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[发明专利]SOI的制造方法-CN201911028083.4在审
发明人：彦丙智 -专利权人：沈阳硅基科技有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种SOI的制造方法，包括：氧化第一硅片的第一表面，以在第一硅片上形成第一氧化层；将第二硅片与第一氧化层相贴合，并键合第一硅片和第二硅片，以得到键合片；将键合片退火，退火温度为第一温度，退火时长为第一时长；氧化键合片，以在第一氧化层周向上形成第二氧化层；对氧化后的键合片进行倒角，抛光键合片至预设厚度，以得到SOI。本发明速提供的SOI的制造方法，在第一氧化层的四周形成第二氧化层，使得第一硅片和第二硅片之间未键合的部分被第二氧化层填充，进而增加了第一硅片和第二硅片之间的键合力，避免键合片的边缘撕裂或崩裂，减少了废品数量，提升了SOI的成品率；并且抛光面受力更加均匀。
硅片氧化层键合片退火键合时长边缘撕裂第一表面氧化键合崩裂成品率键合力抛光面抛光倒角受力填充贴合预设废品制造

[发明专利]一种用于硅晶圆键合的方法-CN202210204198.X在审
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅晶圆键合的方法，包括以下步骤：将基板和晶圆的键合面进行图形化处理并镀上金属结构；制造治具和透明的容器，该治具的外形与基板和外延片基本一致，可以形成双面对准固定好在治具中；将基板和外延片的金属结构面对准放置于治具中；将放好芯片的治具放置在封闭的容器腔体内；对腔体进行抽真空，使其达到合适的真空度；通过加热加压装置对治具实行加热和加压，使基板与外延片完成键合。本发明中通过设置治具，使其可以形成双面对准固定好在治具中，基板和外延片能否对准并固定键合良率的关键。加热加压装置通过挤压治具，能使压力均匀分布，从而提高晶圆键合的良率和产能。
一种用于硅晶圆键合方法

[发明专利]一种高层数、高良率、高密度扇出封装方法及其结构-CN202310827331.1在审
发明人：张政楷;戴飞虎;王成迁 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，具体涉及一种高层数、高良率、高密度扇出封装方法及其结构。包括：使用玻璃晶圆作为载片；通过旋涂方式在晶圆上涂覆光解临时键合胶并进行固化，随后在固化的临时键合胶上制备金属保护层；背贴聚酰亚胺薄膜；在金属保护层上完成再布线工艺；布线层和钝化层完成后，在对应Pad处倒装多颗芯片，倒装完成后进行底填已确保封装体可靠性；进行芯片倒装、底填，随后使用树脂料进行塑封；去除聚酰亚胺薄膜；使用激光解键合工艺碳化键合胶，去除玻璃晶圆；使用清洗液进一步去除残余的临时键合胶。本发明具有良率高、工艺简单的优势，所制备的多层高密度封装结构可靠性高且集成度优异。
一种层数高良率高密度封装方法及其结构

[发明专利]一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN201810247438.8在审
发明人：吴立枢;孔月婵;郭怀新;戴家赟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石基氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，其步骤包括：1）清洗碳化硅基氮化镓圆片和临时载片；2）临时载片正面涂敷粘合材料；3）碳化硅基氮化镓圆片与临时载片临时键合；4）将碳化硅基氮化镓圆片的碳化硅衬底去除；5）清洗氮化镓外延层；6）将氮化镓外延层直接与金刚石衬底键合；7）用粘合材料去除液分离金刚石基氮化镓与临时载片；8）在金刚石基氮化镓正面制备高电子迁移率晶体管。优点：利用直接键合工艺将氮化镓外延层与金刚石衬底结合在一起，相比常规利用键合材料将氮化镓与金刚石衬底键合在一起来说，未引入其他低热导率材料，可进一步提高金刚石对氮化镓高电子迁移率晶体管的散热效果。
金刚石氮化镓氮化镓高电子迁移率晶体管氮化镓外延层碳化硅基圆片载片制备衬底键合粘合材料清洗高电子迁移率晶体管低热导率材料分离金刚石衬底去除键合材料临时键合散热效果载片正面直接键合去除液碳化硅衬底涂敷引入

