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[实用新型]一种防钝化的高压VDMOS器件-CN202121795854.5有效
发明人：冯羽;王恒亮;张峰 -专利权人： 杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种防钝化的高压VDMOS器件，包括衬底、外延、金属电极和接触孔，金属电极裸露在外，其特征在于，在金属电极外部设有钝化层。本实用新型在晶圆金属电极生成之后，在晶圆表面再覆盖一层钝化保护层，利用钝化层的致密性来屏蔽外界的沾污，起到保护晶圆的作用。
一种钝化高压 vdmos 器件

[实用新型]一种高压VDMOS器件-CN202121795849.4有效
发明人：王恒亮;冯羽;张峰 -专利权人： 杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压VDMOS器件，包括CP测试Ron为2.77Ω的晶圆，晶圆上每片晶圆的芯片数量为2808颗，芯片面积为2316um×2256um。本实用新型基于合理性、成本和经济效益的考虑，在不改变结构分布只改变芯片面积大小的情况下，通过计算对芯片的面积大小进行重新设计，在满足客户使用要求的前提下充分利用晶圆的使用率，降低成本和增加效益。
一种高压 vdmos 器件

[实用新型]一种高压VDMOS-CN202021944835.X有效
发明人：张峰;冯羽 -专利权人： 杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压VDMOS，包括：支撑衬底和键合衬底，所述支撑衬底和键合衬底硅硅键合，键合衬底位于支撑衬底之上，所述支撑衬底电阻率为0.008~0.06ohm.cm，键合衬底的电阻率15ohm.cm。本申请的高压VDMOS使用不同电阻率的衬底材料互相键合制备出硅硅键合片，替代目前的厚膜外延片，取得高质量的满足客户要求的硅衬底片，提高生产效率降低生产成本，得到的高压VDMOS器件的过渡区明显变窄，产品参数的一致性更好。
一种高压 vdmos

[实用新型]一种650V高压VDMOS器件-CN202021003969.1有效
发明人：冯羽;张峰 -专利权人： 杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种650V高压VDMOS器件，包括金属场版，金属场版位于高压VDMOS器件的顶层，所述金属场版的尺寸为2460um*2460um，金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区；所述H非金属区、F非金属区均为等宽非金属区；所述H非金属区、F非金属区均在金属版场的四角上平滑过渡，对应形成过渡部H1、过渡部F1。本申请在解决耐压测试打火问题的同时不改变芯片面积，成本不会增加，同时还大大提升了高压VDMOS的良品率，良品率可以达到95％。
一种 650 高压 vdmos 器件

[发明专利]一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法-CN202010936421.0在审
发明人：张峰;冯羽 -专利权人： 杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，包括：准备支撑衬底和键合衬底；将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化；对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；将所述键合衬底减薄到需要的厚度；对所述键合衬底进行抛光。采用本申请实施例的一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，使用硅硅键合技术，使用不同电阻率的常规CZ硅衬底材料互相键合制备出硅硅键合片，替代目前的厚膜外延片，取得高质量的满足客户要求的硅衬底片，提高生产效率降低生产成本，得到的高压VDMOS器件的过渡区明显变窄，产品参数的一致性更好。
一种采用硅硅键合工艺制作高压 vdmos 方法

[发明专利]一种650V高压VDMOS器件-CN202010499106.6在审
发明人：冯羽;张峰 -专利权人： 杭州华芯微科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种650V高压VDMOS器件，包括金属场版，金属场版位于高压VDMOS器件的顶层，所述金属场版的尺寸为2460um*2460um，金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区；所述H非金属区、F非金属区均为等宽非金属区；所述H非金属区、F非金属区均在金属版场的四角上平滑过渡，对应形成过渡部H1、过渡部F1；所述H非金属区除过过渡部H1的部分与所述金属场版的对应边缘平行设置，呈平直状；所述F非金属区除过过渡部F1的部分呈平直状；所述F非金属区与所述金属场版边缘平行的其中一边向G金属区凸出形成方形突出部。本申请在解决耐压测试打火问题的同时不改变芯片面积，成本不会增加，同时还大大提升了高压VDMOS的良品率，良品率可以达到95％。
一种 650 高压 vdmos 器件