专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]机双工位机构-CN202122599199.2有效
  • 李健 - 江苏东海半导体股份有限公司
  • 2021-10-27 - 2022-03-11 - H01L21/68
  • 本实用新型是机双工位机构,其结构包括相邻设置在输送半导体分立器件铜框架的铜框架料道上方的2个安装座,安装座上方设机构,安装座内侧设U形缺口,U形缺口两内侧面相对分别设有压料爪,U形缺口两侧安装座顶面分别连接一升降块本实用新型的优点:两侧压料爪可同时下降限位对应位置铜框架,上方机构完成后由外设输送机构向前输送一排芯片距离,继续进行下一排芯片的;实现同时对两位置芯片单侧管脚,即先合一侧管脚,然后向后输送在另一工位另一侧管脚,两侧管脚无需等待,有效提高生产效率,可更换式压料爪可适配不同型号铜框架并方便更换。
  • 键合机双工位键合机构
  • [发明专利]层消失的间接-CN200480028279.9无效
  • N·达瓦尔;B·吉斯兰;C·奥内特;O·雷萨克;I·凯勒富克 - S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
  • 2004-09-30 - 2006-11-08 - H01L21/762
  • 本发明提供一种制备包含支撑衬底(20)上的半导体材料薄层(2”)的结构的方法,所述薄层(2”)是由包含半导体材料上层(2)的施予衬底(10)而获得,所述方法的特征在于其包括:在所述上层(2)上形成层(3),所述层(3)的材料接受上层(2)材料的元素的扩散;清洗所述层(3)以控制其粘附;将施予衬底(10),从先前形成在上层(2)上并清洗过的层(3)的一侧,合到支撑衬底(20);以及将所述元素从上层扩散到层中,以使层及所述上层中所述元素的浓度均匀化,以便构成具有所述层及所述上层的所述结构的薄层(2”)。
  • 键合层消失间接
  • [发明专利]一种金金热压制备高反射膜光学腔的方法-CN201810762925.8有效
  • 徐现刚;王荣堃 - 山东大学
  • 2018-07-12 - 2021-02-19 - G01D21/02
  • 本发明涉及一种利用金金热压技术制备高反射膜光学腔的方法。该方法包括:在硼硅玻璃上表面溅射Ni/Au或Cr/Au薄膜作为硼硅玻璃刻蚀的掩膜并制作金属掩膜图形,刻蚀形成腐蚀坑;在硅片上依次溅射钛薄膜、铂薄膜和金薄膜;将硼硅玻璃上表面和硅片溅射金属薄膜的面贴合,利用热压技术进行本发明溅射的合金在热压过程中既可以在区域起到封闭光学腔的作用,又可以在未区域起到提高反射的作用,有效又简洁的满足了高反射膜的需求。
  • 一种热压制备反射光学方法
  • [实用新型]按键结构和终端设备-CN202020980260.0有效
  • 刘建伟 - 北京小米移动软件有限公司
  • 2020-06-02 - 2020-12-11 - H01H13/04
  • 本发明公开了一种按键结构和终端设备,该按键结构包括:帽;弹性组件,所述弹性组件包括固定端和卡端;其中,所述固定端与所述帽固定连接,所述卡端具有卡部;所述卡部的尺寸从根部到端部依次减小;连接杆,所述连接端具有供所述卡部进入的卡槽;其中,在所述帽被按压时,所述卡部进入所述卡槽的部分向根部方向运动,卡紧所述帽和所述连接杆;按键,所述按键与所述帽位于所述连接杆的相反侧,用于接收帽通过所述连接杆传到的按键操作通过本发明实施例能够有效提高按键结构的组装效率及组装良
  • 按键结构终端设备
  • [发明专利]衬底上薄膜的制备方法-CN201910828397.6有效
  • 欧欣;李忠旭;黄凯;赵晓蒙;李文琴;陈阳;聂峥 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2019-09-03 - 2020-11-24 - H01L21/762
  • 本发明提供了一种衬底上薄膜的制备方法,包括如下步骤:提供包括第一表面和第二表面的薄膜转移衬底;对第一表面进行离子注入并形成注入损伤层;提供包括第三表面和第四表面的支撑衬底;将薄膜转移衬底与支撑衬底合并形成衬底;在水浴、油浴或盐浴中对衬底退火,同时采用超声或兆声功率对所述衬底进行处理,使衬底沿注入损伤层剥离,得到位于支撑衬底上的薄膜。本发明通过采用水浴、油浴或盐浴作为退火介质对衬底进行退火,并在退火时采用超声或兆声功率对衬底进行处理,使衬底在低于预期剥离温度的条件下剥离,减少了离子注入的剂量,优化异质材料合时的热应力分布,降低了生产成本,提高了薄膜质量及成品
  • 衬底薄膜制备方法
