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[发明专利]一种半导体封装件及其生产方法-CN202311167514.1在审
发明人：王晓;任真伟 -专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装件及其生产方法。该半导体封装件包括半导体芯片、铜箔和电路基板，半导体芯片和电路基板的至少部分表面上设有镀层；半导体芯片的镀层中含过渡金属，电路基板的镀层中含金属和/或金属氧化物；铜箔通过铜与半导体芯片的镀层中包含的过渡金属形成金属键，进而与半导体芯片键合；铜箔通过铜与电路基板的镀层中包含的金属和/或金属氧化物形成金属键，进而与电路基板键合。本发明中，铜与半导体芯片及电路基板上的镀层中包含的金属和/或金属氧化物形成金属键，进而实现铜箔与半导体芯片及电路基板之间的键合，铜箔与半导体芯片及电路基板之间的结合强度高。
一种半导体封装及其生产方法

[发明专利]一种用于银烧结的复合焊片结构及其制备方法-CN202211735959.0有效
发明人：王斌;欧阳鹏;朱凯;张进;葛荘 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于银烧结的复合焊片结构及制备方法，涉及半导体制备技术领域，旨在解决目前纳米银浆制备成本高，可靠性低的问题，其技术方案要点是：一种用于银烧结的复合焊片结构，包括自上而下依次设置的银盐复合膜层、银箔层、银盐复合膜层。本发明的一种用于银烧结的复合焊片结构及制备方法，制备成本低，能够提高Ag连接的可靠性。
一种用于烧结复合结构及其制备方法

[实用新型]一种芯片封装共晶结构-CN202321076441.0有效
发明人：倪瀚洋;邓竞;彭彩龙 -专利权人：四川齐航盈创科技有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片封装共晶结构，包括芯片(1)、基体(2)和位于芯片(1)的背面与基体(2)的正面之间的共晶层(3)，所述共晶层(3)均匀设置有若干结合孔(31)，结合孔(31)内填充有低熔点金属结合块。本实用新型提高了芯片和基板的结合力。
一种芯片封装结构

[发明专利]一种低电感塑封模块-CN202310799242.0在审
发明人：杨阳;刘杰;郝凤斌;李聪成;潘婷 -专利权人：扬州国扬电子有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电感塑封模块，涉及电力电子功率模块技术领域。该模块包括底板、固定在底板上的塑封体，以及构成塑封体的芯片组、功率电极和信号电极；功率电极包含正负电极组合体，正负电极组合体中的正电极和负电极叠层设置，并通过耐高温绝缘层相对固定；信号电极包含GS电极组合体，GS电极组合体中的门极（G极）电极和源极（S极）电极叠层设置，并通过耐高温绝缘层相对固定。本发明的正负电极和GS电极分别叠层设置，可以减小模块的电感，同时功率电极和信号电极采用不同的材质，可以增强功率电极的过流能力也不会影响信号电极的强度。
一种电感塑封模块

[发明专利]用于半导体装置的衬底-CN201611010456.1有效
发明人：格兰·瑞讷;丹尼尔·李徹特 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-11-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：一种用于半导体装置的衬底。所提供为用于优化芯片/衬底上的半导体装置的数目的揭示。所述优化包括有效率地布置、切割和包装所述装置。
用于半导体装置衬底

[实用新型]不易脱焊的半导体模块电极-CN202321335705.X有效
发明人：范雯雯;陶伟光;范若怡;樊厚贞;杨政杰 -专利权人：浙江固驰电子有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型针对现有技术中电极的抗受力变形能力还有可优化提升的问题，提出了一种不易脱焊的半导体模块电极，属于半导体模块技术领域，包括连接部和焊接部，所述连接部和焊接部之间设有缓冲部，连接部竖向设置，焊接部横向设置，连接部的端部横向弯折然后竖向弯折形成缓冲部，缓冲部的端部和焊接部固定连接，缓冲部竖向部分的两侧交错设置有卸荷槽。该实用新型不仅提高了连接部宽度方向的抗受力变形能力，还提高了连接部厚度方向的抗受力变形能力。
不易半导体模块电极

