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[发明专利]叠层电池及叠层电池制备方法-CN202111093366.4在审
发明人：吴瑶;王彩霞;墙子跃;高翔;赵晓霞;张天艺;田宏波;王伟;宗军 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层电池及叠层电池制备方法，所述叠层电池包括顶电池和底电池，所述底电池包括底电极、衬底、绝缘体、复合结和多个硅纳米柱，所述底电极包括沿第一方向相对设置的第一表面和第二表面，所述衬底设在所述底电极的所述第一表面上，所述复合结位于衬底在第一方向上远离所述底电极的一侧，且复合结与衬底在所述第一方向上间隔开，所述硅纳米柱的部分在第一方向上位于衬底和复合结之间，多个所述硅纳米柱呈矩阵式布置；所述顶电池包括沿所述第一方向层叠设置的空穴传输层
电池制备方法

[发明专利]三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的制备方法-CN201910586222.9有效
发明人：赵毅;魏娜;陈冰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明公开了三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的制备方法，锗及锗硅垂直沟道晶体管基于积累模式工作，其结构包括三部分：垂直沟道、环绕型栅极和源漏，其中，垂直沟道采用锗纳米柱或垂直环形纳米薄膜，垂直环形纳米薄膜选自锗或锗硅该方法可应用于三维锗或锗硅垂直沟道阻变晶体管的制备，以及三维阻变晶体管NAND型阵列的制备。
三维垂直沟道晶体管制备方法

[发明专利]用于纳米桥弱链接的硅化纳米线-CN201610143130.X有效
发明人：张慎明;P·常;G·M·科恩;M·A·圭罗恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于纳米桥弱链接的硅化纳米线，具体地，硅化纳米线作为约瑟夫森结中的纳米桥。超导硅化纳米线被用作约瑟夫逊结中的弱链接桥，并且采用制造过程以产生硅化纳米线，所述过程包括对来自硅衬底的粗糙纳米线和两个结岸进行图案化，通过氢退火重塑纳米线，以及通过将金属引入到纳米线结构中来硅化所述纳米线
用于纳米链接

[发明专利]表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法-CN201410164442.X无效
发明人：陈弘达;王真真;解意洋;耿照新 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法，其中表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件，包括：一硅衬底，该硅衬底上部分形成硅纳米线阵列结构；多个金属纳米颗粒，该多个金属纳米颗粒不规则地散布在硅纳米线阵列结构的表面；一阴极电极，其制作在硅纳米线阵列结构上；一阳极电极，其制作在硅衬底的下面。本发明通过合理地设计器件结构可以利用硅纳米线的量子限域效应可以实现硅基发光，并且利用金属SPPs的场增强和强局域性可以增强硅纳米线的发光。
表面离激元增强纳米电致发光器件及其制作方法

[发明专利]一种有机硅/黑虎掌菌多糖纳米复合物、制备方法及应用-CN201910930424.0有效
发明人：陈蕾;董会彬;陈彦;蒋云;杨军岭;张文娜;王亚 -专利权人：安徽大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： A61K9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机硅/黑虎掌菌多糖纳米复合物的制备方法，包括如下步骤：制备黑虎掌菌粗多糖；制备黑虎掌菌纯多糖，将黑虎掌菌粗多糖，置于层析柱中分离得到多糖组分，将多糖组分冷冻干燥72h，即得黑虎掌菌纯多糖；将有机硅、所述的黑虎掌菌纯多糖分别溶于水，然后分别溶解得到有机硅溶液和黑虎掌菌纯多糖溶液，再将有机硅溶液与黑虎掌菌纯多糖溶液混合，得到有机硅/黑虎掌菌多糖混合溶液，将有机硅/黑虎掌菌多糖混合溶液超声处理，得到有机硅/黑虎掌菌多糖纳米复合物。本发明有机硅/黑虎掌菌多糖纳米复合物具有更好的清除自由基的效果，改善细胞形态，提高抵抗过氧化氢损伤的能力，无毒副作用，制备方法简单。
一种有机硅黑虎掌菌多糖纳米复合物制备方法应用

[发明专利]一种纳米硅基材料的制备和应用-CN200910231739.2无效
发明人：邵名望 -专利权人：苏州大学
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明目的是提供纳米硅基材料的新用途，即在催化氧化反应中的应用，本发明公开了一种纳米硅基材料的制备和应用，所述纳米硅基材料的尺寸为1～100nm；所述纳米硅基材料的选自：纳米硅材料或纳米硅合金材料中的一种或一种以上的混合物本发明使用氢氟酸对纳米硅基材料进行活化处理，除去纳米硅基材料表面的氧化层，获得了具有催化活性的纳米硅基材料，对氧化反应具有催化活性，可在常温下催化氧化反应。
一种纳米基材制备应用

