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[发明专利]电子级多晶硅生产中的流体封压方法及应用-CN202310843548.1在审
发明人： 袁北京;王美懿;李福中;张开端 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅生产中的流体封压方法及应用，该流体封压方法包括：采用还原性流体和/或惰性流体对电子级多晶硅生产装置进行封压。由此，既显著提高了电子级多晶硅的产品质量，有利于下游的芯片制造工序，又可以保证精馏塔平稳操作，且不会造成中和碱液的浪费。
电子多晶生产中的流体方法应用

[发明专利]电子级多晶硅破碎方法-CN202310420218.1在审
发明人：张天雨;田新;蒋文武;李明峰;王付刚;崔会为;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅破碎方法。电子级多晶硅破碎方法包括：将多晶硅棒切割为多个多晶硅段，所述多晶硅段的长度为10cm‑50cm；对所述多晶硅段进行加热处理；利用喷射组件向加热处理后的所述多晶硅段的柱面和至少一个侧面喷射冷却液，使所述多晶硅段破碎。由此，通过先将多晶硅棒切割为较短的多晶硅段，之后通过加热和急冷处理，使多晶硅破碎为所需的尺寸，破碎效果较好。
电子多晶破碎方法

[发明专利]硅芯夹持件及其制备方法、还原炉-CN202310387428.5在审
发明人：张天雨;王付刚;袁北京;田新;蒋文武 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅制备技术领域，具体涉及一种硅芯夹持件及其制备方法、还原炉。硅芯夹持件包括：石墨本体，石墨本体具有相对设置的第一端和第二端、以及连接第一端和第二端的侧面，第一端具有硅芯固定槽，第二端具有电极连接槽，硅芯固定槽的侧壁具有硅芯接触区和与硅芯接触区邻接的非接触区；多晶硅层，多晶硅层覆盖第一端的端面和侧面且不覆盖电极连接槽的内壁和硅芯接触区。位于石墨本体表面的多晶硅层将多晶硅棒制备过程中石墨本体原本暴露在反应气氛中的第一端的端面和侧面覆盖住，避免了石墨本体暴露在反应气氛中，从而避免了石墨本体中的杂质进入到反应气氛中进而沉积到硅芯上，降低了多晶硅棒中的杂质含量，提高了多晶硅棒的纯度。
夹持及其制备方法还原

[发明专利]电子级多晶硅粉及其制备方法-CN202310415661.X在审
发明人：张天雨;王付刚;袁北京;田新;蒋文武 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯多晶硅粉的制备方法，包括将硅块置入破碎容器中，所述破碎容器的侧壁具有多个间隔设置的孔洞，所述硅块的粒径大于所述孔洞的直径；将盛有所述硅块的所述破碎容器放入盛有酸液的酸液池中，并使得所述破碎容器在所述酸液池中进行滚动，得到所述硅粉碎屑；对所述硅粉碎屑进行冲洗，去除所述硅粉碎屑中的碎屑，得到硅粉；依次对所述硅粉进行清洗、干燥，得到干燥的所述硅粉。由此，该方法的制备工艺简单，效率高，可制备出高纯度的电子级多晶硅粉。
电子多晶及其制备方法

[发明专利]三氯氢硅的提纯方法及多晶硅-CN202310190117.X在审
发明人：吴锋;张正阳;吴冬;赵春梅;田新;蒋文武;徐玲锋;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种三氯氢硅的提纯方法及多晶硅，将三氯氢硅混料通入反应器中，所述三氯氢硅混料包括三氯氢硅和杂质，所述杂质包括二甲基氯硅烷和甲基二氯硅烷中的至少之一，所述反应器中放置有催化剂；将反应器加热至反应温度反应预定时间，使得所述二甲基氯硅烷和/或所述甲基二氯硅烷转化为三甲基氯硅烷，得到反应产物；对所述反应产物进行精馏处理，将所述三甲基氯硅烷去除，得到所述三氯氢硅。该方法不仅生产效率高，成本低，并且可以显著提高三氯氢硅提纯率，最终可得到高纯多晶硅产品。
三氯氢硅提纯方法多晶

[发明专利]纳米硅及其制备方法和锂离子电池负极材料-CN202310166361.2在审
发明人：田新;江宏富;赵佳旗;张建立;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B33/029 文献下载
摘要：本发明提供了纳米硅及其制备方法和锂离子电池负极材料。制备纳米硅的方法包括：S100：将混合气体通入预热器进行预热达到预热温度，混合气体包括反应硅基气体和载气；S200：将预热后的混合气体通过气相反应器的第一进气口通入气相反应器中进行气相沉积反应，得到气粉混合产物，气相沉积反应的温度大于预热温度；S300：对气粉混合产物进行冷却、分离，得到纳米硅和尾气，纳米硅的平均粒径小于等于100nm，步骤S100、步骤200以及步骤S300均在惰性气体保护下进行。通过上述方法气相沉积法制备纳米硅，可以得到粒径小于等于100nm的纳米硅，上述步骤均在惰性气体保护下完成的，进而有助于得到纯度较高的纳米硅。
纳米及其制备方法锂离子电池负极材料

