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[发明专利]具有一维链状结构的荧光材料及其合成方法与荧光器件-CN202310421057.8有效
发明人：郭扬武;吴雨辰;江雷 -专利权人：季华实验室
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C07D219/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有一维链状结构的荧光材料及其合成方法与荧光器件，属于荧光材料领域，合成步骤包括，在加热搅拌的条件下用去离子水溶解9‑氨基吖啶，得到第一溶液，在加热搅拌的条件下将碘酸溶解于第一溶液中，得到第二溶液，加热第二溶液使溶剂挥发，得到化学式为(C13H11N2)IO3的黄色棒状晶体；[IO3]‑形成一维无机链，[C13H11N2]+为质子化的9‑氨基吖啶，具有式Ⅰ的结构，[C13H11N2]+与[IO3]‑链通过氢键连接，在激发光波长为375 nm时，发射绿色荧光，发光峰值在560nm，合成方法简单、化学组分易于控制、重复性好、产量高、成本低廉。
具有一维链状结构荧光材料及其合成方法器件

[发明专利]一种替加环素耐药基因家族tmexCD-toprJ多重PCR检测试剂盒-CN202210962385.4在审
发明人：张嵘;李佳萍;吴雨辰;董宁;周宏伟;胡燕燕;王汉宇 -专利权人：浙江大学医学院附属第二医院
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C12Q1/689 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型替加环素耐药基因家族tmexCD‑toprJ多重PCR检测试剂盒，所述试剂盒由快速PCR混合液，裂解液，超纯水，引物探针混合液，阳性对照品，阴性对照品组成，引物探针混合液包括tmexC引物对、tmexD引物对、toprJ引物对、tmexD2引物对，阳性对照品包括tmexC阳性对照品、tmexD阳性对照品、tmexD2阳性对照品、toprJ阳性对照品。本发明是基于聚合酶链反应，可用于不同菌种中tmexC、tmexD、toprJ、tmexD2基因的同时检测，具有快速、准确、方便、灵敏度高等特点。
一种替加环素耐药基因家族 tmexcd toprj 多重 pcr 检测试剂盒

[发明专利]一种有机无机杂化的双折射晶体及其制备方法和应用-CN202210288255.7有效
发明人：郭扬武;吴雨辰;江雷 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本申请涉及晶体材料领域，公开了一种有机无机杂化的双折射晶体及其制备方法和应用，所述有机无机杂化的双折射晶体的化学式为(C5H6NO)+(H2PO4)‑，所述有机无机杂化的双折射晶体属于单斜晶系，空间群是P21/c。所述有机无机杂化的双折射晶体具有较大的双折射率和透过性能，为具有极大潜在应用价值的双折射晶体材料，可用于制作偏振棱镜，电光调节开关等，并且在光学通讯、微加工和光刻等方面均可以应用。
一种有机无机双折射晶体及其制备方法应用

[发明专利]一种熔融法制备钙钛矿单晶微米线阵列的方法-CN202211068524.5在审
发明人：赵英杰;吴雨辰;江雷 -专利权人：北京仿生界面科学未来技术研究院
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B9/04 文献下载
摘要：本发明提供一种熔融法制备钙钛矿单晶微米线阵列的方法，通过将钙钛矿粉末加在硅柱模板和石英基底间隙，硅柱模板和石英片形成三明治结构，将该三明治结构置于加热装置上，然后升高温度，当温度高于钙钛矿的熔点，熔体沿着硅柱顶端流动，直至铺满整个硅柱模板，缓慢降温，当温度低于钙钛矿凝固点后，在基底上可得到规则排列的钙钛矿微米线单晶阵列。本发明相比于传统液相制备钙钛矿阵列的方法，晶体的质量得以保证，避免了有机溶剂都对身体和环境造成的损害，以及可以实现有机溶剂不溶解的钙钛矿的阵列化制备，并且为阵列化制备其他钙钛矿并将其用于光电子器件提供了新思路。
一种熔融法制备钙钛矿单晶微米阵列方法

[发明专利]一种基于零维半导体纳米晶制备二次谐波阵列的方法-CN202211076194.4在审
发明人：李辉;吴雨辰;江雷 -专利权人：北京蕴超仿生智能科技发展有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01S3/109 文献下载
摘要：本发明提供一种基于零维半导体纳米晶制备二次谐波阵列的方法，利用硅柱模板的侧壁疏水、顶端亲水的特点，实现对毛细液桥的定向控制，使得制备过程中所述零维半导体纳米晶溶液能定向附着在硅柱模板的硅柱上，而控制传质过程，从而提供一个稳定的环境，使零维半导体纳米晶能稳定结晶、定向生长。本方法提高了光学微阵列结构质量和倍频效应转换效率，操作流程具有简易、快速、普适的特点；本方法在有效降低设备成本的同时，实现简易、普适地制备并获得倍频转换效率远高于零维半导体纳米晶多晶薄膜的零维半导体纳米晶微米线阵列。
一种基于半导体纳米制备二次谐波阵列方法

