“陈星建”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果75个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种陶瓷材料加工方法-CN202210375546.X在审
发明人： 陈星建;陈煌琳 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷材料加工方法，包括：浸渍：将陶瓷坯体浸渍于液态聚碳硅烷前体中，使液态聚碳硅烷前体填充所述陶瓷坯体的缺陷；交联固化：使液态聚碳硅烷前体在所述缺陷内部受热分解，发生氧化交联反应。本发明获得的陶瓷材料内部缺陷少、热导率高、介电损耗低。
一种陶瓷材料加工方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环-CN201910968745.X有效
发明人：段蛟;陈星建;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环，边缘环位于静电吸盘的外围，静电吸盘用于固定其上的待处理晶圆，边缘环可以包括聚焦环，聚焦环具有内侧部分和外侧部分，内侧部分位于待处理晶圆边缘的下方，外侧部分向外超出待处理晶圆的覆盖范围，外侧部分高于内侧部分，至少在聚焦环的外侧部分形成有保护涂层，保护涂层的介电常数从表面至底部逐渐增大，这样，可以使得等离子体鞘层在晶圆的整个表面保持均匀。同时即使边缘环上的保护涂层被等离子体刻蚀而发生磨损，保护涂层内部的较高介电常数的表面暴露出来，从而使保护涂层具有更好的电荷负载能力，维持等离子体鞘层的稳定，从而维持刻蚀速率的稳定性。
一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘

[发明专利]工件处理方法、工件及等离子体处理装置-CN202210844502.7在审
发明人： 陈星建;陈煌琳;史文博;朱海波 -专利权人：南昌中微半导体设备有限公司;中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B05D5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种工件处理方法、工件及等离子体处理装置，本发明公开的工件处理方法包括：覆盖：在工件上覆盖液态碳硅烷，所述液态碳硅烷至少覆盖在所述工件的待处理位置；固化：将覆盖于所述工件上的液态碳硅烷固化，形成功能层。本发明采用液态碳硅烷作为化学源，经过浸渍和低温固化，获得包含碳化硅的功能层，该功能层耐腐蚀、耐刻蚀、耐磨；致密、厚度均匀、热传导效率高、粘度高。
工件处理方法等离子体装置

[发明专利]一种复合涂层结构及其制备方法-CN202111662902.8在审
发明人： 陈星建;陈煌琳 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合涂层结构及其制备方法，该复合涂层结构包含：覆盖在基底上的阻挡层；及，设置在阻挡层外表面的牺牲层，其耐等离子体轰击；其中，阻挡层相比牺牲层在至少一种溶剂中耐腐蚀。本发明将保护性涂层设置为可去除可替换的牺牲层，并设置一阻挡层，通过阻挡层与牺牲层对溶剂的选择性，实现在不破坏基底的条件下牺牲层的清洗、翻新，降低维修成本；并通过设置阻挡层减少牺牲层的厚度，降低涂层结构的成本；使得先进陶瓷涂层材料在纳米以及原子蚀刻工艺的规模应用成为可能。
一种复合涂层结构及其制备方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀反应器-CN202211165260.5在审
发明人：贺小明;陈星建;刘身健;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体刻蚀反应器，反应器包括腔体，腔体围绕而成的空间内设置有待处理基片，基片上方包括反应空间，反应气体和射频功率被输送到反应空间形成等离子体，对基片进行刻蚀，腔体的内壁表面形成有抗等离子体涂层，以防止腔体内刻蚀晶圆用的等离子体对内壁的腐蚀，抗等离子体涂层的表面材料层的粗糙度≤1μm，且抗等离子体涂层的表面材料层的孔隙率低于1％，厚度大于10um，所述抗等离子体涂层的表面材料层由包括氟和钇的化合物组成。本发明具有改善等离子腔体内部表面或腔体内壁表面的结构稳定性，提高等离子体刻蚀过程的性能，且满足先进的等离子体刻蚀工艺的要求，降低生产成本的优点。
一种等离子体刻蚀反应器

[发明专利]一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法-CN201910920518.X有效
发明人：郭盛;陈星建;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用ALD工艺对静电吸盘进行处理的方法，包含：步骤1，将静电吸盘置于原子层沉积反应器中，通入第一反应气体，进行第一化学吸附，使得第一反应气体吸附至静电吸盘表面；步骤2，采用氮气流吹扫；步骤3，通入第二反应气体，进行第二化学吸附；步骤4，采用氮气流吹扫；步骤5，重复步骤1‑4，直到所述静电吸盘符合要求。本发明利用ALD工艺增强原E‑chuck的孔附近的耐击穿性能，对其进行有效的绝缘防护，达到稳定运行和延长使用寿命、降低成本的作用。该方法不仅有效解决电弧放电问题；且工艺过程不引入颗粒与金属污染；尤其适用于高功率和/或高温具有腐蚀性工艺气体的等离子体刻蚀环境。
一种利用 ald 工艺静电吸盘进行处理方法

