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[发明专利]一种纳米孔硅绝热板-CN201510578932.9在审
发明人：王龙 -专利权人：泰州市鑫润天冶金保温材料有限公司
申请日： 2015-09-12 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： F16L59/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米孔硅绝热板，其中，所述绝热板包括铝箔层、玻璃纤维层、第一纳米孔硅绝热板、第二纳米孔硅绝热板、金属网格，所述第一纳米孔硅绝热板和第二纳米孔硅绝热板中间设有金属网格，所述第一纳米孔硅绝热板上表面和第二纳米孔硅绝热板下表面设有玻璃纤维层解决了传统的纳米孔硅绝热板其阻挡热辐射效率低、不能有效减少热量损失，同时绝热效果不明显等问题。
一种纳米绝热

[发明专利]一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器-CN200810020042.6无效
发明人：韦文生 -专利权人：韦文生
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器，本发明的优点在于应用纳米硅/单晶硅异质结构在应力状态下的反向I－V特性，制成了敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管，并应用该纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管而制作一种敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压力传感器。
一种纳米硅异质结压敏二极管硅异质结压力传感器

[发明专利]一种可变柱撑型ZSM-5纳米片分子筛及其制备方法-CN202111394734.9有效
发明人：陈丰秋;郝靓;程党国;詹晓力 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C01B39/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变柱撑型ZSM‑5纳米片分子筛及其制备方法，属于催化剂技术领域。该柱撑型分子筛由有序排列的纳米片层及层间MFI结构柱构成，其中柱撑高度在4‑7nm范围内可调，具体包括如下步骤：1)将无机碱、无机酸、小分子模板剂、硅源、铝源溶解在水中均匀搅拌形成凝胶；2)搅拌条件下老化；3)继续加入长碳链两亲性表面活性剂溶液并均匀搅拌；4)搅拌条件下老化；5)晶化后得到所述柱撑型ZSM‑5纳米片分子筛。本发明制备方法解决现阶段纳米片分子筛柱撑制备中单一柱撑层间距的局限，实现双模板剂法制备可变柱撑层间距纳米片分子筛，且制得的可变柱撑型ZSM‑5纳米片分子筛可作为催化剂用于制备低碳烯烃等催化领域，具有高催化活性
一种可变柱撑型 zsm 纳米分子筛及其制备方法

[发明专利]一种纳米硅基材料的制备方法-CN202310409941.X在审
发明人：张怀胜;方海斌;刘锐 -专利权人：苏州达米昂科技有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B33/023 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅基材料的制备方法，包括：S1、以胶束为模板加入正硅酸四甲酯，通过离心和焙烧后处理，得到介孔中空的纳米硅球；S2、将中空纳米硅球送入模具中压制成成型物，之后进行加热焙烧，压制的中空纳米硅球成型物为椭圆型纳米硅球；S3、采用导电材料前驱体对椭圆型纳米硅球进行包覆，得到具有导电材料层的纳米硅球。通过在搅拌下依次加入十六烷基三甲基溴化铵、超纯水、无水乙醇和氨水，缓慢加入聚苯乙烯纳米微球粉末，以胶束为模板加入正硅酸四甲酯，往模板上沉积二氧化硅，通过离心和焙烧后处理，得到介孔中空的纳米硅球，进而使硅的机械应变能力强，开裂程度降低，中空纳米硅球可以缓冲硅的体积膨胀，有效避免了硅颗粒的破裂。
一种纳米基材制备方法

[发明专利]基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构-CN201510695617.4有效
发明人：张加宏;杨敏;葛益娴;赵阳 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，包括：壳体、传感器芯片，所述传感器芯片包括：硅纳米线巨压阻敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层；所述硅纳米线巨压阻敏感结构包括多根硅纳米线、受力应变薄膜层、多块电极，所述多根硅纳米线包括四对平行设置的两根硅纳米线，所述四对平行设置的两根硅纳米线分别连接在四块电极与受力应变薄膜层之间；所述硅纳米线在绝缘二氧化硅层对应位置处设置有通槽。本发明提供的基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，通过外部环境气压引起传感器芯片形成机械应力改变硅纳米线导电沟道的空穴浓度巨减，甚至夹断来实现巨压阻效应。
硅纳米线传感器芯片压力传感器封装结构压阻特性二氧化硅层应变薄膜层敏感结构平行设置电极绝缘受力压阻外部环境气压空穴导电沟道机械应力压阻效应位置处顶层多块夹断壳体通槽