[发明专利]一种无溶剂制备非线性光学微单晶阵列的方法-CN202211079848.9在审
发明人：赵金金;吴雨辰;江雷 -专利权人：北京仿生界面科学未来技术研究院
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种无溶剂制备非线性光学微单晶阵列的方法，将基底放置在硅柱模板上部，硅柱模板的上部一侧设置原料槽，基底的一侧设置通孔，原料槽与通孔的位置对应；将有机小分子的粉末通过通孔加入原料槽中；升高温度，当温度高于有机小分子的熔点时，基底、有机小分子的熔体和硅柱的上表面组成三明治结构，熔体在毛细作用力驱动下沿着硅柱顶端流动直至铺满整个硅柱模板的表面；降低温度，当温度低于有机小分子的凝固点后，再降温至室温，打开三明治结构，在基底上得到非线性光学微单晶阵列。本发明微单晶阵列的加工精度通过硅柱的尺寸控制，精度可达1um。为阵列化制备非线性有机微晶体并将其用于非线性光学及微电子电路中提供了新思路。
一种溶剂制备非线性光学微单晶阵列方法

[发明专利]一种制备三基色裸眼3D显示器光学液晶阵列的方法-CN202211170436.6在审
发明人：马健鹏;吴雨辰;江雷 -专利权人：北京仿生界面科学未来技术研究院
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种制备三基色裸眼3D显示器光学液晶阵列的方法，硅柱模板顶部亲水、侧壁疏水，基底一侧按照硅柱的周期尺寸设计均匀圆孔结构便于后续注入溶液；将基底覆盖在硅柱上部，然后用一次喷墨打印的方法在相邻的六个圆孔中注入红、绿、蓝三基色液晶前驱体溶液，每种颜色包含两种不同手性(左旋L，右旋R)的溶液；由于毛细力的引导，前驱体溶液在硅柱顶端和基底之间形成单个毛细液桥；将组装结构放置在适当温度的真空烘箱中，毛细液桥在单向毛细力的作用下收缩，待溶剂完全挥发在基底上得到红、绿、蓝三基色液晶阵列，其中每种颜色包括两种不同手性阵列；然后在基底上粘贴一层柱状透镜膜使不同手性的光折射入人的左右眼来实现裸眼3D显示的效果。
一种制备基色裸眼显示器光学液晶阵列方法

[发明专利]一种溶液自组装制备量子点光子器件回路的方法-CN202211076193.X在审
发明人：赵昱焱;吴雨辰;江雷 -专利权人：北京蕴超仿生智能科技发展有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种溶液自组装制备量子点光子器件回路的方法，利用光刻方法制备与器件结构相适应的微模板，将胶体量子点溶液覆盖到模板表面，覆盖上基底，待溶剂完全挥发干净后，即完成光子器件回路在基底表面的制备。本发明相比于传统无机半导体制备方法，可以避免晶格失配等基底选择范围窄的问题以及加工成本高的问题；相比于现有的溶液加工方法，通过上述模板诱导，拉普拉斯非均匀分布以及对抗粘滞阻力三位一体可以实现高精度高品质的制备基于量子点的多种复杂形貌来实现光子器件功能；本发明为利用组装方法制备胶体量子点结构阵列并将其应用到光子器件中提供了思路。
一种溶液组装制备量子光子器件回路方法

[发明专利]一种可控大面积三色量子点微纳阵列制备方法-CN202211032722.6在审
发明人：何可;吴雨辰;江雷 -专利权人：北京仿生界面科学未来技术研究院
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种可控大面积三色量子点微纳阵列制备方法，通过在靶向基底表面规整喷墨打印不同颜色量子点阵列，利用具有不对称浸润性微柱阵列的印刷模板，结合液桥退浸润生长技术，制备大面积红绿蓝交替排列的微纳阵列。本发明可提高制备效率及产品质量；制备过程中无需加入添加剂，降低对后期电注入器件的影响；器件制备过程重复性高，无需重复制备模板，节约成本；普适性强，可制备不同形状模板以得到不同图案化微纳结构，且适用于不同溶液；可大规模制备，解决了传统技术不能大规模制备的问题。本发明实现了精确在不同基底上可控制备三基色交替排列的量子点阵列，有望实现大规模产业化生产，为设计制造显示器件规模化提供了新的解决思路。
一种可控大面积三色量子点微纳阵列制备方法

[发明专利]一种尺寸可控的无机微单晶阵列及其熔融制备方法-CN202211068492.9在审
发明人：袁萌;吴雨辰;江雷 -专利权人：北京仿生界面科学未来技术研究院
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种尺寸可控的无机微单晶阵列及其熔融制备方法，首先构建微柱、无机粉末材料和基底的三明治体系，再将无机材料粉末熔融为熔体，熔体受毛细力的驱动结晶，微柱阵列的形状控制无机微单晶阵列形状，实现了无机微单晶结构的制备。本发明在阵列的重复制备过程中，不需要光刻机或者电子束光刻系统，无需溶剂，且重复性非常高，硅柱模板可以重复使用，可以大大降低重复制备过程中的成本；本发明通过熔融制备尺寸可控的无机微单晶阵列的方法，有效规避目前传统的液相组装方法需要溶液的局限性，且本方法相比于常见的无机材料阵列制备过程，具有方法简单，无需昂贵的加工设备，加工成本低廉和易于调控尺寸的优势。
一种尺寸可控无机微单晶阵列及其熔融制备方法

