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[发明专利]一种大容量的纳米硅碳材料锂电池-CN201711410543.0在审
发明人：侯林杰 -专利权人：侯林杰
申请日： 2017-12-23 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本发明公开了一种大容量的纳米硅碳材料锂电池，包括外壳，所述外壳内部中心位置设有纳米硅碳电极，所述纳米硅碳电极外部设有正极片，所述正极片外部设有隔膜，所述隔膜外部设有负极片，所述纳米硅碳电极的上端为正极端，所述纳米硅碳电极的底端为负极端，所述外壳的上端内嵌顶部垫片，所述外壳的底端内嵌底部垫片，所述纳米硅碳电极延伸至正极端与外壳接触位置设有密封圈。该大容量的纳米硅碳材料锂电池，由于纳米硅碳材料对与锂电池的高吸收率，将纳米硅碳材料用于锂电池可以大幅度提高锂电池的容量，可以有效的降低单纯硅吸收锂离子时的膨胀，同时可以加大与电解液的亲和力，易与分散，提高循环性能
纳米硅锂电池碳材料碳电极大容量上端正极端正极片底端垫片内嵌隔膜外部密封圈外壳内部中心高吸收率外壳接触循环性能电解液负极端负极片硅吸收锂离子亲和力膨胀延伸

[发明专利]一种柔性硅纳米线薄膜的制备方法及其所得产品-CN202211399224.5在审
发明人：杜伟杰;杨沾;张毅闻;石旺舟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性硅纳米线薄膜的制备方法及其所得产品，属于柔性硅材料技术领域。所述制备方法，包括如下步骤：1)将清洗、干燥后的硅基底沉积银纳米颗粒；2)将表面包覆银纳米颗粒的硅基底进行第一次刻蚀，形成纳米线阵列；3)将第一次刻蚀后的硅基底进行清洗后进行第二次刻蚀，蚀刻后在硅纳米线阵列中产生一条水平裂痕；4)将粘性柔性衬底粘于二次刻蚀后的硅纳米线阵列表面，撕下得到柔性硅纳米线薄膜。本发明提供的方法操作简单、耗时短，成本低，硅纳米线阵列便于大面积转移到柔性基板上，且转移率高。制备得到的柔性硅纳米线薄膜吸光效果好。
一种柔性纳米薄膜制备方法及其所得产品

[发明专利]一种有机硅纳米涂层防水垫面料-CN201811596319.X有效
发明人：陈明贤;孙立新;董洪波 -专利权人：浙江东进新材料有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： B32B27/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机硅纳米涂层防水垫面料，包括基层面料及在基层面料上涂覆的有机硅纳米涂层，有机硅纳米涂层由15％纳米有机硅/丙烯酸酯复合乳液、3.5％增稠剂、0.5％交联剂及81％水组成(以质量百分比计)，将有机硅纳米涂层涂覆于基层面料表面，再经100℃烘干、160℃焙烘，制成所述的有机硅纳米涂层防水垫面料。本发明防水垫面料，其涂层由纳米有机硅于丙烯酸酯乳液共混而成。纳米有机硅以乙烯基硅氧烷乳液与乙烯基纳米SiO2溶胶共聚制得，该乳液在面料表面既能形成低表面能的有机硅膜，又可改变面料表面的粗糙度，协同增强表面的拒水性能。
一种有机硅纳米涂层防水面料

[发明专利]一种单晶氧化锌纳米柱阵列及其制备方法-CN200710099799.4无效
发明人：常永勤;俞大鹏 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：一种单晶氧化锌纳米柱阵列及其制备方法，属于氧化物半导体纳米材料技术领域。ZnO纳米柱阵列为六方纤维锌矿结构。工艺为：将硅片分别在丙酮和酒精中超声清洗25～30min，并用去离子水冲洗干净；然后在硅片上蒸镀一层0.5～2nm厚的金催化剂薄膜；将高纯Zn粉作为蒸发源放在石英舟中，镀有金膜的硅衬底斜放在距蒸发源7～9mm处；将石英舟放置在水平管式炉中，充入流量为150～200标准毫升/分钟的氩气作为保护气氛；将管式炉升温至470～520℃，蒸发150～200min后，硅片表面的灰白色沉积物为ZnO纳米柱阵列。优点在于，制备出的ZnO纳米柱阵列的取向性非常高，纳米柱为单晶，设备简单，原料廉价，工艺简单易行，成本很低，产率高。
一种氧化锌纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种砷元素痕量检测方法-CN202011619141.3有效
发明人：明安杰;赵永敏;朱婧;陈凡红;连紫薇 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷元素痕量检测方法，包括以下步骤：在硅衬底表面制备SiO2层；在SiO2层的表面组装聚苯乙烯胶体球；将聚苯乙烯胶体球刻蚀；将SiO2层进行刻蚀，形成SiO2纳米结构；将SiO2层和硅衬底进行刻蚀，形成SiO2和Si复合纳米柱；在SiO2和Si复合纳米柱表面制备50nm‑200nm的Fe3O4薄膜；在Fe3O4薄膜表面修饰Ag纳米粒子；修饰方式为：将体积比为base:Sub>]+与葡萄糖溶液混合，得到混合溶液，将制备Fe3O4薄膜后的硅衬底置于混合溶液中反应后洗涤
一种元素痕量检测方法

