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[发明专利]一种选区外延纳米柱阵列的有序转移方法-CN201710028756.0在审
发明人：李俊泽;李沫;龙衡;王文杰;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种选区外延纳米柱阵列的有序转移方法，针对以SiO2为掩膜开孔型图形化蓝宝石衬底进行的MOCVD或者MBE选区外延获得的纳米柱阵列外延片，该纳米柱阵列延竖直方向一致生长，均匀且整齐分布。本发明采用聚二甲基硅氧烷固化纳米柱阵列配合缓冲氧化物浸蚀剂腐蚀SiO2掩膜层后，将纳米柱阵列大面积有序转移。该方法具有对设备工艺要求低、保持阵列有序整齐等优势，并且底部顶部保留纳米柱材料便于纳米柱材料制备电极或者键合到其它柔性衬底，有利于纳米柱阵列材料更广范围的应用。
一种选区外延纳米阵列有序转移方法

[发明专利]一种减弱硅基液晶边缘场效应的方法-CN201310711607.6有效
发明人：杨磊;夏军;张晓兵 -专利权人：东南大学
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明公开了一种减弱硅基液晶边缘场效应的方法，该硅基液晶的主要结构包括硅衬底、像素电极、复合电极、二氧化硅纳米柱、液晶、铟锡氧化物电极、玻璃基板；在硅基液晶工作时，如对中间像素施加电压，对其相邻像素不施加电压复合电极（7）实现场增强效应，增强中间像素电场；复合电极（5、9）起到静电屏蔽左右，阻止中间像素电场向相邻像素的扩展；二氧化硅纳米柱（6、8）隔断相邻像素的液晶分子的带动作用；从而减弱边缘场效应。
一种减弱液晶边缘场效应方法

[发明专利]具有敏化效果的硅酸铒及其制备方法和应用-CN201510157516.1有效
发明人：李东升;沈浩;徐凌波;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C01B33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有敏化效果的硅酸铒的制备方法，将铒可溶化合物溶解于溶剂中得到的溶液旋涂于多孔硅表面，直至旋涂量达到4.44×10‑3～8.89×10‑2ml/cm2，烘干后，依次经两步热处理得到具有敏化效果的硅酸铒制备得到的硅酸铒为由纳米硅柱及包覆在纳米硅柱表面的单层硅酸铒组成的核壳结构，有较好的敏化效果，在非共振激发光下仍有较好发光，可应用于硅基光电集成和光通信等领域。
具有效果硅酸及其制备方法应用

[发明专利]一种实现近红外光吸收增强的微纳米阵列结构-CN201911279501.7在审
发明人：杨鹏飞;张锦;蒋世磊;孙国斌;季雪淞;杨柳 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现近红外光吸收增强的微纳米阵列结构，微结构包括微纳米阵列结构的基底、微纳米阵列柱、填充在所述微纳米阵列结构空隙中的填充物。所述微纳米阵列结构的基底为单晶硅，用于作为所述微纳米阵列柱的结构载体；所述微纳米阵列柱为周期分布的硅柱状结构，覆盖于所述基底上，用于增加对光源吸收；所述填充物为金属物和缓冲层，所述填充物设置在所述相邻的微纳米阵列柱的空隙中该微纳米阵列结构从所设计微纳阵列的边长、占空比、高度、填充物等方面进行优化，从而提高该微结构在近红外波段的光吸收效率。该发明在抗反射，隐身，太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。
一种实现红外光吸收增强纳米阵列结构

[发明专利]一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法-CN202210324698.7在审
发明人：武爱民;刘丽;王茹雪 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于连续域束缚态的硅基发光芯片及其制备方法，包括硅衬底，二氧化硅绝缘层以及III‑V纳米盘/柱结构。本发明具有良好的光致发光特性，器件结构简单，结构纳米级别且易于制作，能实现大规模集成，在解决硅基片上光源方面有着巨大的潜力。
一种基于连续束缚态发光芯片及其制备方法

[发明专利]一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法-CN202010040193.9有效
发明人：刘静;伊福廷;王波;张天冲;梁小筱;颜铭铭;徐源泽 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法，其步骤包括：1)在硅片表面制备硅金字塔结构，然后在所述硅金字塔表面上制备硫化镉种子层；其中，硅金字塔结构用于增加硅表面与硫化镉种子层的粘附性；2)用水热法在硫化镉种子层上生长硫化镉纳米线，得到硫化镉纳米线阵列；3)用去离子水对步骤2)得到的硫化镉纳米线阵列进行漂洗、晾干。本发明首次通过引入金字塔结构，结合水热生长法，在硅片表面实现硫化镉纳米线的生长；金字塔的引入，增加了硅表面与硫化镉种子层的粘附性，相对于在硅片表面引入硅柱结构来说，方法简单，成本低，易于操作。
一种硅片表面生长硫化纳米阵列方法