[实用新型]一种具有储水灌溉功能的园艺花盆-CN202222798324.7有效
发明人：覃符傲;吴雨辰;马歆;史瑞翔;孙圣卿 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及园艺花盆技术领域，公开了一种具有储水灌溉功能的园艺花盆，包括壳体，所述壳体前端中部一侧固定连接有控制器，所述壳体另一侧中上部固定连接有集水盒，所述壳体一侧中下部固定连接有排水管，所述壳体内中部设置有内腔，所述内腔两侧侧壁均对称设置有固定块，所述固定块相互靠近的一端固定连接有花盆本体，所述花盆本体内上部设置有一级花盆空腔。本实用新型中，二级花盆空腔中的水通过吸水棉柱的毛细现象进行吸收提供给植物，可避免使用人员给花盆内植物花卉浇水时，出现水分的飞溅现象，有利于保障整体更加卫生，同时通过吸水棉棒的吸收水分而避免了因为浇水过多导致的烂根现象，保证了植物的正常生长。
一种具有储水灌溉功能园艺花盆

[发明专利]毛细聚集效应诱导限域重结晶制备异质图案化阵列的方法-CN202210807684.0在审
发明人：杨俊川;吴雨辰;江雷 -专利权人：北京仿生界面科学未来技术研究院
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：本发明提供毛细聚集效应诱导限域重结晶制备异质图案化阵列的方法，使用喷墨打印将前驱液打印在硅柱阵列顶部，在开放的环境中干燥后微柱顶部形成无序多晶膜阵列，在微柱顶部覆盖一层衬底，施压使微柱顶部和衬底之间的缝隙达到百纳米左右，形成衬底/前驱体分子/硅柱三明治组装体系，然后放在前驱液对应溶剂的饱和蒸汽氛围中，由于毛细聚集效应饱和蒸汽优先在微柱顶和衬底之间的缝隙处聚集并溶解材料得到相互独立的柱顶液桥阵列，柱间凹槽没有液体，相邻微柱顶部的不同材料的液桥不会互相串扰，在硅柱诱导下限域重结晶。本方法利用毛细聚集效应调控打印有不同材料的柱顶毛细聚集形成独立的液桥而不互相串扰，限域重结晶后实现单晶阵列异质图案化。
聚集效应诱导重结晶制备图案阵列方法

[发明专利]一种图案化制备叠层异质结构阵列的方法-CN202211076213.3在审
发明人：何可;吴雨辰;江雷 -专利权人：北京仿生界面科学未来技术研究院
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化制备叠层异质结构阵列的方法，首先利用一级毛细液桥制备第一层图案化的胶体量子点CQDs微纳阵列，再利用三维转移平台将第二层硅微柱模版与第一层图案化的基底进行任意可调方向的对准操作，滴入第二层胶体量子点CQDs的前驱体液利用二级毛细液桥生长第二层胶体量子点阵列，得到图案化的叠层异质结构阵列。本发明利用一级毛细液桥的定向退浸润过程来诱导第一层胶体量子点进行生长，获得表面平整的高质量的一维胶体量子点阵列，再将其原本的油酸配体交换为巯基丙酸配体，进一步利用二级毛细液桥来诱导第二层胶体量子点的组装方法，本发明可获得任意的、可调谐的交叠位置的异质结构，为图案化制备叠层异质结构提供了新思路。
一种图案制备叠层异质结构阵列方法

[实用新型]一种具有可拆分结构的子宫颈刷-CN202122496850.3有效
发明人：尤梦珍;吴雨辰;陈星羽;王宇也 -专利权人：温州医科大学
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： A61B10/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有可拆分结构的子宫颈刷，包括取样刷，所述取样刷包括第一取样部和第二取样部，所述第一取样部和第二取样部均包括刷毛部，分别连接刷毛部的第一杆和第二杆，所述取样刷上设置有连接第一取样部和第二取样部的固定组件。本实用新型具有以下优点和效果：产品能分离，使得产品能够一次即可完成取样。
一种具有拆分结构子宫颈

[发明专利]一种CuInS2-CN202110401313.8在审
发明人：王静怡;吴雨辰 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：本发明公开一种CuInS2量子点超晶格结构的制备方法，包括如下步骤：将CuInS2量子点溶于甲苯中，得量子点溶液；氩气气氛中，将量子点溶液滴加至组装液中，在氩气与组装液界面上组装得到超晶格结构；其中，当组装液为乙二醇，且量子点溶液中CuInS2量子点的浓度为40‑60mg/mL时，得到的超晶格结构为六方超晶格结构；当组装液为乙二醇和甲醇的混合液，且量子点溶液中CuInS2量子点的浓度不小于80mg/mL时，得到的超晶格结构为四方超晶格结构。在该方法中，通过调整量子点在溶剂中的浓度以及组装液的组成，制备得到四方超晶格结构和六方超晶格结构。
一种 cuins base sub

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