晶体振荡器基座夹持承载夹具

[发明专利]键合晶圆的空洞检测方法及键合晶圆的空洞检测装置-CN202110716623.9有效
发明人：王庆;陈明;陈金星;金保洲 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请提供一种键合晶圆的空洞检测方法，所述键合晶圆包括层叠设置的两层晶圆层，所述方法包括：减薄所述键合晶圆的其中一层晶圆层得到目标晶圆层；使用可见检测光从所述目标晶圆层照射所述键合晶圆，并扫描所述键合晶圆；接收从所述键合晶圆反射的可见检测光并根据所述反射的可见检测光形成图像；以及根据所述图像对所述键合晶圆进行空洞检测。本申请还提供一种键合晶圆的空洞检测装置。本申请提供的键合晶圆的空洞检测方法和键合晶圆的空洞检测装置，通过减薄所述键合晶圆，再使用可见检测光照射减薄后的键合晶圆而形成图像，根据所述图像能够准确并快速地检测出所述键合晶圆的空洞，从而提高生产效率以及产品良率
键合晶圆空洞检测方法装置

[发明专利]基板键合系统和方法-CN202110888271.5在审
发明人：王斌;萧俊龙;汪楷伦;蔡明达;詹蕊绮 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板键合系统和方法，基板键合系统包括工作平台、喷涂工位、加热工位、粘接工位和压合工位；工作平台包括一支撑件和与支撑件转动连接的转台，喷涂工位、加热工位、粘接工位和压合工位沿转台的周向依序布置；其中，转台用以放置待键合基板，待键合基板包括相对设置的键合面和基底面，基底面与转台接触；喷涂工位被配置为在键合面上喷涂一胶层；加热工位被配置为对胶层进行加热；粘接工位被配置为将一转接基板的待键合面与胶层进行粘接；压合工位被配置为从背离待键合面的一侧施加压力以使转接基板和待键合基板压合。实现自动化操作，能够连续作业，提高制造工作效率，能提高制程的精度和键合质量，能提高发光芯片的良率。
基板键合系统方法

[发明专利]一种用于玻璃基微流控芯片的激光键合设备及方法-CN202010414908.2在审
发明人：赵映龙;涂兴;刘雪梅;何俊良 -专利权人：北京隆庆智能激光装备有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于玻璃基微流控芯片的激光键合方法，包括超声波清洗、表面活化、清洗、预贴合和激光键合处理，提高了玻璃基微流控芯片的键合效率，避免了传统键合方法制作复杂、成品率低下、成本高的缺点，省去了中间的介质层使得产品的应用场景更加广阔
一种用于玻璃基微流控芯片激光设备方法

[发明专利]一种用铟(In)进行外延片/硅片键合的方法-CN201210001593.4无效
发明人：杨继远 -专利权人：杨继远
申请日： 2012-01-05 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种用铟(In)进行外延片/硅片键合的方法，是在蒸发有金(Au)层的硅片上沉积铟(In)层，在沉积有反射镜层的外延片上蒸发金(Au)层，然后将两片相对(铟(In)层在中间)，放入键合机(bonding)中进行键合，可制备高效率、高亮度、低阻值、性能稳定的LED发光二极管器件。用这种方法进行外延片/硅片键合，键合区致密、无空洞，键合强度高，键合率高达98％以上。其制得的衬底片键合区不存在污染层、多晶层、氧化层。从而可使制得的二极管发光器件性能得到大大的提高。
一种 in 进行外延硅片方法

[发明专利]一种半导体临时键合设备-CN202310192374.7在审
发明人：刘斌 -专利权人：广东海拓创新技术有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体先进封装技术领域，尤其为一种半导体临时键合设备，包括临时键合设备本体，临时键合设备本体由临时键合片载入仓工位、晶片载入仓工位、静电卡盘载入仓工位、水平行走轴、洁净机器人和临时键合台组成，本发明通过采用静电吸附的方式实现对晶片的快速键合和解键，有效的解决了现存常规对晶片的临时键合方式采用诸如键合胶、石蜡等粘合剂将晶片和承载片进行粘合，对晶片进行支撑。不管采用滑移式剥离还是剥离式剥离，在解除对薄晶片的支撑时都需要采用一系列辅助设备和工序，不仅效率和良率低，一整套设备的造价也高，也存在巨大的碎片风险的问题。
一种半导体临时设备

[发明专利]键合方法及键合装置-CN202010671643.4在审
发明人：母凤文 -专利权人：母凤文
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合装置及键合方法，该装置包括一用于表面活化的光源，一真空腔体、一支撑机构和一加压机构；光源用于活化两键合表面，加压机构可以在活化后施加压力辅助键合、支撑机构用于将待键合样品传送至特定位置后支撑固定待键合样品该键合装置可以避免传统表面活化键合方法带来的界面损伤层和氧化层，实现界面具有完整的晶格结构，从而保证界面具备特定性能。
方法装置

[发明专利]键合装置及键合方法-CN201911068958.3在审
发明人：吴明洙;朴头山;秦贤哲;申熙钟 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本申请涉及键合装置和键合方法。键合装置包括：各向异性导电膜(“ACF”)附接单元，将第一ACF和第二ACF附接到显示面板组装件上；压缩单元，将第一膜上芯片(“COF”)压缩在第一ACF上，并且将第二COF压缩在第二ACF上；以及缓冲单元
装置方法

[发明专利]键合方法和键合结构-CN201910844589.6在审
发明人：丁刘胜;王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种键合方法和键合结构，该键合方法包括：在第二基片的表面形成由导电材料形成的导电连接柱；在第一基片的表面形成由键合胶形成的键合胶图形，所述键合胶图形具有凹陷部，所述第一基片的部分表面从所述凹陷部露出，所述凹陷部的位置与所述导电连接柱对应，所述凹陷部的横向尺寸大于所述导电连接柱的横向尺寸，所述键合胶图形的厚度大于所述导电连接柱的厚度；以及将所述导电连接柱与所述凹陷部对准，在预定的温度条件下，对所述第一基片和所述第二基片施加预定的压力，使所述第一基片与所述第二基片通过所述键合胶图形键合为一体，并且，所述导电连接柱与所述第一基片的从所述凹陷部露出的所述部分表面接触。
方法结构

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top