[发明专利]一种预成型焊片及其制备方法与应用-CN202311082704.3在审
发明人：周洋;冯铮;袁雄 -专利权人：合肥阿基米德电子科技有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明提供了一种预成型焊片及其制备方法与应用，属于功率电子器件封装技术领域。本发明提供的预成型焊片由金属支撑网、填充在所述金属支撑网孔隙中的核壳结构纳米颗粒与复合微米线经电磁核壳压制而成，所述金属支撑网由毫米级的金属丝形成，所述核壳结构纳米颗粒包括铜纳米颗粒、包覆在所述铜纳米颗粒表面的第一金属层以及包覆在所述第一金属层表面的有机薄膜，所述复合微米线包括铜微米芯材以及包覆在所述铜微米芯材表面的第二金属层。本发明提供的预成型焊片能够避免芯片在回流时出现的倾斜问题，且利用其焊接后的器件在高温服役条件下具有良好的可靠性。
一种成型及其制备方法应用

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310395190.0在审
发明人：孙琬茹;聂瑞芬;金锐;和峰;刘江;李翠;陈堃;田宝华;郝夏敏 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网湖北省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基板、焊接层、银烧结层以及功率芯片。焊接层设置在基板上，焊接层包括由上至下设置的氰化浸金层、钯镀层以及镍层；银烧结层设置在焊接层上；功率芯片设置在银烧结层上。该半导体器件能够减小器件中各互连金属构件之间的剪切应力，避免芯片脱落及产生裂纹，能够满足现有功率模块高功率密度、稳定可靠的要求。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种高密度扇出型封装结构及其形成方法-CN202310704444.2在审
发明人：戴风伟 -专利权人：上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度扇出型封装结构及其形成方法，高密度扇出型封装结构包括：互连结构；焊盘，其位于互连结构的第一面，并与互连结构电连接；桥接元件，其位于互连结构之间，其中桥接元件的正面具有第一凸点；第二介质层，其包覆焊盘和桥接元件，且焊盘的顶部和桥接元件的第一凸点露出第二介质层；第一凸块下金属，其布置在焊盘的顶部和桥接元件的第一凸点上；以及芯片，其倒装布置在第一凸块下金属上，以电连接焊盘和桥接元件。该结构中取消了铜柱，用焊盘替代，工艺更简单；将桥接元件埋入第二介质层中，无需额外塑封工艺塑封桥接元件，该结构的形成过程中仅需要一次塑封工艺，相比于两次塑封，降低了晶圆翘曲。
一种高密度扇出型封装结构及其形成方法

[实用新型]一种具有开孔焊片的功率模块-CN202223556476.2有效
发明人：李博 -专利权人：嘉兴斯达半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有开孔焊片的功率模块，涉及半导体模块封装技术领域，包括：铜基板，铜基板的上表面设有多个助焊剂涂覆点；焊片，焊片上开设有对应各助焊剂涂覆点的多个通孔，焊片的下表面连接铜基板的上表面；覆铜陶瓷基板，覆铜陶瓷基板的下表面连接焊片的上表面。有益效果是在焊片上开设通孔，在铜基板或覆铜陶瓷基板其中一个焊接物体的焊接表面涂覆助焊剂，使助焊剂通过焊片上的通孔流向另一个焊接物体，只需要涂覆一次助焊剂，减少助焊剂的使用和涂覆次数。
一种具有开孔焊片功率模块