[发明专利]一种应变垂直MOS器件的制造方法-CN201410119735.6有效
发明人：李尊朝;苗治聪;李昕怡;张亮亮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极；在栅极外淀积应力氮化硅薄膜，形成应力衬垫层；进行离子注入，形成漏端n‑掺杂区；对衬底的外围环状区域进行离子注入，形成漏端n+掺杂区；对硅纳米线上部进行P+离子注入，形成Halo掺杂结构，进行n型离子注入形成源端；淀积金属和合金。本发明提高纳米结点集成电路中器件的栅控能力，抑制短沟道效应和热载流子效应，提高载流子迁移率，增强电流驱动能力，在不降低器件性能的前提下缩小器件尺寸，以实现器件微型化的要求。
一种应变垂直 mos 器件制造方法

[发明专利]一种晶圆与基板间的互连结构及互连方法-CN202310780547.7在审
发明人：刘旭;叶怀宇 -专利权人：纳宇半导体材料（宁波）有限责任公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆与基板间的互连结构及互连方法；包括如下步骤：制备具有金属探柱的金属纳米烧结体；在第二硅板上端面开设与各金属探柱一一对应的蘸取凹槽；在各蘸取凹槽中灌入纳米金属浆料，将金属纳米烧结体移动到第二硅板上方，并使得各金属探柱底部伸入至对应的蘸取凹槽内；在基板上布设与各金属探柱一一对应的焊片，将蘸取有纳米金属浆料的金属纳米烧结体移动至基板的上方，使得各金属探柱与对应的焊片接触，通过烧结工艺，获得晶圆与基板互连结构
一种基板间互连结构方法

[发明专利]一种用于制备硅片表面硅纳米柱阵列的溶液及制备方法-CN201210087660.9有效
发明人：蒋永锋;包晔峰;杨可 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明公开一种用于制备硅片表面硅纳米柱阵列的溶液及制备方法，把硅片置入如下溶液中：包括组分：硅酸盐5-10%，有机醇5-10%，水80-85%，以重量百分比计；所述硅酸盐为硅酸钠或硅酸钾，所述有机醇为乙醇或丙三醇，所述水为去离子水；以硅片为阴极，以惰性电极材料为阳极，在500-700V电压下，处理1-3分钟，取出硅片，即可得到双面排列硅纳米柱阵列的硅片；该方法与环境兼容性好，因溶液为室温，处理速度快，简化了硅片的处理工序，具有处理效率高、节能、环保的特点；同时本发明处理后的硅片表面纳米柱阵列的纳米柱直径和高度可根据工艺调整，纳米柱的分布密度也可根据工艺可调，这样降低了成本，提高了光的转化效率。
一种用于制备硅片表面纳米阵列溶液方法

[发明专利]双材料栅纳米线隧穿场效应器件及其制造方法-CN201210451527.7有效
发明人：何进;张爱喜;梅金河;杜彩霞;张立宁;叶韵 -专利权人：北京大学深圳研究院
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及双材料栅纳米线隧穿场效应器件及制造方法。该双材料栅纳米线隧穿场效应器件的中心为沟道，其两端分别设有源区、漏区，沟道外围依序覆设氧化物和栅电极。制造方法：在硅圆片上用圆形氮化硅硬掩模，SF6刻蚀出硅柱；高温氧化，HF水溶液腐蚀缩小硅柱尺寸达到直径6nm～30nm设定值，高温氧化形成设定厚度氧化层包围的硅柱；采用淀积与光刻技术完成双材料栅结构的制备分别在120°~150°注入1×1020cm-2/10keV和5×1018cm-2/10keV的硼和磷，在900℃/10s~1100℃/10s退火制备源区和漏区；CMOS工艺完成金属电极制备；制成双材料栅纳米线隧穿场效应器件
材料纳米线隧穿场效应器件及其制造方法

[发明专利]一种特殊形貌的ZnO纳米管的可控生长工艺-CN201010030810.3无效
发明人：杨景海;郑佳红;翟宏菊 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种特殊形貌的ZnO纳米管的可控生长工艺。该方法生长过程经历了ZnO纳米片、ZnO纳米柱、到ZnO纳米管的形成，首先在硅衬底上生长出了圆形的ZnO纳米片，然后随着生长时间的延长圆形的ZnO纳米片堆积形成ZnO纳米柱，随着反应时间的继续延长，ZnO纳米柱发生了老化过程形成了ZnO纳米管。本发明方法简单易行，生长出的纳米管具有大的表面积、有比较高的表面粗糙度，而且是层状堆积结构的ZnO纳米管。
一种特殊形貌 zno 纳米可控生长工艺

