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- [发明专利]光刻多余图形的检测方法-CN202111239114.8在审
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沈小娟
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无锡职业技术学院
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2021-10-25
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2021-12-14
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G03F7/20
- 本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种光刻多余图形的检测方法,包括:步骤1:光刻机在涂布有光刻胶的硅片上曝光管芯区域,设定硅片上的光刻版曝光区域为完整的管芯区域;控制光刻机工作台使硅片沿X方向和Y方向歩进M次,每次步进距离为N;其中,步进次数M为5‑15次,步进距离N为10‑50 um;步骤2:显影,检测周围未曝光区域是否有多余图形;若没有,则无光刻多余图形;若有,则通过扫描电子显微镜对多余图形进行定位;步骤3:根据多余图形的位置判断是否停止光刻机工作。本发明判断是否产生多余曝光图形,避免潜在的管芯良率损失。
- 光刻多余图形检测方法
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