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[发明专利]电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀的微光开关加工方法-CN202110005187.4有效
发明人：代俊;张崇飞;徐浩然;谢晋;熊壮;唐彬;黄金红;廖运来 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种电感耦合等离子体和聚焦离子束刻蚀的微光开关加工方法。包括两个方面：首先，利用基于电感耦合等离子体(ICP)技术的双面ICP刻蚀工艺加工SOI晶圆得到反射镜表面粗糙度较大的微光开关；然后，利用基于聚焦离子束技术的加工工艺刻蚀微光开关反射镜表面，完成对反射镜表面的微细加工基于电感耦合等离子体技术加工微光开关和聚焦离子束刻蚀微光开关反射镜表面相结合的工艺可以有效改善微光开关反射镜表面的粗糙度，提高光路的传输效率。
电感耦合等离子体聚焦离子束刻蚀微光开关加工方法

[发明专利]一种刻蚀装置-CN202011555729.7在审
发明人：郭炳容;卢一泓;胡艳鹏;李琳;张月;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀装置，该刻蚀装置包括刻蚀腔、设置在刻蚀腔内的载台。在刻蚀腔内还设置有用于刻蚀氧化物掩膜的等离子体刻蚀组件、用于调整刻蚀腔内的压强的调压组件。还包括控制单元，控制单元用于控制调压组件调整刻蚀腔内的压强呈脉冲式变化。控制单元还用于在刻蚀腔内的压强为第一设定压强时，控制等离子体刻蚀组件刻蚀氧化物掩膜；在刻蚀腔内的压强为第二设定压强时，控制等离子体刻蚀组件停止刻蚀衬底上的氧化物掩膜。第一设定压强大于第二设定压强。使等离子体刻蚀组件呈高压刻蚀‑低压停止刻蚀‑高压刻蚀等间断脉冲式的刻蚀状态，实现对氧化物掩膜的去除，同时防止氧化物掩膜下方的较大的高宽比的硅槽结构倾斜或倒塌。
一种刻蚀装置

[实用新型]一种电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件-CN202221848457.4有效
发明人：唐观扬;杨宽;左涛涛;倪图强;刘身健 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件，属于等离子刻蚀技术领域，为了解决刻蚀工艺过程中基片表面不同区域刻蚀速率不均匀的问题，本实用新型的电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件包括在反应腔内产生等离子体的射频线圈；位于射频线圈上方的通入直流电流的直流线圈，以及位于直流线圈和射频线圈之间的屏蔽层，通过设置屏蔽层，避免在等离子体工艺过程中射频线圈在直流线圈中产生感应电流，以保护直流源，减少射频损失。
一种电感耦合等离子处理设备线圈组件

[发明专利]一种用于在蓝宝石衬底上形成亚微米图案的双光刻胶互补光刻的方法-CN202211415545.X在审
发明人：赵振合 -专利权人：江苏筑磊电子科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：光刻胶放置在蓝宝石基板的中心，通过旋转涂布机进行涂布；S2、通过反应性溅射将厚度为80nm的无机氧化物光刻胶沉积在SU8层上；S3、通过圆盘激光母版系统进行光刻胶结构上的直接激光写入，再对氧化物光刻胶进行显影处理；S4、使用电感耦合等离子体刻蚀机（ICP‑RIE）在氧气等离子体气氛下，对SU8光刻胶进行蚀刻；S5、使用电感耦合等离子体刻蚀机（ICP‑RIE）在三氯化硼和氩气的联合等离子体气氛下，对蓝宝石衬底表面进行蚀刻。
一种用于蓝宝石衬底形成微米图案光刻互补方法

[发明专利]一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法-CN201710471711.0在审
发明人：聂钰节;昂开渠;江旻;唐在峰;任昱 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法，包括如下步骤提供晶圆，并进行等离子体刻蚀；采集刻蚀工艺过程中的实际等离子体发射光谱曲线；将采集到的实际等离子体发射光谱曲线与一标准曲线进行比对，判断分析等离子体刻蚀腔体的漂移情况；参考实际等离子体发射光谱曲线相对于所述标准曲线的漂移情况，分析并调整刻蚀程式的工艺参数；按照调整过的工艺参数对后续批次的晶圆进行刻蚀。本发明通过对比分析实际采集到的等离子体发射光谱曲线与标准曲线以判断刻蚀环境的漂移情况，并据此调节补偿刻蚀程式的工艺参数，再进行后续晶圆的刻蚀作业，避免了因刻蚀环境漂移带来的刻蚀关键尺寸的偏移，提高了刻蚀工艺关键尺寸的稳定性
一种改善刻蚀关键尺寸稳定性方法