[实用新型]一种硅基纳米孔阵列-CN202123052886.9有效
发明人：朱琦;周燕;王馨月 -专利权人：苏州行知康众生物科技有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种硅基纳米孔阵列，其包括硅基板、及形成于硅基板上的若干个纳米孔单元，其中，纳米孔单元包括贯穿硅基板的纳米腔、及与纳米腔连通的纳米孔，纳米孔形成在硅基板的表面上，纳米腔呈非线性缩小腔体或线性缩小腔体向纳米孔延伸；纳米孔沿纳米腔延伸方向的厚度为0.3‑0.5nm；硅基板包括若干个板部，每个板部上包括至少一个纳米孔单元，若干板部可拆卸连接。本申请提供的硅基纳米孔阵列中的纳米孔的尺寸比较小，能够实现单碱基DNA测序；且硅基板的板部之间可拆卸地连接，能够根据实际需求，选择合适数量的纳米孔的板部连接形成硅基纳米孔阵列，避免浪费。
一种纳米阵列

[发明专利]硅纳米线-石墨烯复合材料及其制备方法、锂离子电池-CN201210206979.9在审
发明人：周明杰;钟辉;王要兵 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01M4/587 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线-石墨烯复合材料，包括：石墨烯、硅纳米线以及纳米金属颗粒；所述硅纳米线形成在所述石墨烯上，且所述硅纳米线将所述纳米金属颗粒包覆在其中。这种硅纳米线-石墨烯复合材料通过在石墨烯上形成硅纳米线，能够有效地降低在嵌锂和脱锂的过程中硅纳米线的弯曲变形。相对于传统的在嵌锂和脱锂的过程中体积变化较大的硅材料，这种硅纳米线-石墨烯复合材料在嵌锂和脱锂的过程中体积变化较小。本发明还提供一种上述硅纳米线-石墨烯复合材料的制备方法，以及采用该硅纳米线-石墨烯复合材料的锂离子电池。
纳米石墨复合材料及其制备方法锂离子电池

[发明专利]锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜及其制备方法-CN200910024599.1有效
发明人：叶敏华;施毅;濮林;徐子敬;张荣;郑有炓 -专利权人：施毅
申请日： 2009-02-23 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明的锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜主要由硅纳米线阵列和锗纳米点组成，所述锗纳米点分布在硅纳米线阵列的硅纳米线上。其制备方法主要包括：利用P型或N型单晶硅，多晶硅做原始材料，利用刻蚀法制备大面积硅纳米线阵列。然后使用低压化学气相沉积技术，使用锗烷为气源，在大面积硅纳米线阵列衬底上制备锗点。是一种锗纳米点层数多、光效率高的大规模锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜产品，特别有利于进一步生产高效的光电子器件。其生产方法还具有生产设备成本低、生产效率高，产品成本可大幅度降低等优点，易于和现有的硅薄膜器件工艺结合，是生产锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜的一种优选方法。
纳米阵列结构薄膜及其制备方法

[发明专利]在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法及装置-CN200910097932.1有效
发明人：皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅太阳电池表面附着硅纳米颗粒薄膜的方法，使硅纳米颗粒形成硅纳米颗粒束，硅纳米颗粒束扫描并附着在硅太阳电池表面形成均匀的硅纳米颗粒薄膜。本发明还公开了制备上述薄膜的装置，包括原料腔和成膜腔，原料腔带有与成膜腔相通的喷射孔，成膜腔连接真空系统，成膜腔内设有用于承载硅太阳电池的可三维移动的样品台，硅纳米颗粒从原料腔的喷射孔以硅纳米颗粒束形式进入成膜腔后，样品台带动硅太阳电池移动，在硅太阳电池表面形成硅纳米颗粒薄膜。本发明方法可以有效地控制硅纳米颗粒在硅太阳电池表面的成膜速度和所得硅纳米颗粒薄膜的厚度及均匀性，本发明可以提高硅太阳电池的效率，有利于硅太阳电池成本的降低。
太阳电池表面附着纳米颗粒薄膜方法装置