[发明专利]一种硅涂覆碳纳米管增强的锌基生物医用材料及其制备方法-CN201910288800.0在审
发明人：帅扬;高成德;帅词俊;彭淑平;杨友文 -专利权人：江西理工大学;江西华浒高科技有限公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅涂覆碳纳米管增强的锌基生物医用材料，由锌基体和硅涂覆碳纳米管构成，其中硅涂覆碳纳米管的质量百分比为2‑4wt％，碳纳米管和硅的质量比为1:1‑2，所述硅涂覆碳纳米管的硅层与碳纳米管界面反应生成碳化硅本发明的碳纳米管表面涂覆了硅层，硅层一方面使碳纳米管与锌基体的润湿性和结合强度得到改善；另一方面，硅层与碳纳米管界面反应生成碳化硅，促进了碳纳米管在整个锌基体中的分散，从而充分发挥其弥散强化作用，提高锌基生物医用材料的力学性能
碳纳米管涂覆硅层生物医用材料锌基体锌基碳纳米管增强界面反应碳化硅弥散强化作用碳纳米管表面质量百分比力学性能润湿性质量比制备

[发明专利]一种锂离子电池用硅碳负极材料及其制备方法-CN202010639817.9有效
发明人：胡亮;张少波;俞有康;李晓马;张志权 -专利权人：马鞍山科达普锐能源科技有限公司;安徽科达铂锐能源科技有限公司;安徽科达新材料有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种锂离子电池用硅碳负极材料及其制备方法；所述硅碳负极材料包含纳米硅、双层碳纳米管和非晶包覆碳；所述负极材料中含有40％～70wt.％的纳米硅，5％～30wt.％的碳纳米管和10％～45wt.％的非晶包覆碳；所述纳米硅分散于整个复合材料中，纳米硅的表面的部分被非晶碳所覆盖；所述非晶包覆碳不仅包覆单个的纳米硅，还会在负极材料表面形成1～1000nm的碳包覆层；所述碳纳米管穿插在纳米硅颗粒之间形成导电网络，另有碳纳米管附在碳包覆层上；相比于现有技术，本发明制备的锂离子电池用硅碳负极材料具有优异的电化学性能。
一种锂离子电池用硅碳负极材料及其制备方法

[发明专利]一种负极材料及其制备方法、负极片以及锂离子电池-CN202111245277.7在审
发明人：杨承成;吴秋丽;张凯;马斌;陈杰 -专利权人：惠州锂威新能源科技有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明属于电极材料技术领域，尤其涉及一种负极材料及其制备方法、负极片以及锂离子电池，包括纳米硅内核以及设置在纳米硅内核表面的金属银，所述纳米硅内核包括纳米硅和纳米二氧化硅。本发明的负极材料，在纳米硅内核的表面设置有金属银，从而有效地限制了纳米硅在充放电过程中的体积膨胀，同时硅金属合金能够增加电子富集能力，降低锂离子嵌入自由能，使负极材料具有高导电性和延展性。
一种负极材料及其制备方法以及锂离子电池

[发明专利]石墨烯/纳米硅复合电极片及其制备方法-CN201110302810.9有效
发明人：周明杰;吴凤;王要兵 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/纳米硅复合电极片，包括：集流体、沉积在所述集流体表面的石墨烯以及分散在所述石墨烯表面的纳米硅。这种石墨烯/纳米硅复合电极片中石墨烯和纳米硅直接沉积在集流体上，相对于传统的加入粘接剂的电极片，这种石墨烯/纳米硅复合电极片的等效串联电阻较低，采用这种石墨烯/纳米硅复合电极片可以有效地提高电池的功率密度本发明还提供一种上述石墨烯/纳米硅复合电极片的制备方法。
石墨纳米复合电极及其制备方法

