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[发明专利]石墨烯包覆纳米硅及制备方法、硅碳负极材料及制备方法-CN202010707824.8在审
发明人：李能;王志勇;皮涛 -专利权人：湖南中科星城石墨有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请涉及材料领域，具体而言，涉及一种石墨烯包覆纳米硅及制备方法、硅碳负极材料及制备方法。气相反应设备具有高温区和低温区；石墨烯包覆纳米硅的方法包括：通过载气携带硅材料在高温区反应制备纳米硅，载气携带纳米硅至低温区，在低温区通入反应气，反应气在纳米硅表面形成石墨烯层；在该过程中，纳米硅几乎不会团聚，避免硅晶粒尺寸较大，且纳米硅还具有较高的活性，可在低温区进行原位包覆，石墨烯均匀地负载于纳米硅表面得到石墨烯包覆纳米硅，避免过多的纳米硅裸露于外表，从而改善充放电过程中消耗电解液导致的循环跳水问题。上述方法得到的石墨烯包覆纳米硅还能够有效抑制纳米硅体积膨胀。
石墨烯包覆纳米制备方法负极材料

[发明专利]一种硅碳复合负极材料、制备方法以及负极和锂离子电池-CN202010223836.3在审
发明人：石佳光;袁芳伟;刘朗;李硕;胡保平;范协诚 -专利权人：新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开一种硅碳复合负极材料，包括：氧化亚硅，还有附着在氧化亚硅表面的纳米硅，在附着有所述纳米硅的氧化亚硅表面包覆着纳米碳层。本发明还公开一种硅碳复合负极材料的制备方法，包括：制备纳米硅：取硅原料，制备纳米硅；纳米硅附着氧化亚硅：取氧化亚硅粉原料，将所述纳米硅附着在氧化亚硅粉原料颗粒表面；包覆：将纳米碳包覆在附着有所述纳米硅的氧化亚硅粉原料颗粒的表面形成纳米碳层，得到硅碳复合材料。本发明还公开一种包含上述硅碳复合负极材料的锂离子电池负极和锂离子电池。本发明具有比容量高、库伦效率高、体积效应低、循环性能好等优点。
一种复合负极材料制备方法以及锂离子电池

[发明专利]柔性衬底硅基薄膜太阳电池-CN200810052621.9有效
发明人：张晓丹;赵颖;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。
柔性衬底薄膜太阳电池

[发明专利]耐热水泥柱及其制备方法-CN201510527958.0在审
发明人：朱琪 -专利权人：安徽芜湖飞琪水泥制品有限公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C04B28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐热水泥柱，该耐热水泥柱含有水泥、石子、沙子、粉煤灰、植物纤维、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯醚、纳米三氧化二铁、有机硅、水和减水剂；本发明还公开了一种耐热水泥柱的制备方法，该制备方法包括：(1)将水泥、石子、沙子、粉煤灰、植物纤维、聚醚醚酮、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯醚、纳米三氧化二铁、有机硅、水和减水剂混合制得混凝土；(2)将所述混凝土浇筑至钢筋骨架中，然后养护制得耐热水泥柱；其中，所述有机硅为甲基硅油、甲基三氯硅烷和硅橡胶中的一种或多种。通过该方法制备的耐热水泥柱有较高的抗压强度和劈裂抗拉强度，同时具有极为优异的耐热性能。
耐热水泥及其制备方法

[发明专利]具有可调电阻的硅基纳米级电阻器件-CN200980139738.3无效
发明人：卢伟;赵成现;金局奂 -专利权人：密执安大学评议会
申请日： 2009-10-08 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种非易失性固态电阻器件，所述非易失性固态电阻器件包括第一电极、p型硅第二电极、和电连接在所述电极之间的非结晶硅纳米结构。所述纳米结构具有响应于通过所述电极施加到所述纳米结构的电压可调的电阻。所述纳米结构可以被形成为被嵌入位于所述电极之间的绝缘层中的纳米柱。第一电极可以是银或其它导电金属电极。第三（金属）电极可以在邻近纳米结构的位置处连接到p型多晶硅第二电极以允许所述两个金属电极连接到其它电路。
具有可调电阻纳米器件