[发明专利]一种氟化锂改性纳米硅锂离子电池负极材料及其制备方法和应用-CN202210814391.5在审
发明人：周建华;苗蕾;党锋;刘文平;秦海青;吴强;王鹏飞 -专利权人：桂林电子科技大学;山东大学;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化锂改性纳米硅锂离子电池负极材料及其制备方法和应用，利用氟化锂溶液浸泡纳米硅，经过刻蚀，实现对纳米硅提前嵌锂，并在纳米硅表面形成一层氟化锂包覆层，减缓纳米硅在充放电过程中因体积膨胀导致的SEI膜破碎重组及其对锂源的消耗，提高锂离子电池硅基负极的循环稳定性，再通过凝胶包覆碳化，实现在纳米硅外层包覆一层碳层来缓解纳米硅在充放电过程的体积膨胀，提高硅基负极材料的使用寿命。
一种氟化改性纳米锂离子电池负极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种在硅纳米线阵列上形成Ag颗粒的方法-CN201910413412.0有效
发明人：张志东;张彦军;张斌珍 -专利权人：中北大学
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种在硅纳米线阵列上形成Ag颗粒的方法，包括如下步骤：步骤一、制备硅纳米线阵列，然后将制备好的硅纳米线阵列放置在培养皿中；步骤二、将放置有硅纳米线阵列基板的培养皿移至振荡台，设定振动参数；步骤三、将硝酸盐溶液均匀滴加在硅纳米线阵列基板上；步骤四、持续将氨水均匀滴加在硅纳米线阵列基板上；步骤五、将乙醛均匀滴加在硅纳米线阵列基板上；步骤六、使用清洗液清洗硅纳米线阵列基板，该在硅纳米线阵列上形成Ag
一种纳米阵列形成 ag 颗粒方法

[发明专利]一种工业硅硅灰制备高纯纳米硅颗粒的方法-CN201710504429.8有效
发明人：魏奎先;田春瑾;马文会;李绍元;谢克强;伍继君;于洁;雷云;吕国强 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种工业硅硅灰制备高纯纳米硅颗粒的方法，属于资源综合利用和纳米硅颗粒制备技术领域。首先将捕集到的工业硅硅灰进行表面清洗，去除硅灰表面附着物后干燥；然后高能球磨获得粒度为1000nm纳米硅颗粒；将粒度为1000nm纳米硅颗粒湿法处理2～12h，湿法处理完成后清洗、干燥；将纳米硅颗粒超细磨10～60h得到100nm纳米硅颗粒；将得到的100nm纳米硅颗粒二次湿法处理h，最终经清洗、干燥后得到高纯纳米硅颗粒。本发明为工业硅破碎过程中产生硅灰的高附加值利用提供了有效的途径。
一种工业硅硅灰制备高纯纳米颗粒方法

[发明专利]一种硅碳负极材料及其制备方法-CN201910504963.8有效
发明人：杜香龙 -专利权人：桑顿新能源科技有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅碳负极材料及其制备方法。本发明的硅碳负极材料包括：共价有机框架材料，共价有机框架材料具有孔道；硅纳米材料，硅纳米材料分散于孔道内；碳纳米材料，碳纳米材料分散于共价有机框架材料和硅纳米材料。本发明公开的硅碳负极材料的制备方法，包括：步骤S1：将共价有机框架材料和硅纳米材料混合后，得到混合物；步骤S2：将混合物加入碳纳米材料的浆料中，搅拌20～50min后过滤，将滤出物在60～100℃干燥1本发明的硅碳负极材料将硅纳米材料限制于孔道内，抑制了硅的膨胀，解决了负极片因硅的膨胀率大导致的粉化严重和循环寿命低等问题。
一种负极材料及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯/硅纳米片/碳纳米管复合材料的制备方法-CN201910319834.1有效
发明人：杜春雨;任阳;尹旭才;周晓明;韩国康;尹鸽平;左朋建;高云智;霍华;程新群;马玉林 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/硅纳米片/碳纳米管复合材料的制备方法，所述复合材料由石墨烯层、硅纳米片和碳纳米管层构成，其制备方法如下：制备硅纳米片溶液；制备碳纳米管溶液；制备碳纳米管附着硅纳米片材料；制备氧化石墨溶液；制备氧化石墨/硅纳米片/碳纳米管复合材料；干燥后氢氩气氛下热处理还原得到石墨烯/硅纳米片/碳纳米管复合材料。本发明方法简单易行、可控性强、重复率高，并且本发明制备的石墨烯/硅纳米片/碳纳米管复合材料具有比容量高、倍率性能优异、循环稳定性好等优点，在锂离子电池负极材料的领域有广阔的应用前景。
一种石墨纳米复合材料制备方法