[实用新型]金丝键合工装-CN201922389186.5有效
发明人：范志敏 -专利权人：华讯方舟科技有限公司;深圳市华讯方舟微电子科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B23K20/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及金丝键合技术领域，提供一种金丝键合工装，包括具有第一压合面的压板及具有受热面和第二压合面的导热板，所述受热面用于与加热机构贴合且与所述第二压合面相背离设置，所述第一压合面与所述第二压合面相对设置，以将工件紧压于所述压板与所述导热板之间，所述压板设有用于供所述工件外露的键合窗口，工件在压板和导热板的共同压紧作用下与导热板有效贴合，使工件能够均匀受热，保证对工件进行键合时的焊接强度，有效提高工件的合格率
金丝工装

[发明专利]一种提高硅片键合力的方法-CN202011615431.0在审
发明人：刘佳晶;丁正建;王宣欢;于乐;张凯;方小磊 -专利权人：长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种提高硅片键合力的方法，其特征在于，通过等离子化学气相沉积，在其中一片硅片上生长二氧化硅薄膜；将两片硅片在常温常压下进行键合并退火。解决了两片硅片在常温常压下键合强度小的问题，并且改善了硅片本身的使用局限性，拓展了可用的硅片范围，提高了键合硅片的键合强度，保证了产品的成品率和质量。
一种提高硅片合力方法

[发明专利]一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法-CN201310590102.9有效
发明人：张文亮;朱阳军;卢烁今;田晓丽;滕渊 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法，在制作逆阻型绝缘栅型双极晶体管的过程中，采用键合工艺将第一半导体基片和第二半导体基片键合到一起，提高了键合后的半导体基片的机械强度，降低了键合后的半导体基片在制作过程中碎片的概率，进而提高了成品率。
一种逆阻型绝缘双极晶体管制作方法

[实用新型]一种芯片键合结构-CN202223598598.8有效
发明人：刘利峰;赵善麒;王晓宝 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型涉及芯片键合技术领域，特别涉及一种芯片键合结构，包括基板和铝覆铜带，所述基板上设置有铜电路拓扑，所述铜电路拓扑上通过焊料焊接有芯片，所述铝覆铜带与芯片键合并与铜电路拓扑上的铜端子相连；所述铝覆铜带由铜带及铝带复合而成本实用新型采用铝覆铜带进行芯片键合，集成了铝带和铜丝/铜带的双重优点，实现了在常规铝表面金属的芯片上键合，覆铜层又起到了铜丝/铜带的过大电流作用，降低了纯铝带键合的寄生电感，在满足性能要求的前提下，使生产工艺难度大幅降低，成品率获得显著提升。
一种芯片结构

[实用新型]一种晶体键合夹具-CN201720635580.0有效
发明人：李军;田鹏 -专利权人：滕州晨晖电子集团股份有限公司
申请日： 2017-06-03 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体键合夹具，包括底板和顶板，所述底板的上方设置有支撑座，所述支撑座的上方安装有承压板，所述承压板的上表面设置有凸起的键合板，且承压板的上表面位于键合板的两侧设置有导柱，所述键合板的上表面设置有定位套，所述顶板的下方安装有挤压板，所述挤压板的下表面设置有与导柱盈合的导套，且挤压板的下方安装有键合槽。本实用新型采用升降气缸作为顶板与底板的压合的动力源，无需人工手动操控，降低劳动强度，且更加安全，设置有导柱、导套、定位套和插销作为两组定位工具，能够保证顶板与底板压合过程的垂直方向，避免发生偏移，顶板与底板压合时，键合槽罩在键合板的外部，键合效果好，成品率高。
一种晶体夹具

[发明专利]一种可逆键合微流控芯片的方法-CN201910265003.0在审
发明人：李经民;王堃;李扬;徐朋朋;李名扬 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可逆键合微流控芯片的方法，可用于微流控芯片的制造技术领域。该方法设计了一种由微流控芯片、夹具和防滑层组成的器件，其中微流控芯片包括盖片、基片和密封层，可以形成完整封闭的微流控芯片，保证通道进样无漏液，同时实现了PMMA、PC、玻璃、硅片等硬质材料之间的可逆键合相比于传统的热压键合、等离子体键合等方式，该方法无需热压机、紫外臭氧清洗机、等离子键合机等辅助设备，同时避免了键合过程中微结构变形和微通道堵塞等问题、提高了微流控芯片键合的成品率、缩短了芯片生产时间、简化了微流控芯片键合的工艺流程
微流控芯片可逆键合键合夹具等离子体辅助设备技术平台键合过程离子键合热压键合芯片生产硬质材料重复利用紫外臭氧工艺流程成品率传统的防滑层密封层清洗机热压机微结构微流控微通道无漏液硅片盖片进样可用变形玻璃堵塞封闭制造保证