[发明专利]基于超表面的椭圆艾里涡旋光束产生器及其光束产生方法-CN202210221912.6有效
发明人：徐弼军;薛晓菊;吴白瑞;职佳浩;陈丹丹;陈远路 -专利权人：浙江科技学院
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于超表面的椭圆艾里涡旋光束产生器及其光束产生方法，其中产生器二氧化硅衬底，衬底上设置有多个纳米柱，纳米柱呈矩阵式分布，所述的纳米柱的长度为Wx，所述的纳米柱的宽度为Wy，纳米柱的旋转角度为α；光束产生方法包括将光束产生器在圆偏振光的垂直入射下，生成椭圆艾里涡旋光束，通过控制纳米柱的几何尺寸和旋转角度来改变透射光场的极化转换率和透射率本发明在二氧化硅衬底上排布多个单晶硅制成的纳米柱，构建出超表面器件，相对于传统的空间光调制器而言，该装置在可以产生符合预期的复杂光束的前提下，结构简单，更加轻量化和小型化，给实际应用中产生复杂光束带来方便
基于表面椭圆涡旋光束产生器及其产生方法

[发明专利]一种硅碳负极材料及其制备方法-CN202010639946.8在审
发明人：胡亮;张少波;李晓马;张志权;俞有康 -专利权人：马鞍山科达普锐能源科技有限公司;安徽科达铂锐能源科技有限公司;安徽科达新材料有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种硅碳负极材料及其制备方法，所述硅碳负极材料包含纳米硅、纳米硅表面的氧化层和碳；所述纳米硅表面的氧含量与纳米硅的质量比重为(10～30)：100；纳米硅的原料为硅源气体，硅源气体在惰性气氛中分解形成的固态硅，该固态硅为纳米硅的团聚体，再将此团聚体经湿法研磨，一方面是为了将纳米硅的团聚体打散，均匀分散在浆液中，同时也会将纳米硅的粒度和晶粒尺寸进一步降低，另一方面是通过湿法研磨在纳米硅表面形成氧化层，降低纳米硅的表面活性，能明显提升硅碳负极材料的循环性能。
一种负极材料及其制备方法

[发明专利]提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法-CN200910069034.5有效
发明人：张晓丹;孙福和;赵颖;许盛之;王光红;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。
提高沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率制备方法

[发明专利]一种小粒径纳米聚硅乳液及其制备方法-CN201510215770.2在审
发明人：李小红;刘培松;张治军;荣明明;李宁 -专利权人：河南大学;河南王屋纳米科技有限责任公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C09K8/58 文献下载
摘要：本发明属于降压增注剂技术领域，具体涉及一种小粒径纳米聚硅乳液及其制备方法。所述小粒径纳米聚硅乳液为功能性纳米聚硅在常温常压下均匀分散在水中形成的稳定分散液，并且功能性纳米聚硅的分散粒径为4~8nm；小粒径纳米聚硅乳液的组成如下：功能性纳米聚硅、Zeta电位调节剂和水，其中功能性纳米聚硅在纳米聚硅乳液中所占的重量百分比为2%～40%，Zeta电位调节剂在纳米聚硅乳液中的添加量保证Zeta电位调节剂调节纳米聚硅乳液Zeta电位为-5~-35mv，其余为水；所述功能性纳米聚硅是指专利CN201010138385.X中方法制备的水基纳米聚硅本发明所述纳米聚硅乳液在常温常压下可以以单分散纳米聚硅纳米微粒均匀分散在水中，分散粒径在4～8nm；制备和使用过程中节省能耗，使用方便。
一种粒径纳米乳液及其制备方法

[发明专利]改善纳米硅研磨液分散性能的方法-CN201210169021.7有效
发明人：刘祥;岳敏;肖翠翠;黄友元 -专利权人：深圳市贝特瑞新能源材料股份有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善纳米硅研磨液分散性能的方法，要解决的技术问题是提高纳米硅储存性能和加工性能。本发明的方法，包括以下步骤：在硅粉中，加入分散介质得到硅研磨液，在硅研磨液中加入研磨媒体，得到砂磨后的硅研磨液，在砂磨后的硅研磨液中添加阴离子分散剂，得到纳米硅研磨液。本发明与现有技术相比，利用强电解质阴离子分散剂吸附分散在纳米硅颗粒上，对纳米硅颗粒进行改性处理，阴离子吸附在纳米硅颗粒上使纳米硅带上负电荷，负电荷之间的排斥力使纳米硅颗粒分散并悬浮在分散介质中，从而改善了纳米硅研磨液中纳米硅的分散性，抑制纳米硅在储存和使用过程中发生团聚，提高了其储存性能和加工性能。
改善纳米研磨分散性能方法

