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[发明专利]等离子体刻蚀装置-CN201911000922.1在审
发明人：赵博超;施洋;郑江楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本申请涉及半导体加工设备技术领域，具体涉及一种等离子体刻蚀装置。本申请实施例提供了一种等离子体刻蚀装置，包括反应腔，反应腔内设置有:静电吸盘，静电吸盘用于吸附待处理晶片；等离子体束释放口，等离子体束缚口用于形成轰击待处理晶片的等离子体束；电场发生器，电场发生器用于产生电场；当等离子体刻蚀装置工作时，反应腔内形成有磁场，磁场沿着等离子体束的径向延伸；电场沿等离子体束的轴向延伸。本申请通过电场轴向穿过等离子体束，磁场径向穿过等离子体束，从而使得等离子体束中会形成环向等离子体流，使得等离子体束中的等离子体分布均匀，提高等离子体束的稳定性。
等离子体束等离子体刻蚀装置电场反应腔待处理晶片电场发生器静电吸盘磁场申请半导体加工设备等离子体分布等离子体等离子体流磁场径向径向延伸轴向穿过轴向延伸释放口轰击环向吸附穿过束缚

[发明专利]一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法-CN201611130191.9有效
发明人：朱嘉琦;姚凯丽;代兵;杨磊;赵继文;舒国阳;刘康;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C01B32/26 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，本发明涉及金刚石微粉生长技术领域。本发明要解决现有制备人造金刚石成本较高、质量较低、不易分散、工艺不可控、衬底选择受限的问题。方法：一、石墨片的表面处理；二、利用等离子体刻蚀法在石墨上制备金刚石；三、分散金刚石颗粒，即完成等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。本发明用于一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。
金刚石颗粒制备石墨等离子体刻蚀等离子体刻蚀法金刚石微粉人造金刚石金刚石石墨片衬底受限生长

[发明专利]一种微等离子体刻蚀加工装置及方法-CN201710326311.0有效
发明人：黄永安;董必扬;叶冬;吴昊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种微等离子体刻蚀加工装置，所述微等离子体刻蚀加工装置包括第一运动机构、第二运动机构及电喷印喷头，所述电喷印喷头连接于所述第一运动机构；所述微等离子体刻蚀加工装置还包括单针式等离子体喷头及扫描式等离子体喷头；所述单针式等离子体喷头及所述扫描式等离子体喷头之一可拆卸地连接于所述第二运动机构上，所述第二运动机构带动所述单针式等离子体喷头或者所述扫描式等离子体喷头进行移动，进而采用直写式或者掩膜式对石墨烯薄膜进行图形化加工本发明还涉及微等离子刻蚀加工方法。上述的微等离子体刻蚀加工装置可同时实现直写式及掩膜式，依工况选择直写式或者掩膜式，提高了效率及精度。
一种等离子体刻蚀加工装置方法

[发明专利]一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备-CN202011456912.1在审
发明人：李相龙;周娜;李琳;王佳;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备，涉及半导体技术领域，用于调节气体注入部的端部与待刻蚀对象之间的距离，确保待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，提高刻蚀均匀性。所述反应腔室设备包括：气体注入部和升降调节部；气体注入部的第一端通过反应腔室的电介质窗口伸入反应腔室内，气体注入部内开设有向反应腔室内提供刻蚀气体的供气通道；升降调节部与气体注入部的第二端连接，升降调节部用于调节气体注入部的第一端与待刻蚀对象之间的距离所述反应腔室应用于感应耦合等离子体刻蚀设备中。
一种反应感应耦合等离子体刻蚀设备

[发明专利]电感耦合线圈和工艺腔室-CN201710426975.4有效
发明人：刘海鹰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01F38/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种电感耦合线圈和工艺腔室。所述电感耦合线圈用于将射频能量通过介质窗耦合到工艺腔室内，所述线圈包括至少一个线圈绕组，所述线圈绕组包括至少两个线圈分支，所述至少两个线圈分支分别位于具有预设高度差的不同的水平面内，且通过线圈过渡段相连；其中，所述电感耦合线圈的输入端和输出端位于与所述介质窗距离较远的所述线圈分支上。该结构的电感耦合线圈通入射频源时，能够改善耦合到工艺腔室内的电场强度的分布，从而能够改善等离子体分布的均匀性，提高等离子体刻蚀晶片良率，提高产品良率。
电感耦合线圈工艺