[发明专利]一种高透明、超疏水、无彩虹纹的石英无序纳米结构及其制备方法和应用-CN202211592181.2在审
发明人：崔玉双;谢雅晴;陈晓凤;葛海雄 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳米加工技术领域，提供了一种高透明、超疏水、无彩虹纹的石英无序纳米结构及其制备方法和应用。本发明先利用相分离技术、干法刻蚀和真空蒸镀，在硅衬底上制备无序纳米孔结构，从而得到无序纳米孔压印模板；再利用紫外纳米压印技术将硅衬底上的无序纳米孔结构复制到石英玻璃基底上，再结合真空蒸镀和干法刻蚀，即可得到高透明、超疏水、无彩虹纹的石英无序纳米柱结构。本发明提供的制备方法具有成本低、易量产、一致性高的优点；得到的石英无序纳米柱结构在光电器件等领域有着广阔的应用前景。实施例的数据表明：本发明提供的石英无序纳米结构的可见光透射率高达95.1％，水接触角为151.6°。
一种透明疏水彩虹石英无序纳米结构及其制备方法应用

[发明专利]月牙形金属纳米结构的制备方法-CN201210032492.3有效
发明人：吴学忠;董培涛;陈剑;王朝光;王浩旭;邸荻;吕宇;王俊峰 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了月牙形金属纳米盘阵列、硅柱支撑的月牙形金属纳米盘结构阵列和离散月牙形金属纳米颗粒等三种月牙形结构阵列的制备方法；月牙形金属纳米盘阵列的制备方法包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米球非致密排列、沉积金属、制备金属纳米圆孔阵列、制备复合材质的月牙形掩模孔阵列和制备月牙形金属纳米盘阵列等工艺步骤；以所述月牙形金属纳米盘阵列为掩模进行刻蚀可制得硅柱支撑的月牙形金属纳米盘结构阵列；对所述月牙形金属纳米盘阵列进行腐蚀可制得离散月牙形金属纳米颗粒；本发明的制备方法，通用性强、适应性广、兼容性好、效率高、成本低且能为研究月牙形金属纳米结构提供便利。
月牙形金属纳米结构制备方法

[发明专利]具有中心通透且辐射状孔径的单分散介孔硅纳米色谱填料的制备及其在色谱分离中的应用-CN202110432622.1在审
发明人：刘震;郭展辰;陈阳;庞纪磊 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有中心通透且辐射状孔径结构的单分散介孔硅纳米颗粒色谱填料的制备及在色谱分离中的应用。该方法是在非均相油‑水两相分层反应体系中，通过反应物在油‑水界面中发生自组装和聚合，实现一锅法连续的界面生长，从而得到具有纳米级粒径和一定中心对称辐射状介孔的介孔纳米硅纳米颗粒，通过化学改性后，将其用做液相色谱的分离介质本发明的优点：所采用的单分散介孔硅纳米球，尺寸均一，具有中心通透且辐射状孔径结构，这些特征不仅有助于提高色谱柱的渗透率，而且还有助于减少样品区带的涡流扩散，从而获得朝高的分离柱效。由于这些独特的结构特点，该纳米材料有望成为实用的超高效纳米级液相色谱填料。
具有中心通透辐射状孔径分散介孔硅纳米色谱填料制备及其分离中的应用

[发明专利]一种高比容量锂离子电池硅负极材料制备方法-CN201810744970.0在审
发明人：蔡跃鹏;魏沁 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种高比容量锂离子电池硅负极材料制备方法，包括如下步骤：步骤1）碳纳米管复合材料Ce‑808/CNT的制备，步骤2）Stober法合成纳米SiO2,步骤3）Mg热还原法制备纳米级硅粉,步骤4）生成物处理：反应完毕，拆除反应柱；将反应柱中的褐色粉末倒至一个烧杯中，用勺子将其碾碎成粉末状。高温下可以实行形貌的控制，生成单质硅，具备尺寸均匀，孔径分布均一的特点，良好的形貌有助于性能提升，构效分析结果准确。
制备形貌硅负极材料锂离子电池比容量反应柱碳纳米管复合材料构效分析合成纳米褐色粉末孔径分布镁热还原纳米级硅热还原法性能提升单质硅副反应酸处理碾碎均一烧杯勺子拆除