[发明专利]形成耐等离子体涂层的方法、装置、零部件和等离子体处理装置-CN201911227763.9有效
发明人：段蛟;郭盛;孙祥;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种零部件上形成耐等离子体涂层的方法、形成涂层的装置、零部件和处理装置，形成涂层的装置包括：真空腔；第一涂覆材料源、第二涂覆材料源和零部件，位于真空腔内；第一涂覆材料源包含氧原子和钇原子；第二涂覆材料源包括钇氟化合物，铝氧化合物或锆氧化合物中的一种；第一激发装置，用于激发出第一涂覆材料源内的钇原子和氧原子；第二激发装置，用于激发出第二涂覆材料源内的原子；所述第一涂覆材料源内激发出的钇原子和氧原子与第二涂覆材料源内激发出的原子之间发生化学反应在零部件上形成包括具有稳定相的钇基多元金属氧化物或钇基氧氟化物的耐等离子体涂层。利用所述装置形成的涂层耐等离子体腐蚀的能力较强。
形成等离子体涂层方法装置零部件处理

[发明专利]利用ALD技术增强修复刻蚀设备部件阳极氧化涂层的方法-CN201910920519.4有效
发明人：郭盛;陈星建;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用ALD技术增强修复刻蚀设备部件阳极氧化涂层的方法，其包含：S1，将具有阳极氧化涂层的刻蚀设备部件置于原子层沉积反应器中，通入含铝第一反应气体，进行第一化学吸附，使得第一反应气体吸附至刻蚀设备部件表面；S2，采用氮气流吹扫；S3，通入第二反应气体，进行第二化学吸附；S4，采用氮气流吹扫；S5，重复步骤S1‑S4，直到刻蚀设备部件符合要求。本发明利用ALD镀膜工艺，使阳极氧化涂层中的裂纹愈合，有效地提高了抗腐蚀性能，对刻蚀设备部件进行有效的保护，不仅耐等离子体腐蚀，尤其是耐腐蚀性反应气体腐蚀，且，不涉及硬件变动，使得晶圆片远离金属和颗粒污染，达到稳定运行和延长使用寿命的目的。
利用 ald 技术增强修复刻蚀设备部件阳极氧化涂层方法

[发明专利]气体喷淋头组件及等离子体处理设备-CN201911024420.2有效
发明人：郭盛;陈星建;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体喷淋头组件及等离子体处理设备，所述气体喷淋头组件，用于等离子处理装置，包含：支撑挡板，位于支撑挡板下方并与其形成一密闭空间的安装基板；安装基板下方还包括气体喷淋板，气体喷淋板下表面面向等离子处理装置内部的处理空间，安装基板上设置有多个第一气体通孔，气体喷淋板上设置有多个第二气体通孔，第一气体通孔与第二气体通孔位置相对应，使得密闭空间与气体喷淋板下方的处理空间互相气体连通；安装基板中的第一气体通孔侧壁表面形成有抗腐蚀材料层，抗腐蚀材料层为特氟龙涂层、丙烯酸树脂涂层或环氧树脂涂层。本发明提高了刻蚀精度和产品良率，以及气体喷淋头组件的使用寿命，降低了产品的制备成本。
气体喷淋组件等离子体处理设备

[发明专利]一种微波退火装置和微波退火方法-CN201911301452.2有效
发明人：孙祥;段蛟;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种微波退火装置和微波退火方法，将微波传输至退火腔体内后，可以在预设气体氛围下对退火腔体内的待退火部件进行低温微波退火，使待退火部件表面的非晶相涂层转变为结晶相涂层，并通过改变腔体中的气氛，实现材料进一步氧化、氮化、氟化等。并且，不会对待退火部件如等离子体刻蚀设备的零部件的其他组成部分造成破坏，更不会影响等离子体刻蚀设备各部件制备工艺之间的兼容性。
一种微波退火装置方法