[发明专利]一种等离子体刻蚀反应器-CN201711318324.X在审
发明人：贺小明;陈星建;刘身健;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于等离子体刻蚀反应器，反应器包括腔体，腔体围绕而成的空间内设置有待处理基片，基片上方包括反应空间，反应气体和射频功率被输送到反应空间形成等离子体，对基片进行刻蚀，腔体的内壁表面形成有抗等离子体涂层，以防止腔体内刻蚀晶圆用的等离子体对内壁的腐蚀，抗等离子体涂层的表面材料层的粗糙度≤1μm，且抗等离子体涂层的表面材料层的孔隙率低于1％，厚度大于10um，所述抗等离子体涂层的表面材料层由包括氟和钇的化合物组成本发明具有改善等离子腔体内部表面或腔体内壁表面的结构稳定性，提高等离子体刻蚀过程的性能，且满足先进的等离子体刻蚀工艺的要求，降低生产成本的优点。
等离子体涂层表面材料层腔体等离子体刻蚀反应器等离子体等离子体刻蚀反应空间刻蚀化合物组成结构稳定性等离子腔反应气体内壁表面腔体内壁射频功率反应器粗糙度孔隙率体内部晶圆体内腐蚀

[发明专利]一种等离子体刻蚀反应器-CN202211165260.5在审
发明人：贺小明;陈星建;刘身健;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体刻蚀反应器，反应器包括腔体，腔体围绕而成的空间内设置有待处理基片，基片上方包括反应空间，反应气体和射频功率被输送到反应空间形成等离子体，对基片进行刻蚀，腔体的内壁表面形成有抗等离子体涂层，以防止腔体内刻蚀晶圆用的等离子体对内壁的腐蚀，抗等离子体涂层的表面材料层的粗糙度≤1μm，且抗等离子体涂层的表面材料层的孔隙率低于1％，厚度大于10um，所述抗等离子体涂层的表面材料层由包括氟和钇的化合物组成本发明具有改善等离子腔体内部表面或腔体内壁表面的结构稳定性，提高等离子体刻蚀过程的性能，且满足先进的等离子体刻蚀工艺的要求，降低生产成本的优点。
一种等离子体刻蚀反应器

[发明专利]用于相对于硅选择性刻蚀介电材料的方法和系统-CN200680052604.4无效
发明人：朱利恩·A·库克 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于在干法等离子体刻蚀系统中相对于硅和多晶硅选择性、均匀地刻蚀介电层的方法和系统。刻蚀化学物质包括氟烃的使用，例如CH₂F₂和CHF₃。高刻蚀选择性和可接受的均匀性可以通过以下方式来实现：选择包括CH₂F₂的流率和耦合到干法等离子体刻蚀系统的功率在内的工艺条件，以使得在刻蚀等离子体内形成活性刻蚀基团和聚合物形成基团的适当平衡
用于相对于选择性刻蚀材料方法系统

[发明专利]等离子体刻蚀设备及刻蚀方法-CN201811061619.8在审
发明人：卫晶;韦刚;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包括等离子体发生装置、用于承载晶片基座和用于为基座供电的偏压电源，其中，所述偏压电源能够周期性地输出电压，所述偏压电源的每个输出周期都包括正偏压输出阶段和负偏压输出阶段所示等离子体刻蚀设备可以提供刻蚀选择比较高的等离子体。
等离子体刻蚀设备方法

