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[发明专利]高分离效率的硅基微气相色谱柱及其制备方法-CN201610507286.1有效
发明人：冯飞;游文斌;许鹏程;李昕欣 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01N30/60 文献下载
摘要：本发明提供一种高分离效率的硅基微气相色谱柱及其制备方法，所述制备方法包括：1）于硅衬底上制作微沟道及微流控端口；2）制作掩膜层保护所述硅衬底上的键合面；3）于所述微沟道内构筑纳米介孔氧化硅；4）将一封装盖板键合于所述硅衬底的键合面上；5）基于所需分离的组分于所述纳米介孔氧化硅表面形成相应的修饰材料。由于纳米介孔氧化硅具有较大的比表面积及孔容，且具有较好的热稳定性及机械强度，本发明将其构筑于硅基微气相色谱柱内，能极大地提高色谱柱的分离效率；纳米介孔氧化硅表面具有高密度的硅羟基（Si‑OH），可根据分离对象的不同在其表面进一步构筑具有不同分离功能的单分子层
分离效率硅基微气相色谱及其制备方法

[发明专利]一种可循环使用的高灵敏硅基表面增强拉曼散射基底及其制备方法-CN202310463019.9在审
发明人：王杰;廖泽坤;赵红卫;陈敏 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种可循环使用的高灵敏硅基表面增强拉曼散射基底及其制备方法。所述高灵敏硅基表面增强拉曼散射基底包括：单晶硅片，以及形成于其表面的由若干三维“伞”状硅基纳米柱单元结构组成的阵列结构；所述三维“伞”状硅基纳米柱单元结构由中间一根“伞轴”粗硅柱子和沿周向倚靠“伞轴”粗硅柱子的若干“伞骨”细硅柱子组成，所述三维“伞”状硅基纳米柱单元结构表面均匀修饰有大量金属颗粒。根据本发明制备的高灵敏硅基表面增强拉曼散射基底吸附表面积大，不仅可以同时吸附更多的金属颗粒和待测分子，还可以提供足够丰富的三维“热点”，从而实现高灵敏度和高复现性的SERS性能，该基底可以经受强力擦拭复用检测
一种循环使用灵敏表面增强散射基底及其制备方法

[发明专利]硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法-CN201810806060.0在审
发明人：李国强;高芳亮;余粤锋;徐珍珠 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体的技术领域，公开了硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱及制备方法。方法为：(1)Si衬底清洗；(2)在Si衬底上制备石墨烯层；(3)采用分子束外延法在Si衬底的石墨烯上于900～1100℃高温生长GaN纳米柱；(4)采用分子束外延法，将步骤(3)的GaN纳米柱在650硅/石墨烯复合衬底上外延生长GaN纳米柱，从下至上依次包括Si衬底、石墨烯层、GaN纳米柱。本发明的GaN纳米柱直径均匀、有序性高，具有低缺陷密度和高晶体质量，能够提高器件的载流子辐射复合效率，氮化物器件的发光效率以及光解水制氢效率。本发明的制备方法简单，生产周期短。
纳米柱衬底石墨烯制备外延生长分子束外延法石墨烯层复合载流子辐射复合效率生产周期氮化物器件光解水制氢衬底清洗发光效率高温生长低缺陷高晶体半导体生长

[发明专利]表面声波感测器-CN200810303020.0无效
发明人：周代栩 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2008-07-24 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G01N29/14 文献下载
摘要：公开一种表面声波感测器，它包括压电基底，设置于压电基底表面的输入叉指电极、输出叉指电极，以及设置于压电基底表面且位于输入叉指电极与输出叉指电极之间的感测装置，所述感测装置包括纳米柱阵列或纳米管阵列，在纳米柱或纳米管表面具有感测材料层纳米柱为硅纳米柱，纳米管为碳纳米管。感测材料层的材料为氧化锌，在感测材料层表面具有若干纳米线。所述纳米线为氧化锌纳米线，其直径比硅纳米柱或碳纳米管的直径小。本发明的感测装置包括纳米柱或纳米管阵列，提高了感测装置的感测表面积，使得本发明的表面声波感测器的感测效果得以提高。
表面声波感测器

[发明专利]一种ZIF-8/硅复合纳米柱阵列电极及其制备方法-CN201610020438.5在审
发明人：李静;于英健;岳闯 -专利权人：厦门大学
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01M4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZIF-8/硅复合纳米柱阵列电极及其制备方法。采用甲醇作为溶剂，二水合乙酸锌作为锌源，2-甲基咪唑作为有机配体，硅纳米柱阵列作为负载载体，通过简易的溶液生长的方式制备了三维ZIF-8/硅复合电极。该复合电极制备方法简单，将沸石咪唑酯骨架ZIF-8良好的锂离子传导率与三维结构的硅纳米柱阵列相结合，可以提高电极的容量，并且制备方法和现有的硅工艺相兼容，此复合结构也有望在其他能源器件(如燃料电池、微机电系统的电源供应
一种 zif 复合纳米阵列电极及其制备方法