[发明专利]降低键合多结太阳能电池GaAs/InP界面电学损耗的方法-CN201310198480.2有效
发明人：孙利杰;陈开建;张玮 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种降低键合多结太阳能电池GaAs/InP界面电学损耗的方法，其包括步骤1通过外延生长，将作为键合接触层的GaAs层制备在GaAs衬底上，并将作为另一键合接触层的InP层制备在InP衬底上，其中C；步骤2，分别对通过步骤1得到的GaAs和InP晶片的表面进行表面清洗和氧化物去除，使得处理过的GaAs和InP晶片的表面获得粗糙度小于0.5nm的平整表面；步骤3，将GaAs和InP晶片叠合，并在键合温度400~450℃、压力2~12Mpa的条件下键合，其中，在达到键合温度之前，对叠合后的晶片组施加350~450N的预键合压力；步骤4，在真空气氛下对晶片组进行退火处理。通过该方法，能够得到GaAs/InP键合界面电阻率0.26Ω•cm2的良好结果。
降低键合多结太阳能电池 gaas inp 界面电学损耗方法

[发明专利]电压调整器陶瓷管壳、封装结构及其制造方法-CN201911041678.3有效
发明人：冯浪;岑远军;王文渊;方政;齐旭;牛义;刘中伟;刁小芃 -专利权人：成都华微电子科技股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：为达到提高电压调整器输出电压精度的目的，本发明的技术方案中功率输出引脚采用双键合指结构，功率输出引脚背部焊盘连接第一键合指和第二键合指，背部焊盘和第一、第二键合指之间通过多层陶瓷管壳内部两条独立的布线通道相连，第一键合指通过第一绑线与电压调整器中的功率管的漏极输出端键合，第二键合指通过第二绑线和第一反馈采样电阻的采样端键合。与普通陶瓷管壳、封装结构相比，能够有效降低输出大电流路径上的线路损耗，消除陶瓷管壳寄生电阻RC对电压调整器负载调整率的影响，提高电压调整器输出电压精度。
电压调整器陶瓷管壳封装结构及其制造方法

[发明专利]一种混合键合方法-CN201611242099.1有效
发明人：林宏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供了一种混合键合方法，该方法采用了刻蚀工艺去除一定厚度的介质层，再沉积一层有机介质层，并整体去除表面的有机介质层直至暴露出金属图形，进而获得新的键合表面。该有机介质层的键合工艺温度与金属接近，键合强度与SiO₂、Si₃N₄等无机介质接近，不需要复杂的等离子激活技术和苛刻的表面粗糙度要求，且在高温下具有一定可流动性，拥有非常大的键合工艺窗口，有利于降低工艺集成难度，提高产品良率。
有机介质层键合工艺去除表面粗糙度要求产品良率工艺集成混合键合键合表面金属图形可流动性刻蚀工艺无机介质等离子介质层再沉积键合激活金属暴露

[发明专利]一种半导体基片的大面积邦定结构及其制造方法-CN201310050781.0无效
发明人：许玉方 -专利权人：江苏微浪电子科技有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体基片的大面积邦定结构，包括邦定用半导体基片和邦定用支撑基片，其特征在于：邦定用半导体基片、邦定用支撑基片表面上均设置有键合层，邦定用半导体基片和邦定用支撑基片至少一边的键合层上具有规则或无规则分布的微凸块；邦定用半导体基片键合层与邦定用支撑基片键合层通过邦定工艺进行键合。采用本发明的方法，可以大幅提高邦定工艺的成品率，还可以大幅减少划片时金属粘连造成的漏电等问题。
一种半导体大面积结构及其制造方法

[实用新型]一种半导体基片的大面积邦定结构-CN201320072667.3有效
发明人：许玉方 -专利权人：江苏微浪电子科技有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体基片的大面积邦定结构，包括邦定用半导体基片和邦定用支撑基片，邦定用半导体基片、邦定用支撑基片表面上均设置有键合层，邦定用半导体基片和邦定用支撑基片至少一边的键合层上具有规则或无规则分布的微凸块；邦定用半导体基片键合层与邦定用支撑基片键合层通过邦定工艺进行键合。采用本实用新型的方案，可以大幅提高邦定工艺的成品率，还可以大幅减少划片时金属粘连造成的漏电等问题。
一种半导体大面积结构