[发明专利]清洁图案化设备以及在衬底上沉积层系统的方法和系统-CN200810109520.0无效
发明人：乌里·霍夫曼;卓斯·曼纽尔·迪格茨－加波 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：图案化设备至少具有沉积于其上的有机涂敷材料，方法包括这样的步骤：提供清洁等离子体，以通过等离子体刻蚀处理从图案化设备除去涂敷材料。在从图案化设备除去涂敷材料的步骤期间，图案化设备的温度不超过给图案化设备造成破坏的临界温度，同时维持的等离子体刻蚀率至少为0.2μm/min，特别是0.5μm/min，特别是1μm/min，特别是2.5μm为了产生脉冲清洁等离子体，提供脉冲能量。该方法可以在直接等离子体刻蚀处理中或远程等离子体刻蚀处理中执行。不同的刻蚀处理可以组合或者顺序执行。
清洁图案设备以及衬底沉积系统方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀方法-CN201810809089.4有效
发明人：卫晶;韦刚;陈国动;牛晨;王桂滨;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开提供了一种等离子体刻蚀方法，用于刻蚀反应腔室内的待加工工件，所述等离子体刻蚀方法包括至少一个刻蚀步骤，在每个所述刻蚀步骤中，包括调节上电极射频电源与下电极射频电源之间的相位差的步骤，以调节等离子体的角向分布状态
一种等离子体刻蚀方法

[发明专利]等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法-CN201811147305.X在审
发明人：周亚勇;罗林;刘家桦 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀装置及其等离子体刻蚀方法，所述等离子体刻蚀装置包括：刻蚀腔室；晶圆基座，位于所述刻蚀腔室内；聚焦环，环绕所述晶圆基座，以围成用于放置晶圆的区域；导电环，内嵌于所述聚焦环，且具有负电势。本发明方案可以在聚焦环变薄时，降低晶圆边缘区域的刻蚀速率，减少甚至避免对晶圆边缘区域的刻蚀效果的影响，提高半导体器件的品质。
等离子体刻蚀装置聚焦环等离子体刻蚀晶圆边缘区域晶圆基座半导体器件刻蚀腔室刻蚀效果导电环负电势刻蚀腔变薄晶圆刻蚀内嵌环绕室内

[发明专利]一种干法去除硅化物形成过程中多余金属的方法-CN02112151.6无效
发明人：胡恒升 -专利权人：上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2002-06-20 - 公布日： 2003-02-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明采用等离子体干法刻蚀的方法去除残留金属，包括采用各向同性等离子体刻蚀，和采用各向异性等离子体刻蚀，使用等离子体干法刻蚀工艺大大缩短了硅片处理时间，提高了产能。
一种去除硅化物形成过程多余金属方法

[发明专利]用于调整带电的法拉第屏蔽上的电压的方法-CN03818433.8有效
发明人： S·P·罗霍卡尔;A·库蒂;A·D·拜利三世 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2003-07-23 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种用来调整施加在电感耦合等离子体刻蚀设备的法拉第屏蔽上的电压的设备与方法。一适当电压被便利地且可变地施加至法拉第屏蔽上，以便可以控制等离子体的溅射，以避免及减少非挥发性反应产物的沉积，该非挥发性反应产物会负面影响刻蚀工艺。通过简单调整调谐电容器，将用于特定刻蚀工艺或步骤的适当电压施加至法拉第屏蔽。因此不需要机械性的重新配置刻蚀设备来调整法拉第屏蔽电压。
用于调整带电法拉第屏蔽电压方法

[实用新型]等离子体刻蚀机-CN201821227670.7有效
发明人：刘波;单书珊;乔彦彬;李建强;陈燕宁;张海峰 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体刻蚀机。该等离子体刻蚀机包括：反应舱、观察窗、显微镜。该反应舱用于采用等离子体对被刻蚀样品进行刻蚀，该被刻蚀样品平放于所述反应舱内。观察窗被配置于所述反应舱的舱体上表面，通过该观察窗能够从上至下的方向观察所述反应舱内的被刻蚀样品。所述显微镜的物镜位于所述观察窗的正上方，用于透过所述观察窗对所述反应舱内的被刻蚀样品的进行观察。所述等离子体刻蚀机在刻蚀实验过程中通过正上方的显微镜物镜可以实时观察样品的细微结构，无需反复拿出被刻蚀样品就可以观察刻蚀进度，节省了等离子体刻蚀机开关反应舱时抽真空和充气的时间，大大提高了实验效率。
反应舱等离子体刻蚀机刻蚀样品观察窗显微镜刻蚀等离子体本实用新型显微镜物镜从上至下刻蚀实验实时观察实验效率细微结构抽真空上表面舱体充气观察平放物镜进度配置