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[发明专利]一种超晶格甚长波红外探测器结构-CN202010529281.5有效
发明人：施毅;岳壮豪;牛智川;王国伟;徐应强;蒋洞微;常发冉;李勇;王军转;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于锑化物超晶格的甚长波红外探测器结构，包括从下到上的以下结构：衬底，缓冲层，甚长波波段吸收层，中长波波段势垒层，甚长波波段欧姆接触层，顶盖层；缓冲层外延于所述衬底之上；本发明拥有良好载流子输运性能的锑化物超晶格甚长波红外探测器。本发明引入了同型结和分段掺杂，同时对各个区域超晶格结构，掺杂浓度和厚度进行了调控以得到高综合探测率的红外探测器结构。
一种晶格长波红外探测器结构

[发明专利]一种微纳尺度机械互锁结构及制备方法-CN202310575260.0在审
发明人：余林蔚;张颖;刘宗光;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳尺度机械互锁结构，包括至少一根设置于衬底上的具有预设深度的微纳米立柱，及至少带有一个钩状结构的微纳米硅线，所述微纳米硅线的钩状结构与微纳米立柱的形状、数量匹配，且与所述微纳米立柱嵌套互锁。本发明的互锁微纳米线结构由传统硅材料制成，制备过程简单且可与成熟的硅工艺兼容，且获得的互锁结构使得微纳米线结构可承受大的外力而不发生脱落。
一种尺度机械互锁结构制备方法

[发明专利]一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线制备方法-CN202111227324.5有效
发明人：余林蔚;钱文涛;梁逸飞;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种防串扰自限制的超细密排晶硅纳米线制备方法，包括如下步骤：1）采用旋涂的方法在衬底上旋涂一层电刻胶；2）利用电子束直写对预设形状的无掩膜图案进行曝光，电刻胶变性成为二氧化硅，曝光后形成由宽激活生长区域沟道和窄密排沟道构成的闭合沟道；3）以步骤2）所形成的闭合沟道为衬底，再次利用光刻电子束直写或者掩膜板技术在所述宽激活生长区域定义横向于沟道的图案并进行显影，以定义催化剂区域；4）在定义的催化剂区域淀积一层带状的催化金属层。本发明通过激活生长逐渐转变为限制引导，能够实现100%长线率，同时更为严格地控制纳米线的直径及生长路径并具有更高地晶格质量。
一种防串扰限制细密排晶硅纳米制备方法

[发明专利]半导体结构制备方法-CN202011003762.9有效
发明人：余林蔚;孙莹;王军转;刘俊彦;陈英杰;刘至哲;吴欣凯;刘云飞 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体结构制备方法，涉及微电子技术领域，可以在较低温度的工艺环境下形成P型重掺杂的纳米线或者N型掺杂的纳米线，成本较低。该半导体结构制备方法包括：形成基材层，并在基材层的表面上形成至少一个沟槽；在沟槽中形成催化金属；在基材层的表面上包括沟槽的位置沉积掺杂的非晶前驱体，掺杂的非晶前驱体接触催化金属；对形成有催化金属和掺杂的非晶前驱体的基材层进行退火处理，使催化金属沿着对应的沟槽移动并吸收掺杂的非晶前驱体、沿途形成掺杂的纳米线。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种全环绕沟道场效应晶体管、制备方法及应用-CN202110538267.6有效
发明人：余林蔚;宋晓攀;刘宗光;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种全环绕沟道场效应晶体管，包括衬底，所述衬底表面设置有悬空高导电性微米或纳米线状材料作为栅，所述栅的外层依次设有介质层和气体敏感层；所述栅的一端和外层气体敏感层两端分别沉积金属电极用于连接外部测试电路。本发明适用范围广，可定位可集成的CAA背栅场效应晶体管并用于气体传感器领域，改善气体传感器的气敏性能。
一种环绕沟道场效应晶体管制备方法应用

