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[发明专利]纳米级结构的制造方法及使用该方法制造的纳米级结构-CN201480021763.2有效
发明人：崔波;里彭·库马尔·戴 -专利权人：崔波;里彭·库马尔·戴
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。随后对金字塔形结构进行蚀刻，去除硬质掩模未保护的衬底材料，从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体，制造出高纵横比硅柱阵列。
纳米结构制造方法使用

[发明专利]具有纳米片层自柱撑结构的多级孔钛硅分子筛及其制备方法和应用-CN201710200476.3有效
发明人：陈汇勇;张生萍;王漫云;马晓迅 -专利权人：西北大学
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： B01J29/89 文献下载
摘要：本发明属于催化剂的制备技术领域，具体涉及一种具有纳米片层自柱撑结构的多级孔钛硅分子筛，其为钛原子掺杂的MFI型骨架沸石纳米片层通过重复分支交互生长构筑成自柱撑结构的多级孔钛硅分子筛，该多级孔钛硅分子筛中Si/Ti原子比在25：1‑100：1范围内可调；该钛硅分子筛含有沸石微孔、纳米片层层间介孔和晶粒堆积大孔，本发明的多级孔钛硅分子筛不但具有钛的催化氧化作用，并且具有MFI型分子筛的择型作用和优良的稳定性
具有纳米结构多级孔钛硅分子筛及其制备方法应用

[发明专利]基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法-CN201910051249.8有效
发明人：杨理理;李铖 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于全波段减反的单晶硅表面复合微结构及其制备方法，包括以下步骤(1)～(4)中部分或全部，其中，每个步骤执行一次或多次；(1)对硅片亲水处理，配制聚苯乙烯小球混合溶液，在硅片表面铺设掩体聚苯乙烯小球；(2)通入氧气进行刻蚀，然后通入六氟化硫、八氟环烃烷，进行刻蚀‑钝化‑刻蚀循环，得到具有纳米柱结构的单晶硅；(3)将具有纳米柱结构的单晶硅浸入含有硝酸银的酸性刻蚀液中进行表面腐蚀，得到具有纳米铅笔状结构的单晶硅；(4)在具有微结构的单晶硅进行磁控溅射，在其正面或反面或正反两面镀上减反层。
基于波段单晶硅表面复合微结构及其制备方法

[发明专利]一种浸润性多级纳米阵列结构SERS衬底的制备方法-CN202210070727.1在审
发明人：明安杰;陈凡红;赵永敏;赵玉鹏;毛昌辉 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于微纳加工、表界面调控及电化学合成交叉技术领域的一种浸润性多级纳米阵列结构SERS衬底的制备方法，包括以下步骤：首先采用气液界面自组装方法在氧化硅硅片上结合反应离子刻蚀工艺获得规则且非密排PS小球掩膜版；然后依次对氧化硅和硅进行刻蚀，获得大面积硅柱结构；并在所获得的硅柱结构表面包覆金属膜，将该基底浸泡在含巯基分子溶液中进行疏水性调控；最后采用电化学沉积技术在上述疏水性硅衬底上制备得到了松枝状的Au纳米阵列结构，获得纳米阵列结构间隙灵活可调、大面积低成本高重复性、具有大量活性热富集高灵敏度的SERS衬底。
一种浸润多级纳米阵列结构 sers 衬底制备方法

[发明专利]半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法-CN201410052421.9无效
发明人：时彦朋;王晓东;刘雯;杨添舒;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅薄膜太阳能电池的上表面生长一层介质膜；步骤2：在介质膜上生长一层金属纳米颗粒；步骤3：在硅薄膜太阳能电池下表面刻蚀出二维纳米柱硅光栅结构；步骤4：在二维纳米柱硅光栅结构上生长一层背电极；步骤5：在背电极上生长一层背反射器层，完成制备。
半导体薄膜太阳能电池前后表面混合结构制备方法

[发明专利]银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法-CN201710167608.7在审
发明人：李中波;杜兆芳 -专利权人：安徽农业大学
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底的制备方法，包括下列步骤将聚丙烯腈溶液浇筑在具有有序纳米竖直孔洞的硅模板上，之后进行烘干，冷却后获得上层的聚丙烯腈膜，即可得到PAN纳米柱有序阵列薄膜；采用离子溅射方法，将所得到的PAN纳米柱阵列薄膜表面溅射金纳米颗粒，即得到金纳米颗粒溅射的PAN纳米柱阵列薄膜；将金纳米颗粒修饰的薄膜与铜片连接在一起置于硝酸银与柠檬酸的混合沉积液中，利用原位池反应在PAN纳米柱表面沉积银纳米片，从而构筑银纳米片修饰的聚丙烯腈纳米柱阵列薄膜SERS衬底。
纳米修饰聚丙烯阵列薄膜 sers 衬底制备方法