[发明专利]基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法-CN201310074218.7无效
发明人：陈松岩;亓东锋;刘翰辉;李成;赖虹凯 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。层；2）将步骤1）制备得到的样品置于氮气氛围中，采用KrF脉冲激光对样品进行辐照，得到直径不同的单层SiGe量子点；3）以步骤2）得到的单层SiGe量子点作为掩膜版，使用高能Ar+进行刻蚀，最终获得锗硅纳米柱
基于 sige 量子模板刻蚀技术制备纳米方法

[发明专利]高锰酸钾/硅钛柱撑蒙脱土纳米复合储氧材料及其制备方法-CN201210229187.3无效
发明人：莫尊理;赵拓;缑浩;何静娴;冯超 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C01B13/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高锰酸钾/硅钛柱撑蒙脱土纳米复合储氧材料，采用高锰酸钾与硅钛柱撑蒙脱土进行插层复合而得。通过排水法收集高锰酸钾/硅钛柱撑蒙脱土纳米复合材料释放氧气的体积和放氧速率，表明同质量的高锰酸钾/硅钛柱撑蒙脱土纳米复合储氧材料的放氧体积和放氧速率均明显小于高锰酸钾，说明该复合储氧材料在具有储氧功能的同时
高锰酸钾硅钛柱撑蒙脱土纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法-CN201310122729.1无效
发明人：贾锐;乔秀梅;丁武昌;陈晨;崔冬萌;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括：单晶硅衬底及形成于该单晶硅衬底上的p型或n型硅纳米柱；在该单晶硅衬底及该p型或n型硅纳米柱上依次形成的钝化膜、与硅纳米柱反型的非晶硅薄膜、石墨烯和TCO膜；在该TCO膜上制作的金属栅电极；以及在该单晶硅衬底背面制作的背电极。
一种石墨径向异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于零维半导体纳米晶制备二次谐波阵列的方法-CN202211076194.4在审
发明人：李辉;吴雨辰;江雷 -专利权人：北京蕴超仿生智能科技发展有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01S3/109 文献下载
摘要：本发明提供一种基于零维半导体纳米晶制备二次谐波阵列的方法，利用硅柱模板的侧壁疏水、顶端亲水的特点，实现对毛细液桥的定向控制，使得制备过程中所述零维半导体纳米晶溶液能定向附着在硅柱模板的硅柱上，而控制传质过程，从而提供一个稳定的环境，使零维半导体纳米晶能稳定结晶、定向生长。本方法提高了光学微阵列结构质量和倍频效应转换效率，操作流程具有简易、快速、普适的特点；本方法在有效降低设备成本的同时，实现简易、普适地制备并获得倍频转换效率远高于零维半导体纳米晶多晶薄膜的零维半导体纳米晶微米线阵列
一种基于半导体纳米制备二次谐波阵列方法

[发明专利]一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法-CN201210125332.3无效
发明人：李静;岳闯;尹君;臧雅姝;何绪;吴孙桃 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法，涉及一种Si纳米结构。将硅片清洗后，利用反应离子刻蚀系统对硅片进行活化处理，获得具有亲水性的硅片表面；在硅衬底上采用旋涂法自组装单层聚苯乙烯纳米球；利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径，得到不同直径的单层聚苯乙烯纳米球；将单层聚苯乙烯纳米球作为掩膜，利用掩模和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀，交替使用SF6和C4F8进行刻蚀和侧壁的保护；用有机试剂去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物，最终得到硅纳米柱阵列。
一种基于纳米刻蚀技术制备阵列方法

[发明专利]一种增强光催化效应的阵列化活性薄膜的制备方法-CN201610679084.5有效
发明人：袁沛文;杨晓辉;姜卫粉;贾敏;张巧丽 -专利权人：袁沛文
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： B01J21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强光催化效应的阵列化活性薄膜的制备方法，将电阻率小于3.0Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜内，然后向高压釜内填充腐蚀液，腐蚀后制得硅柱阵列；将硅柱阵列放入二茂铁的乙醇溶液中浸润，然后置于卧式管式炉内，通过预浸润催化剂原位生长碳纳米管10min，氮气保护下降至室温，得到碳纳米管/硅柱阵列；采用直流反应磁控溅射法在碳纳米管/硅柱阵列上制备出TiO2薄膜。本发明合理利用了衬底的微/纳阵列的模板作用，所制得的二氧化钛薄膜随基底表面微结构的起伏而起伏，结合牢固，同时基底是由阵列化碳纳米管构成，可以使其表面沉积的二氧化钛更大面积地接触到有机溶液，因此催化效率高
一种增强光催化效应阵列活性薄膜制备方法