[发明专利]多孔硅层结构的晶体硅太阳电池-CN200610025565.0无效
发明人：李涛勇;刘琼;张铃菊 -专利权人：上海太阳能科技有限公司
申请日： 2006-04-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池，为解决晶体硅太阳电池的结构问题，本发明公开了多孔硅层结构的晶体硅太阳电池，其结构顺序包括N型硅层、P型硅层、背面电极、在N型硅层和P型硅层交界处形成具有光伏效应的PN结，其特点是在靠近受光面一侧的硅材料表面上设有一层纳米多孔硅层，该纳米多孔硅层表面上有透明导电膜结构。本发明对现有的结构作了改进，增加了一层纳米多孔硅层，从而提高了太阳电池光电转换效率。由于纳米多孔硅层的准孔径和准孔壁的尺寸在2纳米到300纳米之间，且纳米多孔硅层厚度较薄，用较薄的晶体硅层可以达到与较厚晶体硅层相同的光量子的产额。节省了贵重的半导体硅材料，使成本降低。
多孔结构晶体太阳电池

[发明专利]一种硅基纳米线、其制备方法及薄膜晶体管-CN201910381377.9有效
发明人：董学;袁广才;关峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基纳米线、其制备方法及薄膜晶体管，利用催化剂颗粒与硅具有较低的共熔点、以非晶硅的吉布斯自由能大于结晶硅的吉布斯自由能为驱动力、通过熔融的催化剂颗粒吸收非晶硅形成过饱和硅共熔体，使硅成核生长成为硅基纳米线并且硅基纳米线在生长过程中，非晶硅薄膜在催化剂颗粒的作用下沿着导向槽线性生长，并且通过挡墙限制硅基纳米线反向生长，从而获得高密度、高均一性的硅基纳米线。另外，通过对催化剂颗粒的尺寸以及非晶硅薄膜的厚度进行控制还可以实现对硅基纳米线的宽度进行控制。
一种纳米制备方法薄膜晶体管

[发明专利]一种纳米硅复合负极材料及其制造方法-CN202110033033.6有效
发明人：喻维杰;李福生;张锡强;赵常;代学志;詹勇军 -专利权人：拓米（成都）应用技术研究院有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米硅复合负极材料及其制造方法。所述纳米硅复合负极材料包含多重包覆的纳米硅粉体和原位生长的纳米碳管，所述多重包覆的纳米硅粉体具有纳米硅颗粒的芯部以及设置在所述芯部上的复合包覆层，所述复合包覆层包含导电碳、聚并苯和无机金属氧化物。
一种纳米复合负极材料及其制造方法

[发明专利]一种锂离子电池用硅基复合负极材料及其制备方法-CN201811285260.2有效
发明人：孔令涌;尚伟丽;陈彩凤;任望保 -专利权人：深圳市德方纳米科技股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种锂离子电池用硅基复合负极材料，所述硅基复合负极材料包括基体和设置在所述基体上的纳米硅材料阵列，其中，所述纳米硅材料阵列的空隙间形成有硅和/或硅氧化物纳米球。所述硅基复合负极材料融合有一维硅纳米硅材料阵列和三维硅纳米球，既可充分降低硅的体积效应，提高循环性能，还可提高体积比容量，并保证各形貌材料不易团聚。本发明还提供了锂离子电池用硅基复合负极材料的制备方法。
一种锂离子电池用硅基复合负极材料及其制备方法

[发明专利]一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法-CN202211096122.6在审
发明人：刘超然;郭礼康;杨勋;郑驰霖;江迪莎;董林玺;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01C19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于栅极调控的硅纳米线陀螺仪及其加工方法。硅纳米线陀螺仪包括SOI硅片，SOI硅片的顶层硅表面设有氮化硅薄膜；其中，顶层硅形成有悬空的质量块及其连接的三条硅纳米线，硅纳米线沿质量块的周侧分布；质量块及硅纳米线的表面均附着有氮化硅薄膜；顶层硅之上设有与体硅导电连接的正、负电极；SOI硅片还具有从氮化硅薄膜刻蚀至氧化层的隔离沟道，以实现正、负电极的物理隔绝；悬空的氮化硅薄膜上设置栅极，栅极用于调制硅纳米线沟道的载流子浓度，即调节硅纳米线沟道的电导，进而寻找出器件的最佳工作点
一种基于栅极调控纳米陀螺仪及其加工方法

[发明专利]硅基复合负极材料的制备方法-CN202010604043.6有效
发明人：张健;赵前进;徐斌 -专利权人：瑞声科技（南京）有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基复合负极材料的制备方法，该方法包括：将硅基原材料处理，得到纳米硅基颗粒；将所述纳米硅基颗粒进行导电化处理，得到导电性纳米硅基颗粒；以所述导电性纳米硅基颗粒为内核，以高分子材料为外壳，搭建使得所述导电性纳米硅基颗粒可在所述外壳内进行体积变化的构壳结构，所述构壳结构即为所述硅基复合负极材料。本发明的硅基复合负极材料依次通过纳米化处理、导电化处理以及构壳结构搭建，可以实现导电性纳米硅基颗粒在外壳的内部空间中进行体积变化，从而改善其循环性能，使得该硅基复合材料具有良好的倍率性能和循环稳定性。
复合负极材料制备方法