[发明专利]平面超晶格纳米线场效应晶体管及其制备方法-CN202110404186.7有效
发明人：余林蔚;刘帅帅;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种平面超晶格纳米线场效应晶体管及其制备方法，本发明是通过分区淀积叠层非晶锗硅前驱体生长出可精确定位的分区超晶格纳米线，通过光刻或者EBL的方法在超晶格区域的纳米线两侧做源漏电极，接着根据需要选择性刻蚀纳米线超晶格结构区域的晶体锗或者晶硅，在源漏电极之间留下纳米片状的晶体硅或者晶体锗作为导电沟道；然后淀积一层栅介质，最后通过光刻或EBL的方法在源漏电极之间做栅电极即完成制备Fin‑FET。
平面晶格纳米场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种偏转可控的纳米线微振镜及其驱动、制备方法-CN202111454282.9有效
发明人：余林蔚;严江;张颖;刘宗光;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种偏转可控的纳米线微振镜，包括一对导电电极、悬空于两导电电极之间的弛豫型导电纳米线以及固定在弛豫型纳米线中间的反射镜片。所述的弛豫型导电纳米线形貌包括但不限于三角形、U形、圆形以及多边形。本发明的纳米线微振镜的支撑结构由传统硅材料制成，具有优异的力学性能，可在撤销偏转力后恢复到原始形状，实现稳定应用。
一种偏转可控纳米线微振镜及其驱动制备方法

[发明专利]一种纳米锥光谱分析器件及光谱分析方法-CN202110451210.2有效
发明人： 王军转;孙浚凯;施毅 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01J3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米锥光谱分析器件，包括衬底、平放于衬底上的纳米锥台及分布于所述纳米锥台上的一组电极；所述纳米锥台的顶半径记做r1，为入射光入射端口半径；所述纳米锥台的底半径记做r2，为纳米锥台的底端半径，所述纳米锥台的长度记做L；所述顶半径长度r1及底半径长度r2的数值均为数百纳米以内，长度L为数微米长，所述顶半径长度r1至多为底半径长度r2的二分之一。本发明由于其自身结构就能够将不同波长的光约束在不同位置，具备了分光能力，且硅纳米线自身也具有良好的光吸收能力，展示了纳米线自身腔模式色彩分辨能力以及线上集成宽光谱探测的潜力。
一种纳米光谱分析器件方法

[发明专利]通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管及调试方法-CN202211067410.9在审
发明人：余林蔚;钱文涛;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管，包括衬底和设置于所述衬底上的多台阶沟道内分布有掺杂纳米线阵列，位于所述掺杂纳米线阵列两端且垂直于所述掺杂纳米线方向分别沉淀有漏极接触金属和源极接触金属，所述衬底两端的漏极接触金属与源极接触金属之间的上方沉积有栅介质层及栅极薄膜层。采用非对称的源漏极金属和掺杂纳米线沟道进行接触，能够获得非对称的肖特基势垒，通过漏极电压的预偏置效果可以初始调节漏极金属和掺杂纳米线沟道之间的肖特基势垒，改变漏极电压的正负加上栅极调控，即可改变晶体管的极性，获得无需改变载流子类型的可重构晶体管。
通过漏电操作对称电极可重构晶体管调试方法

[发明专利]半导体结构制备方法、半导体器件和电子装置-CN202011003769.0有效
发明人：余林蔚;胡瑞金;王军转;刘俊彦;陈英杰;刘至哲;吴欣凯;刘云飞 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体结构制备方法、半导体器件和电子装置，涉及微电子技术领域，提高了制备的多条层叠纳米线时的均匀度，从而提高了应用该纳米线的半导体器件的性能。半导体结构制备方法，包括：形成基材层，并在基材层的第一表面上设置依次排列的多个第一沟槽，每个第一沟槽的宽度为A1，15nm≤A1≤30nm，任意相邻的两个第一沟槽之间的距离为A2，20nm≤A2≤60nm；在每个第一沟槽中形成催化金属；在第一表面上包括第一沟槽的位置沉积非晶前驱体；对形成有催化金属和非晶前驱体的基材层进行退火处理，使催化金属沿着对应的第一沟槽移动并吸收非晶前驱体、沿途形成第一纳米线。
半导体结构制备方法半导体器件电子装置

[发明专利]集成于纳米线的片上光谱仪及其探测器阵列的制备方法-CN201911028756.6有效
发明人：王肖沐;王军转;李泠霏;郑斌杰 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明提出一种集成于单根半导体纳米线的片上光谱仪，涉及到器件设计、器件制备方法和光谱仪工作原理等几个方面。基于半导体纳米线材料和电极金属的物性特点，合理设计集成于单根半导体纳米线的肖特基结型探测器阵列，待探测光通过设计的耦合器耦合进具有高反射率的半导体纳米线波导里面，肖特基二极管的高灵敏度以及波导增强的光和物质作用共同决定了器件具有高的光电探测率，可以探测弱光信号，从而实现芯片集成的微型光谱仪；本发明公开的这种宽光谱高探测率的片上光谱仪,能够检测微型结构、材料拉曼以及荧光，在生物医学、物联网涉及微型光谱检测领域有着重要的应用前景。
集成纳米光谱仪及其探测器阵列制备方法