[发明专利]金属杯-柱复合纳米结构阵列及其制备方法-CN201210032491.9有效
发明人：董培涛;吴学忠;邸荻;王朝光;王浩旭;陈剑;吕宇;王俊峰 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全新的金属杯-柱复合纳米结构阵列，其主要由金属纳米结构阵列单元有序排列而成，所述金属纳米结构阵列单元为金属杯-柱复合纳米结构，所述金属杯-柱复合纳米结构包括一杯形的金属纳米外壁，该金纳米外壁围成的杯槽的中心为一圆柱状的金属纳米颗粒；本发明还相应公开了该金属纳米结构阵列的制备方法，包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米球非致密排列、制备复合材质纳米环形结构阵列掩模、制备硅纳米结构阵列模版和制备金属杯-柱复合纳米结构阵列等工艺步骤；本发明的金属纳米阵列结构具有较小的纳米尺度间隙，可用于实现单个生物分子的拉曼检测；本发明的制备方法兼容性好、效率高、成本低。
金属复合纳米结构阵列及其制备方法

[发明专利]碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法-CN200710054981.8无效
发明人：李新建;姜卫粉 -专利权人：郑州大学
申请日： 2007-08-16 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管/硅巢状阵列的制备方法，包括以下步骤：将电阻率小于3.0Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜，填充由浓度介于8.00～22.00mol/l的氢氟酸和0.01～0.50mol/l的硝酸铁溶液，在温度50～200℃下腐蚀10分钟～36小时，制备出衬底材料硅纳米孔柱阵列(Si－NPA)；将衬底材料硅纳米孔柱阵列置入管式炉内，在保护气体气氛下升温至500～1200℃，随载气送入溶有金属有机盐的碳源溶液，原位1～60分钟生长碳纳米管，气体保护下将炉子降至室温即得到具有场发射和湿度敏感性能的碳纳米管/硅巢状阵列。
纳米硅巢状阵列制备方法

[发明专利]硅基深紫外雪崩光电二极管及其制备方法-CN201910302110.6有效
发明人：赵宇坤;陆书龙;边历峰;邱海兵 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基深紫外雪崩光电二极管及其制备方法，所述的制备方法包括：S1、提供Si衬底；S2、在所述Si衬底上依次叠层生长AlN缓冲层、第一Al1‑mGamN纳米柱、第二Al1‑xGaxN纳米柱、以及第三Al1‑zGazN纳米柱，其中，0≤m≤1，0≤x＜0.8，0≤z＜0.8；根据实际需要，还可以在所述S2步骤之后依次叠层生长第四Al1‑aGaaN纳米柱和第五AlN纳米柱，其中，0≤a＜0.8。本发明提供的雪崩二极管的制备方法，一方面利用AlN纳米柱显著减弱浅紫外光的干扰，提高晶体质量，从而能够提高探测器的准确性与灵敏度；另一方面硅衬底能够简化器件的制作工艺流程，易于后期的集成加工，十分有利于降低成本
深紫雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种用于霉菌毒素特异识别的核酸适配体功能化聚合柱及其制备方法-CN201910491946.5有效
发明人：林旭聪;沈浩强;朱丹丹;谢增鸿 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： B01J20/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于霉菌毒素特异识别的核酸适配体功能化聚合柱及其制备方法，所述的聚合柱是一种以有机硅氧烷凝胶缩聚形成的表面富含巯基的有机‑无机杂化硅胶聚合物作为基质，在此基础上修饰丙烯酸钠盐取代的低聚倍半硅氧烷纳米粒子，在钠盐纳米粒子上修饰带巯基的抗霉菌毒素核酸适配体，从而制得的亲和柱材料。本发明中制备的亲和聚合柱具有刚性硅胶基质，通过柱后修饰，表面富含巯基结构、低聚倍半多聚硅氧烷单体多作用位点；通过点击化学可在桥联位点上键合抗霉菌毒素核酸适配体，形成表面高亲水、负电荷的适配体亲和作用层，
一种用于霉菌毒素特异识别核酸适配体功能聚合及其制备方法