[发明专利]一种硅基半导体-金属纳米复合材料及其制备方法-CN201810733529.2有效
发明人：徐骏;侯国智;吴仰晴;宋小瑛;刘剑;刘婧婧 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： F24S70/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基半导体‑金属纳米复合材料，自外而内依次包括高温保护层、等离激元吸收层以及有序硅纳米柱阵列陷光层；所述高温保护层为氧化铝；所述等离激元吸收层为金纳米颗粒。本发明根据具有陷光特性的周期性硅纳米阵列结构，将金属溅射在上面可以拓宽硅的光吸收波段，从之前截止的1100nm拓宽到了全光谱，同时周期性纳米结构的光共振耦合吸收类光子晶体，使其吸收增强。
金属纳米复合材料高温保护层硅基半导体等离激元吸收层周期性纳米结构硅纳米柱阵列金纳米颗粒共振耦合光子晶体金属溅射阵列结构光吸收硅纳米全光谱陷光层氧化铝波段陷光吸收制备截止

[发明专利]基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法-CN201910240257.7有效
发明人：金立川;王宇;张岱南;张怀武;钟智勇;文岐业 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：一种基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法，属于太赫兹波应用技术领域。所述太赫兹波调制器自下而上依次为柔性基底、铋纳米柱、石墨烯薄膜，位于铋纳米柱之上的石墨烯薄膜因为铋纳米柱的结构作用发生褶皱，从而打开石墨烯能带，通过铋纳米柱与石墨烯两者的共同作用，在红外光激励下实现了对太赫兹波的光学调制本发明太赫兹波调制器中，采用“PDMS/铋纳米柱/石墨烯薄膜”结构，与现有硅基器件相比，其太赫兹波透射率可达90％(硅基器件太赫兹波透射率约为60％左右)；该结构可打开石墨烯能带，大幅提高光吸收系数；通过铋纳米柱和打开能带的石墨烯共同作用
基于柔性纳米石墨赫兹调制器制备方法

[发明专利]一种基于纳米结构的双面受/陷光单晶硅太阳能电池及其制备方法-CN201711330389.6在审
发明人：于晓明;余璇;陈立桥;冷哲;胡金飞;王亚宁 -专利权人：浙江海洋大学
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种基于纳米结构的双面受/陷光单晶硅太阳能电池及其制备方法，电池上部采用金属栅线/氧化锌纳米柱层/氧化锌薄膜层复合结构电极接受光照，电池下部采用P型聚合物层/银纳米线层/P型保护层复合结构透明导电薄膜接受光照其优点是：通过简单的非真空方法制备P型聚合物层/银纳米线层/P型保护层复合薄膜应用于硅太阳能电池一侧，上述薄膜具有高度透过率的同时因纳米线能够实现光的有效散射，实现光受光/陷光的硅太阳能电池；在硅太阳能电池另外一侧，制备金属栅线/氧化锌纳米柱复合结构电极，也实现光的高度透过同时对光的有效散射，综合利用上述结构的三重光散射，实现基于纳米结构的双面受/陷光单晶硅太阳能电池。
陷光单晶硅太阳能电池制备硅太阳能电池复合结构纳米结构散射氧化锌纳米柱金属栅线银纳米线电极保护层光照电池透明导电薄膜氧化锌薄膜层复合薄膜非真空纳米线透过率受光薄膜应用

[发明专利]一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法-CN202011131482.6在审
发明人：余林蔚;袁荣荣;刘宗光;马海光;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C12Q1/70 文献下载
摘要：本发明公开一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法，包括以下几个步骤：S1：将制得的硅纳米螺旋结构样品放入浓度为0.4%的氢氟酸溶液中，使氧化硅柱快速溶解，得到含有若干笼状螺旋状硅纳米线的混合液；S2：多次过滤、清洗将笼状螺旋状硅纳米线分散在无菌溶液中；S3：加入血管紧张素转化酶II对笼状螺旋状硅纳米线进行功能化修饰；S4：再次清洗后，通过雾化吸入的方式，将含有笼状螺旋状硅纳米线的液体送至肺部，与冠状病毒结合实现俘获；S5：被笼状螺旋状硅纳米线捕获的病毒将以痰液的方式排出，形成高浓度的病毒溶液，实现高效提取。
一种基于纳米螺旋结构精准病毒俘获提取方法