[发明专利]镀银和镀金的导电构件-CN202310141331.6在审
发明人： N·戴德万德 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：在一些实例中，一种半导体封装包括：半导体裸片(100)，其包含具有形成在其中的电路的装置侧；以及导电构件(1102)，其耦合到所述电路且具有多个层。所述导电构件包含：钛钨层(300)，其耦合到所述电路；铜晶种层(400)，其耦合到所述钛钨层；铜层(600)，其耦合到所述铜晶种层；镍钨层(700)，其耦合到所述铜层；以及镀覆层(800)，其耦合到所述镍钨层。所述半导体封装包含：接合线(1200)，其耦合到所述镀覆层；以及导电端子(1204)，其耦合到所述接合线且暴露于所述半导体封装的外部表面。
镀银镀金导电构件

[发明专利]半导体装置-CN201911242072.6有效
发明人：作谷和彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置。不使用接合材料就将芯片部件的2个电极固定于相邻的2根引线。引线(11a)与引线(11b)相邻。引线(11a)具有下沉部(12a)。引线(11b)具有下沉部(12b)。以下沉部(12a)以及下沉部(12b)夹着空间(Sp1)的方式，该下沉部(12a)以及该下沉部(12b)相对。以在收容状态下，下沉部(12a)按压电极(E1)，并且下沉部(12b)按压电极(E2)的方式，构成该下沉部(12a)以及该下沉部(12b)。
半导体装置

[发明专利]用于侧向封装的导电端子-CN202310137591.6在审
发明人： R·J·L·格瓦拉;J·A·M·普洛曼特斯 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于侧向封装的导电端子。一种电子装置包含：半导体裸片(100)，其具有第一侧(101)、用于安装到衬底或电路板的正交第二侧(102)、所述第一侧(101)上的导电端子(111)，所述导电端子(111)具有沿一个方向(X)与所述第二侧(102)间隔开第一距离(121)的中心；及焊料结构(114)，其在所述导电端子(111)上延伸，所述焊料结构(114)具有沿所述方向(X)与所述导电端子(111)的所述中心间隔开非零第二距离(124)的中心。
用于侧向封装导电端子

[实用新型]封装结构、电路结构及用于制造封装结构的框架结构-CN202320549676.0有效
发明人：黄杭;王赵云 -专利权人：长电科技(宿迁)有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本申请公开了封装结构、电路结构及用于制造封装结构的框架结构，其中，封装结构包括：基岛，基岛具有多个电性部分，多个电性部分中，至少有一个为栅极部，至少有一个为源极部；倒装芯片，倒装芯片的第一表面具有多个电极，多个电极中，至少一个为栅电极，至少一个为源电极，倒装芯片的第二表面具有漏电极，倒装芯片的第一表面设置在基岛上，倒装芯片的栅电极与基岛的栅极部相对应，倒装芯片的源电极与基岛的源极部相对应；铜片，铜片具有铜片本体以及管脚，铜片本体与倒装芯片的漏电极连接；塑封体，塑封体包覆基岛、倒装芯片和铜片。本申请铜片与倒装芯片背面的漏电极焊接，不用考虑不同的源极布置，通用性强，有效减少了铜片设计开模等费用。
封装结构电路用于制造框架结构

[实用新型]用于功率模块的连桥件、功率模块和车辆-CN202320552129.8有效
发明人：赵子豪;王晓刚;齐放;李道会 -专利权人：蔚来动力科技（合肥）有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型涉及电力电子设备的技术领域，具体提供一种用于功率模块的连桥件、功率模块和车辆，旨在解决现有碳化硅芯片和连接线接触面积较小，造成碳化硅芯片的高导热性和导电性不能充分发挥出来，进而造成碳化硅模块性能受到影响的问题。为此目的，本实用新型的用于功率模块的连桥件包括板状本体，所述板状本体包括依次交替相连的多个平面区段和拱形区段，所述平面区段与所述功率模块的芯片和/或基板电连接。本实用新型的平面区段和功率模块的芯片和/或基板电连接，能够增加芯片和/或基板的接触面积，因此芯片和/或基板的高导热性和导电性发挥充分，进而可提升模块性能。
用于功率模块连桥件车辆

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