[发明专利]导电纳米硅及其制备方法和锂离子电池-CN202310172404.8在审
发明人：江宏富;张建立;王德云;田新;赵佳旗;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了导电纳米硅及其制备方法和锂离子电池。制备导电纳米硅的方法包括：向硅原料中加入硼和\或磷，得到硅基合金；将硅基合金进行破碎、制粉处理，得到硅基合金粉末；在硅基合金粉末和分散剂逐渐的加入到分散罐中的分散液中，之后将分散罐密封，且分散罐中为保护气体，搅拌得到硅浆料；将硅浆料进行研磨处理，得到超细纳米硅浆料；对超细纳米硅浆料进行干燥处理，得到导电纳米硅。含微量硼和\或磷等元素的纳米硅具有高导电性，解决硅粒子界面电阻较大和锂离子在硅粒子的内部迁移困难问题；缓解锂离子电池发热升温现象，降低安全隐患，提升电池使用寿命；解决纳米硅浆料在应用中出现的比较严重的团聚问题
导电纳米及其制备方法锂离子电池

[发明专利]用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法以及使用所述硅纳米线和/或纳米带的锂电池和阳极-CN201480055273.4在审
发明人： X·孙;Y·胡;X·L·李;R·李;Q·杨 -专利权人： SPI公司
申请日： 2014-10-03 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C30B29/60 文献下载
摘要：本发明提供用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法。本发明方法是采用蚀刻剂的化学蚀刻工艺，所述蚀刻剂相对于硅相优先从多相硅合金蚀刻并去除其它相，且允许获得残余的硅纳米线和/或纳米带。在蚀刻前，所述硅合金在所述多相硅合金的微结构中包含或经处理以包含一维和/或二维硅纳米结构。当被用作二次锂电池的阳极时，通过本发明方法生的硅纳米线或纳米带展现高储存容量。
用于大量生产纳米方法以及使用锂电池阳极

[发明专利]高效全光谱硅基双结光伏电池-CN201110132377.9有效
发明人：王鹤;杨宏;帅争峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效全光谱硅基双结光伏电池。该电池由上至下的顺序依次为：正面银电极，正面TCO导电薄膜，正面p型纳米硅层，i型纳米硅层，正面n型纳米硅层，p型纳米硅层，正面纳米硅缓冲层，n型单晶硅，背面纳米硅缓冲层，背面n型纳米硅层，背面TCO导电薄膜该结构的电池，底电池具有HIT光伏电池的部分优点，顶电池具有纳米硅薄膜光伏电池的特征。采用本结构的光伏电池结特性好，开路电压高，同时对称性电池结构，可以使用来自地面的反射光，能获得高的光电转化效率。
高效光谱硅基双结光伏电池

[实用新型]串联型薄膜太阳能电池组件-CN201220384053.4有效
发明人：王庆东 -专利权人：深圳蔚光能电子科技有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种串联型薄膜太阳能电池组件，包括基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方。其中，穿隧缓冲层与P型纳米晶硅层接合。本实用新型的太阳能电池组件有效降低了串联式薄膜太阳能电池内部的漏电效应，提高光电转换效率。
串联薄膜太阳能电池组件

[发明专利]一种太阳级超高纯纳米硅粉的宏量制备方法-CN201510226200.3有效
发明人：苏晓东;查嘉伟 -专利权人：苏州旦能光伏科技有限公司
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳级超高纯纳米硅粉的宏量制备方法，包括以下步骤利用太阳级硅锭金刚石线切割成硅片过程中产生的片状硅粉作为原材料，并进行预处理；将预处理后的硅粉放入含有金属离子、氧化剂和化学切割剂的第一化学溶液中，通过化学切割生成纳米硅粉；分别用第一清洗液、第二清洗液、去离子水清洗纳米硅粉，去除纳米硅粉形成的金属颗粒；将纳米硅粉放入第二化学溶液中，通过微化学刻蚀形成圆球状纳米硅粉；将圆球形纳米硅粉先后进行去离子水清洗、高速离心机脱水、N2保护气氛烘干，即可得到太阳级超高纯纳米硅粉。本发明采用化学切割和微刻蚀技术制备超高纯、尺寸可控的纳米硅粉，大幅提升了太阳级废硅粉的回收利用附加值。
一种太阳高纯纳米宏量制备方法