[发明专利]一种制备三维超可拉伸晶态纳米线的方法-CN201911071316.9有效
发明人：余林蔚;孙莹;董泰阁;王军转 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制备三维超可拉伸晶态纳米线的方法，1)利用PECVD或者PVD在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层，2)利用光刻、电子束直写定义周期台阶边缘图案，利用干法或湿法交替刻蚀工艺刻蚀介质层形成垂直台阶侧壁；3)用腐蚀性液体处理台阶表面，形成波浪形台阶；4)再次光刻电子束直写或者掩膜板技术定义垂直于台阶的图案以及刻蚀技术进行制备垂直于台阶的二次引导沟道；5)通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层带状的催化金属层；6)催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；7)将温度降低到催化金属颗粒熔点以下，将整个结构表面淀积覆盖非晶半导体前驱体薄膜层；淀积出晶态的纳米线；纳米线将沿波浪台阶的引导沟道生长。
一种制备三维拉伸晶态纳米方法

[发明专利]基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器及制备方法-CN202210264075.5在审
发明人：王肖沐;刘媛;王军转;施毅 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于背照式CMOS工艺的石墨烯红外探测器制备方法，包括：1)利用背照式CMOS工艺形成Si衬底；2)获得单层或多层石墨烯；3)将所述单层石墨烯转移到步骤1)的Si衬底上。本发明的石墨烯红外探测器的背照式CMOS制备工艺使电气组件与光线分离，避免了金属布线层对光的吸收、反射，从而获得更高的量子效率，实现更高质量的成像。采用石墨烯作为吸光的材料，因其极高的载流子迁移率及对红外波段的宽谱吸收，使得本发明所述石墨烯红外光探测器具有极快的响应速度和全波段的响应带宽。
基于背照式 cmos 工艺石墨红外探测器制备方法

[发明专利]一种电子器件及其制作方法、电子设备-CN202011376950.6在审
发明人：余林蔚;张廷;刘宗光;王军转;刘俊彦;陈英杰;刘至哲;吴欣凯;刘云飞 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域。用于在平面内生长纳米线。该电子器件可以包括衬底以及至少一条纳米线。其中，衬底上具有至少一条沟槽。纳米线嵌入沟槽内。该沟槽具有至少一个槽壁，一条纳米线沿沟槽的一个槽壁延伸，且与沟槽的槽底相接触。沟槽的槽壁具有导向作用，使得纳米线可以沿槽壁的延伸方向，在沟槽的槽底所在的平面内生长，有利于电子器件的大规模制作。上述沟槽的槽底所在的平面可以与电路板用于承载电子器件的表面平行。因此当纳米线在沟槽的槽底所在的平面内生长时，有利于电子器件在电路板上的大规模集成。
一种电子器件及其制作方法电子设备

[发明专利]基于二维材料薄膜等离激元增强高灵敏红外探测器-CN202210128778.5在审
发明人：王肖沐;王军转;刘媛;苏欣;黄天烨;施毅 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料薄膜等离激元增强高灵敏红外探测器，利用成熟的现代微加工技术进行器件制备。主要将其感光单元设为光吸收层、介质层和导电层的夹层结构，这种垂直的夹层构架探测过程中具有暗电流小、探测率高、响应速度快以及集成度提高的特点；尤其是光吸收层采用石墨烯薄膜或魔角石墨烯薄膜材料制成平行纳米条带阵列，魔角石墨烯薄膜提供了电中性点近零色散的平带，大大提高了材料吸收效率，纳米条带的等离激元效应能进一步提高共振吸收以及波段选择性，有效增强在3～18μm波段的吸收；通过本发明实现的红外探测器满足检测细胞、分子、原子以及材料吸收和荧光分析，将会广泛应用于生物医学、环境卫生、智能器件等领域。
基于二维材料薄膜离激元增强灵敏红外探测器

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