[发明专利]柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法-CN201310638026.4在审
发明人：丁建宁;李坤堂;袁宁一;陆鹏飞;房香;柏丽 -专利权人：常州大学
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池，特指柔性基底硅纳米线异质结太阳电池的制备方法。本发明的目的是充分发挥硅纳米线优异的光吸收特性，利用湿法腐蚀工艺在单晶硅衬底上制备单晶硅纳米线阵列，采用铜导电胶带将硅纳米线转移至铜箔上，再制备纳米线电池。本发明不同于直接利用在单晶硅衬底上的硅纳米线阵列制作电池，而是先将硅纳米线转移至柔性基底上，再制备硅纳米线电池；这样单晶硅衬底就可以重复多次使用，降低了硅材料的消耗，节约了材料成本。
柔性基底纳米线异质结太阳电池制备方法

[发明专利]用于锂离子电池的硅负极材料及其制备方法-CN202011402830.9有效
发明人：陈超;李沛;陈宇;谢解解;李海东;秦益民;陈洪旭;朱红华 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及用于锂离子电池的硅负极材料及其制备方法，该方法是将硅纳米颗粒置于无水甲苯中，并逐滴加入缩水环氧醚三甲氧基硅烷进行反应I，得到环氧化的硅纳米颗粒，将环氧化的硅纳米颗粒置于bPEI的碳酸盐缓冲液中进行反应II得到改性硅纳米颗粒，将改性硅纳米颗粒和引发剂加入到ANI溶液中进行反应III得到硅负极材料，该硅负极材料包括PANI具有纳米孔隙的网络结构及网络节点处的改性硅纳米颗粒；改性硅纳米颗粒由环氧化的硅纳米颗粒及与环氧基通过共价键连接的bPEI组成；改性硅纳米颗粒通过其表面的bPEI上的氨基与PANI共价键连接。由该硅负极材料组装成的电池的充放电循环稳定性和倍充性能优异。
用于锂离子电池负极材料及其制备方法

[发明专利]硅纳米线器件的制作方法-CN201110328162.4有效
发明人：景旭斌;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅纳米线器件的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成硅纳米线；依次沉积无定形碳层和绝缘抗反射涂层；干法刻蚀去除部分硅纳米线上方的绝缘抗反射涂层和无定形碳层暴露硅纳米线器件区；在上述结构表面沉积氧化膜；在硅纳米线器件区内形成连通至硅纳米线的金属焊垫；在上述结构表面沉积钝化层；采用光刻刻蚀工艺，在金属焊垫上形成接触孔，去除硅纳米线器件区外的硅纳米线上方的钝化层、氧化膜和绝缘抗反射涂层，停留在无定形碳层上；采用灰化工艺，去除硅纳米线器件区外的硅纳米线上方的无定形碳层，暴露出硅纳米线。本发明利用无定形碳层的各向同性刻蚀和各向异性刻蚀的特性，消除了硅纳米线器件中器件区以外的硅纳米线的侧墙。
纳米器件制作方法

[发明专利]硅纳米线的制备方法-CN201010618787.X有效
发明人：范春晖;王全 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，包括如下步骤：在单晶体硅衬底上沉积第一二氧化硅层；光刻定义硅纳米线的宽度，刻蚀第一二氧化硅层，以刻蚀剩余的第一二氧化硅层为掩膜刻蚀单晶体硅衬底形成硅纳米线条；沉积第二二氧化硅层和氮化硅层；刻蚀氮化硅层，使刻蚀剩余的氮化硅层形成硅纳米线条的侧墙；刻蚀第二二氧化硅层直至硅纳米线条的底部暴露；去除硅纳米线条的氮化硅侧墙；刻蚀硅纳米线条底部暴露的硅，使得硅纳米线条的底部被镂空形成悬空的硅纳米线；去除硅纳米线四周剩余的第一、第二二氧化硅层。本发明的硅纳米线的制备方法能够在单晶体硅衬底上自顶向下制备硅纳米线，可以降低制造成本，与传统集成电路加工工艺相兼容。
纳米制备方法

[发明专利]一种新型光伏电池-CN202110636124.9在审
发明人：刘文富;李建功;胡靖宇;王银玲;叶苗;陈洪涛;王其华;赵严峰;衡耀付 -专利权人：黄淮学院
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型光伏电池，包括：碳纳米管层，沉积在单晶硅衬底的顶部；二氧化硅隔离层，热氧化生长在碳纳米管层的表面；电极柱，对称焊接在二氧化硅隔离层的左右两端；背电极，包覆在单晶硅衬底的底部。本发明通过碳纳米管的使用，为光伏电池提供了强的背面场和高的导电率，增大了石墨与硅的接触面积，有利于提高光伏电池的效率，能够使光照的反射率大幅度降低，制备工艺简单，制造成本低，适合大范围的推广使用。
一种新型电池

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