[发明专利]耐等离子体腐蚀部件及其制备方法，等离子体处理设备-CN202010236789.6有效
发明人：孙祥;段蛟;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B05D3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐等离子体腐蚀涂层的制备方法，包括：提供基体，预置第一涂层粉体和第二涂层粉体；提供送粉器，所述送粉器将所述第一涂层粉体覆盖所述基体，提供能量发生器，所述能量发生器发射能量束对所述第一涂层粉体扫描辐照，使所述第一涂层粉体熔融，形成第一熔融层，所述送粉器将所述第二涂层粉体覆盖所述第一熔融层，所述能量发生器发射能量束对所述第二涂层粉体扫描辐照，使所述第二涂层粉体熔融，形成第二熔融层，所述第一熔融层和第二熔融层在界面处形成具有稳定相的钇基多元金属氧化物，氟化的钇基多元金属氧化物或钇基氧氟化物。利用本发明所述方法可快速在不规则的零部件表面进行陶瓷或其复合涂层高精度的均匀涂覆。
等离子体腐蚀部件及其制备方法处理设备

[发明专利]导热导电弹性复合材料、其制备方法及半导体处理装置-CN202110710767.3在审
发明人：杨桂林;段蛟;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种导热导电弹性复合材料、其制备方法及半导体处理装置，该制备方法包含：形成一弹性骨架前驱体，所述弹性骨架前驱体至少在X方向和Y方向相互连通；对所述的弹性骨架前驱体进行预氧化处理；将预氧化的弹性骨架前驱体碳化处理，形成导电导热芯体；将所述导电导热芯体浸入软质弹性泡沫材料预聚体中，发泡，成型，得到导热导电弹性复合材料。该复合材料具有各向同性导电导热、超弹性、高压缩性、耐高温、耐腐蚀等性能，适于等离子体刻蚀腔内的工作环境。
导热导电弹性复合材料制备方法半导体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置中气体输送系统的耐腐蚀结构-CN201910466981.1有效
发明人：连增迪;左涛涛;吴迪;关瑜;陈星建;刘身健;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体处理装置中气体输送系统的耐腐蚀结构，在衬套的气体通道等处设有耐腐蚀性材料的镀层，避免与所输送的腐蚀性气体反应，减少金属污染和颗粒。本发明反向地安装喷嘴，使其可靠地覆盖出气孔内的镀层，以防止耐腐蚀性材料被腔体内产生的等离子体破坏。本发明在喷嘴暴露于腔体一侧的表面形成有耐腐蚀的氧化钇涂层，阻挡等离子体对喷嘴的侵蚀。本发明还在衬套与介质窗及腔体接触的密封面也使用了柔韧的耐腐蚀性材料，如特氟龙，来提高衬套整体的密封效果。本发明可以有效提升衬套的耐腐蚀性、密封性，增加其服役寿命，提高等离子体处理装置的运行稳定性。
等离子体处理装置气体输送系统腐蚀结构

[实用新型]一种水泵叶轮结构-CN202221927856.X有效
发明人： 陈星建;赵忠志 -专利权人：乐清市富捷电子有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： F04D29/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水泵叶轮结构，包括两个盖板和设置在两个盖板的中心通孔处的芯体，两个盖板之间形成有环绕着中心通孔设置的环形空间，任一盖板上设置有连通环形空间的灌胶孔，通过灌胶孔向环形空间内灌封填充有密封胶层，采用本技术方案，将芯体贯穿设置在中心通孔处并与两个盖板密封焊接固定，实现芯体与两个盖板之间的连接密封性，两个盖板和芯体在完成组装之后再进行密封胶层的灌胶工艺处理，优化了产品装配制程顺序，这样可以保证两个盖板安装压合的平整性，安装稳定性好，组装起来更为轻松方便，安装过程简单便捷，大幅提高安装效率，有利于降低生产制造成本。
一种水泵叶轮结构

[发明专利]一种去除半导体反应腔内金属污染的方法-CN202110479085.6在审
发明人：郭盛;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除半导体反应腔内金属污染的方法，包括：所述反应腔的内侧壁上具有金属污染物，向所述反应腔内通入碳氟气体，碳氟气体在反应腔的内侧壁形成碳氟聚合物，所述金属污染物吸附碳氟聚合物；所述金属污染物吸附碳氟聚合物之后，通入氧化性气体，所述碳氟聚合物与氧化性气体、金属污染物发生化学反应形成气态化合物。本发明提供的方法能够大幅降低腔体内的金属污染物含量，提升产品良率；在不打开半导体腔室的前提下去除腔体内壁的金属污染物，清除完成后，腔室无需预防性维护即可继续工作，缩短了加工过程之间的时间间隔；与化学溶液擦拭或清洗相比，采用通入气体的方式去除污染物能够节约成本。
一种去除半导体反应金属污染方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 75 条