[发明专利]硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法-CN201310232595.9有效
发明人：韩伟华;杨晓光;杨涛;王昊;洪文婷;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端面形成硅(111)晶面；以及步骤C，在左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的，具有硅(111)晶面的两端面之间横向选区生长III-V族材料纳米线，形成异质结桥接结构。本发明利用硅(111)晶面有较高的悬挂键密度和较低的表面自由能的特性，可以低成本实现在两段硅纳米线之间硅(111)晶面侧壁上III-V族纳米线的选区横向生长。
硅基 iii 纳米选区横向外延生长方法

[发明专利]纳米硅异质结双向隧穿二极管-CN200810091862.4无效
发明人：韦文生 -专利权人：韦文生
申请日： 2008-03-20 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅异质结双向隧穿二极管，包括单晶硅基片、电极、沉积于单晶硅基片上的纳米硅薄膜，该纳米硅薄膜包括嵌在氢化非晶形硅组织中的纳米硅晶粒，所述纳米硅薄膜和构成纳米硅/单晶硅异质结构，其特征是所述的纳米硅晶粒粒径为4－6nm，且不同纳米硅晶粒的粒径大小相接近。本发明不仅具有正向偏压下带间隧穿引起的微分负阻效应，同时还具有反向偏压下多个纳米晶粒的量子化能级的顺序共振隧穿现象，另外反向击穿电压得到极大提高，达到－37V以上。
纳米硅异质结双向二极管

[发明专利]一种多孔硅纳米线复合结构及其制备方法-CN201711252700.X在审
发明人：王耀功;周璇;张小宁;王文江 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了种多孔硅纳米线复合结构及其制备方法，属于硅纳米线制备技术领域。采用的技术方案为：一种多孔硅纳米线复合结构，包括硅衬底，在硅衬底上表面设有多孔硅层，在多孔硅层上表面设有硅纳米线层。所述多孔硅纳米线复合结构的制备方法，在硅衬底表面刻蚀得到多孔硅层，在多孔硅层表面进行电催化金属辅助刻蚀制备硅纳米线层。本发明方法刻蚀速率大大提高，缩短了刻蚀时间；能够形成均匀的多孔硅纳米线；能够以通过控制电流大小及刻蚀时间达到控制纳米线形貌的作用；制备工艺简单，成本较低，快速高效。
一种多孔纳米复合结构及其制备方法

[发明专利]一种纳米硅碳复合材料及其制备方法与应用-CN202310688180.6在审
发明人：黄庆;梁坤;李朋;欧阳琴;肖昱琨 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米硅碳复合材料及其制备方法与应用，属于电池材料技术领域。本发明公开了一种纳米硅碳复合材料，纳米硅碳复合材料由碳基材、纳米硅和空隙组成，碳基材包括基质碳、连续三维网络状碳中的一种或两种，纳米硅碳复合材料的结构为纳米硅和空隙均匀分布在基质碳中，和/或，分布有纳米硅和空隙的基质碳中，纳米硅周围有连续三维网络状碳；所有空隙的体积占基质碳的体积的20～50％；部分空隙分布在纳米硅中，分布在纳米硅中的空隙的体积占纳米硅体积的10～40％。本发明还公开了纳米硅碳复合材料的制备方法及制得的纳米硅碳复合材料在锂离子电池中作为负极材料的应用。
一种纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器-CN202310458949.5在审
发明人：陈海涛;刘霄羽;钱沁宇;王钦华 -专利权人：扬州大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器，在透明衬底上设有纳米方孔阵列，每个纳米方孔由衬底向上高度均为h的五个方形环构成，材料依次为氟化镁、硅、铬、砷化镓、铝；每个纳米方孔内嵌入纳米方柱，纳米方柱由衬底向上高度均为h的四个方形柱构成，四个方形柱的材料依次为硅、铬、砷化镓、铝。该吸收器与传统的吸收器相比，是实现大面积超薄超表面吸收器的有效途径，具有宽频带、高吸收的优点，且其结构相对简单，与当前的纳米加工技术如沉积和光刻兼容，易于制造，成本较低。
一种基于阵列结构表面宽带完美吸收

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