  • [发明专利]一种超声辅助阳极方法及其超声辅助阳极系统-CN201911241994.5有效
  • 阴旭;刘翠荣;赵为刚;孟员员;张丽佛;陈霞 - 太原科技大学
  • 2019-12-06 - 2023-04-07 - B81C3/00
  • 本发明公开了一种超声辅助阳极方法及其超声辅助阳极系统。该方法包括:在器件的封装位置上安装中间层,并在中间层的两端分别布置两个电解层,以将器件密封;将直流电源的正极接到中间层上,并将直流电源的负极接到两个电解层上;向压力杆施加预设压力,使超声波焊头抵压在电解层上;启动超声波电源,使超声波焊头作用在电解层上,以使电解层与中间层达到超声连接;关闭超声波电源,并启动直流电源以输出一个预设电压作用于中间层与电解层,使中间层和电解层实现阳极。本发明将两种工艺相结合能够充分加强位置的强度,进而提高封装结构的密封性能和,并且提高的稳定性和可靠性,延长器件的使用寿命。
  • 一种超声辅助阳极方法及其系统
  • [实用新型]一种薄膜体声波谐振器-CN201922333526.2有效
  • 李国强 - 河源市众拓光电科技有限公司
  • 2019-12-23 - 2020-07-28 - H03H9/17
  • 本实用新型公开了一种薄膜体声波谐振器,包括:衬底,衬底上开设有空腔;层,包括设在空腔外的衬底上表面的第一层和第二层,第一层的厚度小于第二层的厚度;底电极层,设在所述第一层的上表面,并完全覆盖空腔,使底电极层与第二层齐平;压电层,设在所述底电极层与第二层的上表面;压电层上开设有通孔,通孔贯穿压电层、底电极层、层与空腔相连通;顶电极层,设在压电层的上表面,顶电极层与底电极层在水平面上的正投影只有在对应空腔的位置相重合本实用新型在压电层上刻有通孔,让空腔内的空气与外界相连通,避免出现鼓包或凹陷的现象,提高薄膜体声波谐振器制备良
  • 一种薄膜声波谐振器
  • [实用新型]一种内外连通的板级封装结构-CN202221291175.9有效
  • 肖智轶;马书英;王姣 - 华天科技(昆山)电子有限公司
  • 2022-05-27 - 2023-04-07 - H01L23/528
  • 本实用新型提供一种内外连通的板级封装结构,包括:临时载板,所述临时载板包括:第一临时载板和第二临时载板,所述第一临时载板通过层与所述第二临时载板封闭连接成一个整体复合结构以能够使得整体复合结构平整,所述层封闭连接第一临时载板和第二临时载板以能够使得所述整体复合结构上形成空腔,所述空腔内部具有真空负压,在所述层上设有排气部形成非闭合层,所述非闭合层使得所述空腔内外气压一致,这样能够实现更大面积整体封装,进一步提高了封装效率,降低封装成本,有效改善了产品会出现翘曲的问题,同时避免了封装结构易臌胀和真空空腔爆腔的技术问题,提高了芯片封装的安全性和产品的良
  • 一种内外连通封装结构
  • [发明专利]一种微流控芯片的简易快捷方法-CN201611063735.4在审
  • 李刚;库晓永;庄贵生 - 重庆大学
  • 2016-11-28 - 2017-03-08 - B01L3/00
  • 本发明公开了一种微流控芯片的简易快捷方法,使用保护膜封盖带有开放式微通道或微腔体结构的基片,形成完整封闭的微流控芯片,所述微流控芯片包括具有可重组装特点的可逆型微流控芯片或具有高强度特点的不可逆型微流控芯片本方法不受微流控芯片基质材料限制,适用于多种材质的微流控芯片制作,也无需超净环境和热压机、高温退火炉、阳极机、等离子清洗机、紫外臭氧清洗剂等辅助设备,同时避免了过程中微结构变形和微通道堵塞等问题,简化了微流控芯片的工艺流程、缩短了芯片生产时间、提高了微流控芯片的成品,有利于促进微流控芯片批量化生产制备和应用普及。
  • 一种微流控芯片简易快捷键方法
  • [发明专利]一种侧向场FBAR结构及其制造方法-CN202010251220.7在审
  • 李国强 - 河源市众拓光电科技有限公司
  • 2020-04-01 - 2020-06-12 - H03H9/02
  • 本发明公开了一种侧向场FBAR结构及其制造方法,结构包括:衬底,层,压电层和电极。具体的,在其中一硅衬底上依次生长电极层和压电层,在压电层上生长层,对另一硅衬底刻腔,生长层,对两晶圆片对准,去除掉生长电极层的硅,再对电极图形化;通过本发明公开的一种侧向场FBAR结构及其制造方法,通过实现薄膜转移,使得压电层和电极层在硅衬底上生长,避免了传统的在化学机械抛光后的不完全平面生长的薄膜质量下降,而另一方面,实体可以相对带腔的提升的良,该FBAR可以制造应用于传感器及滤波器中
  • 一种侧向fbar结构及其制造方法

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