[发明专利]一种锂离子电池纳米多孔硅负极材料的制备方法-CN201910638199.3有效
发明人：马文会;席风硕;李绍元;张钊;崔洪旗;杨婷婷;魏奎先;陈正杰;谢克强;伍继君;雷云;杨斌;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池纳米多孔硅负极材料的制备方法，属于新能源材料和电化学技术领域。本发明在保护气体氛围中，将硅料粉碎细磨至微纳米级硅粉，再进行破碎预处理并洗去硅粉表面的金属纳米颗粒，烘干得到纳米级硅粉；将纳米级硅粉再进行一步法或两步金属纳米颗粒辅助化学刻蚀，固液分离，烘干得到纳米多孔硅/金属复合材料；或者采用洗涤剂去除纳米多孔硅表面的金属纳米粒子，固液分离，烘干得到纳米多孔硅；将纳米多孔硅/金属复合材料或纳米多孔硅进行氧化处理得到氧化纳米多孔硅/金属复合材料或氧化纳米多孔硅，纳米多孔硅/金属复合材料、纳米多孔硅、氧化纳米多孔硅/金属复合材料或氧化纳米多孔硅即为锂离子电池纳米多孔硅负极材料。
一种锂离子电池纳米多孔负极材料制备方法

[发明专利]一种拥有超窄表面晶格共振的无机纳米粒子阵列及其大面积制备方法-CN202310292269.0在审
发明人：聂志鸿;杨帆;陈倩筠 -专利权人：复旦大学;复旦大学义乌研究院
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种拥有超窄表面晶格共振的无机纳米粒子阵列及其大面积制备方法，该方法包括以下步骤：利用厘米级的硅纳米柱印章翻模得到聚二甲基硅氧烷纳米孔阵列模板；将纳米孔阵列模板置入聚合物有机溶液中蘸取后，再将纳米孔阵列模板放置于表面羟基化的硅片之上形成紧密接触，待溶剂完全挥发后，得到聚合物纳米柱阵列；利用静电作用在聚合物表面吸附金属前驱体，并用氧气等离子体还原金属离子并且刻蚀掉聚合物，最后利用热退火，得到拥有超窄表面晶格共振的无机纳米粒子阵列。与现有技术相比，本发明为无机纳米粒子阵列的制备提供了一个低成本和高效率的通用平台，使下一代纳米光子和电子器件的规模化制备成为可能。
一种拥有表面晶格共振无机纳米粒子阵列及其大面积制备方法

[发明专利]一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法-CN201710488947.5有效
发明人：许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，包括以下步骤：1）Si表面自我限制氧化层的形成；2）多余O气氛去除；3）选择性化学刻蚀掉SiO层；4）重复步骤1）~3），实现精确控制刻蚀量。本发明的三维自限制精确制造硅纳米线柱的方法，既具有原子层级的自我限制能力，又可以实现三维（横向与纵向加工）加工，还对设备本身控制能力不需要现有技术方案那么高。
一种三维限制精确制造纳米方法

[发明专利]石墨烯包覆的硅/碳纳米复合纳米纤维膜及其应用-CN201610699798.2在审
发明人：胡毅;陈艳丽;何霞;沈桢;陈仁忠 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池电极材料领域，特备是涉及一种石墨烯包覆的硅/碳纳米复合纳米纤维膜及其应用。该石墨烯包覆的硅/碳纳米复合纳米纤维膜包括硅/碳复合纳米纤维膜和对该硅/碳复合纳米纤维膜提供保护的石墨烯层，所述石墨烯层包覆在硅/碳复合纳米纤维膜表面，硅/碳复合纳米纤维膜内包括嵌含有硅纳米颗粒的碳纳米纤维；所述硅纳米颗粒不规则地镶嵌在碳纳米纤维的表面及内部。所述石墨烯层包覆在硅/碳复合纳米纤维膜表面，硅/碳复合纳米纤维膜内包括嵌含有硅纳米颗粒的碳纳米纤维；所述硅纳米颗粒不规则地镶嵌在碳纳米纤维的表面及内部。
石墨烯包覆纳米复合纤维及其应用

[发明专利]基于双波长飞秒激光电子动态调控硅表面纳米柱制备方法-CN201610021533.7有效
发明人：姜澜;韩伟娜;李晓炜 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： B23K26/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双波长电子动态调控的飞秒激光调控硅表面纳米柱的制备方法，属于飞秒激光应用技术领域；本发明基于局部瞬时电子激发动态调控，通过倍频技术将800nm基频光倍频为400nm波长，采用双波长飞秒激光来控制表面微纳结构形态第一束在材料表面产生类等离子体透镜结构(PL)，第二束沿类PL结构边缘产生表面等离子体并产生沿光斑中心分布的梯度场，使材料在该脉冲作用下产生向中心挤压的力，形成凸起的纳米柱结构；通过对加工平台的程序控制实现了大面积均匀纳米柱阵列的制备。对比现有方法，本发明有效提高了纳米柱的加工精度及加工效率，实现高效精确的晶硅表面纳米结构的调控,在信息存储及太阳能电池等方面具有至关重要的应用价值。
基于波长激光电子动态调控表面纳米制备方法