[发明专利]导电纳米硅及其制备方法和锂离子电池-CN202310172404.8在审
发明人：江宏富;张建立;王德云;田新;赵佳旗;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了导电纳米硅及其制备方法和锂离子电池。制备导电纳米硅的方法包括：向硅原料中加入硼和\或磷，得到硅基合金；将硅基合金进行破碎、制粉处理，得到硅基合金粉末；在硅基合金粉末和分散剂逐渐的加入到分散罐中的分散液中，之后将分散罐密封，且分散罐中为保护气体，搅拌得到硅浆料；将硅浆料进行研磨处理，得到超细纳米硅浆料；对超细纳米硅浆料进行干燥处理，得到导电纳米硅。含微量硼和\或磷等元素的纳米硅具有高导电性，解决硅粒子界面电阻较大和锂离子在硅粒子的内部迁移困难问题；缓解锂离子电池发热升温现象，降低安全隐患，提升电池使用寿命；解决纳米硅浆料在应用中出现的比较严重的团聚问题。
导电纳米及其制备方法锂离子电池

[发明专利]干燥多晶硅的方法-CN202211448780.7在审
发明人：张天雨;王付刚;袁北京;田新;蒋文武 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： F26B3/347 文献下载
摘要：本发明公开了一种干燥多晶硅的方法，该方法包括：(1)对处于负压状态的多晶硅同时进行震荡和加热，以便得到一次处理多晶硅；(2)对处于负压状态的一次处理多晶硅进行加热，以便得到二次处理多晶硅；(3)对处于负压状态的二次处理多晶硅同时进行震荡和加热，以便得到三次处理多晶硅；(4)采用惰性气体对三次处理多晶硅进行降温，以便得到干燥后的多晶硅。由此，显著增强了多晶硅的干燥效果，显著降低了多晶硅表面发生氧化的概率，有利于提高下游的单晶拉制效果。
干燥多晶方法

[实用新型]定量测试多晶硅含水量的系统-CN202222970939.3有效
发明人：张天雨;王付刚;袁北京;田新;蒋文武 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种定量测试多晶硅含水量的系统，该系统包括：容纳多晶硅的密封装置，密封装置设有进气口和出气口；加热装置，加热装置的一端通过第一管路与进气口相连，加热装置包括加热单元和温度监测单元；水分测试仪，水分测试仪的一端通过第二管路与出气口相连，水分测试仪的另一端通过第三管路与加热装置的另一端相连；气体泵，气体泵设置在第一管道和/或第二管道和/或第三管道；供气装置，供气装置通过第四管路与加热装置相连。由此，实现了对多晶硅含水量的定量测试，增强了对多晶硅干燥程度的判断，提高了实际生产效率。
定量测试多晶含水量系统

[发明专利]多晶硅块的包装方法-CN202211529171.4有效
发明人：张天雨;田新;蒋文武;吴鹏;鲍琳;王镇;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B65B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅块的包装方法，该多晶硅块的包装方法包括：（1）以第一速率对装有多晶硅块的包装袋进行第一次抽真空；（2）以第二速率对第一次抽真空后的包装袋进行第二次抽真空，以便对包装袋完成第一次塑形；（3）向第一次塑形后的包装袋充入惰性气体；（4）以第三速率对充入惰性气体后的包装袋进行第三次抽真空，以便对包装袋完成第二次塑形，密封；其中，第二速率小于第一速率，第三速率小于第一速率。由此，显著减小了多晶硅块包装袋被戳破的概率，显著减少了多晶硅块运输过程中的碰撞次数，显著减少了多晶硅块被氧化或污染的概率，实现了多晶硅块的安全有效包装和运输。
多晶包装方法

[实用新型]电子级多晶硅清洗装置-CN202222971518.2有效
发明人：张天雨;王付刚;袁北京;田新;蒋文武 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了电子级多晶硅清洗装置。该装置包括清洗篮筐和条状分隔件，清洗篮筐的底板和侧壁围合成容纳区，底板上间隔设置有多个第一通孔，侧壁上间隔设置有多个第二通孔；多个条状分隔件间隔设置在底板上和/或侧壁上，每个条状分隔件的至少一部分位于容纳区内，每个条状分隔件上均设有多个第三通孔，且至少部分第三通孔位于容纳区内并沿条状分隔件的长度方向和/或周向间隔分布。通过采用该装置对硅块进行清洗或后期干燥，可以有效促使清洗液或干燥热风渗透至硅块堆积料的表面及内部，提高对硅块清洗或干燥的效果和效率。
电子多晶清洗装置

[实用新型]取样充装一体化装置-CN202122469921.0有效
发明人：李福中;陈卓;张旭;袁北京;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： B67C3/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种取样充装一体化装置,包括：充装容器；取样器；管道组件，管道组件包括：第一管道、第二管道和第三管道，第一管道、第二管道和第三管道的一端相连，第一管道的另一端用于连接产品罐，第二管道的另一端用于连接充装容器，第三管道的另一端用于连接取样器；阀门组件，阀门组件连接在管道组件上，以控制通断；操作器，操作器与阀门组件电连接，操作器具有至少一个检测件，检测件的检测端设在充装容器、取样器、管道组件的至少一个上。该装置可以完成取样过程和充装过程，两个过程切换时不需要物料接触空气，减少了污染可能性，也减少了物料污染取样设备、影响检测结果的可能性。
取样一体化装置

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