[实用新型]载盘结构及等离子体刻蚀装置-CN202220538271.2有效
发明人：肖峰;苏财钰;张彬彬;苟先华 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种载盘结构及等离子体刻蚀装置，属于等离子体刻蚀技术领域。载盘结构包括：载盘本体；限位组件，限位组件为多个，多个限位组件间隔设置在载盘本体上，限位组件具有限位空间，待刻蚀件放置在载盘本体上且位于限位空间内，载盘本体开设有气孔，用于与等离子体刻蚀装置的真空抽气口连通本实用新型解决了现有技术中刻蚀均匀性较差的问题。
盘结等离子体刻蚀装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202210019518.4有效
发明人：廖军;沈安星 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，在执行第三等离子体刻蚀工艺以刻蚀氮氧化层与氮化层之前，先执行第二等离子体刻蚀工艺，以去除部分厚度的氮氧化层，可以减少氮氧化层与氮化层的总厚度，后续执行第三等离子体刻蚀工艺时，可以减少氮氧化层和氮化层的总刻蚀时间，由此避免因图形化的光刻胶层返工造成的氮氧化层和氮化层的总刻蚀时间超出预定的刻蚀时间，从而解决因机台停机而造成的器件良率低的问题。
半导体器件制造方法

[发明专利]等离子体刻蚀装置排气环-CN200510126354.1有效
发明人：赵梦欣 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体刻蚀装置。本发明提出的等离子体刻蚀装置排气环，其中环上有通孔，孔的剖面形状优选是漏斗形。本发明的优点和积极效果在于：由于所述排气环具有通孔，因此有利于反应气体的导通性；同时由于排气环剖面采用漏斗形，增大接地面积，更加有效地将屏蔽等离子体，使等离子体限制在一定区域内。
等离子体刻蚀装置排气

[发明专利]电感耦合线圈及其电感耦合等离子体装置-CN200510002966.X有效
发明人：宋巧丽 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01F5/00 文献下载
摘要：本发明所述的电感耦合线圈由内部线圈组与外部线圈组连接而成；内部线圈组和外部线圈其中一个线圈由两个或两个以上的不同直径的线圈并联而成。采用了这种结构的电感耦合等离子体装置减小了电感耦合线圈的电感，从而可以很容易地获得大面积的等离子体和改善大面积工艺中等离子体的均匀性。在线圈的输出端接一个接地电容，使得等离子体的分布在径向和方位角方向也更加均匀。内外平面线圈结构的设计改变了等离子体在反应腔室内部的分布，改善了等离子体在反应腔室内部的分布均匀性，从而使得在晶片表面上各点的刻蚀速率更加相近。即使随着晶片尺寸的增大，该技术方案也能很好地控制从晶片中央到边缘的刻蚀速率和均匀性。提高刻蚀晶片的质量。
电感耦合线圈及其等离子体装置

[发明专利]等离子体刻蚀设备-CN201911418496.3有效
发明人：周艳;徐朝阳 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备包括：电极组件，该电极组件具有第一电极和第二电极，且二者间具有间隙；等离子体约束环，其上表面具有高度小于第二电极上表面的设定空间；移动环组件；驱动机构，该驱动机构能够改变移动环组件的空间姿态，使得移动环组件处于第一姿态，露出间隙，以便于在第二电极上表面放置待刻蚀晶圆，或使得移动环组件处于第二姿态，密封间隙的四周，且隔离间隙与设定空间，以形成第一等离子体分布空间，或使得移动环组件处于第三姿态，密封间隙的四周，且连通间隙与设定空间，以形成第二等离子体分布空间。应用本发明提供的等离子体刻蚀设备，实现了等离子体体积大小的调节，结构简单，易于操作。
等离子体刻蚀设备

[发明专利]一种电感耦合等离子体陶瓷窗冷却装置-CN201410595877.X在审
发明人：周旭升;龚岳俊 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电感耦合等离子体陶瓷窗冷却装置，该装置包含：圆柱筒支架；与圆柱筒支架连接的绝缘板；均匀设置在绝缘板上的第一线圈；设置在绝缘板中部的第二线圈组件；设置在第二线圈组件上方的腔体顶部的风扇；与圆柱筒支架内顶部连接本发明通过在电感耦合等离子体陶瓷窗内设置截面呈一对直角三角形或一对直销梯形的多个导流环，使得电感耦合等离子体陶瓷窗充分冷却，确保电感耦合等离子体陶瓷窗及与其下部结合的电感耦合等离子体反应器的温差降低，使得经TSV刻蚀后的产品质量稳定，保证刻蚀的均匀性。
一种电感耦合等离子体陶瓷冷却装置

[实用新型]电感耦合线圈及其电感耦合等离子体装置-CN200420072904.7无效
发明人：陈鹏 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2004-06-29 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01F5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电感耦合线圈及其电感耦合等离子体装置。所述的电感耦合线圈结构由两个或两个以上直径不同的多匝数线圈组成；各个多匝数线圈互相连接组成一个三维绕组线圈。所述的装置为设置有所述的电感耦合线圈的等离子体装置。本实用新型提供的电感耦合线圈可以产生较为均匀的电磁场，从而保证了基于该线圈设计的电感耦合等离子体装置可以产生均匀的等离子体，该装置在0.1mTorr－1Torr的气体压力的条件下均可以产生均匀的等离子体因此，在半导体制造工艺如果采用本实用新型所述的电感耦合等离子体装置，则可以很好地满足半导体制造过程中的各向异性、等向性刻蚀及化学气相沉积等工艺要求。
电感耦合线圈及其等离子体装置

[发明专利]一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法-CN201210112158.9无效
发明人：刘朋;王振中;李超 -专利权人：无锡派腾微纳米科技有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法，包括：提供衬底材料，所述衬底材料表面外延生长氮化镓层，所述氮化镓层表面生长铝镓氮层；通过第一次等离子体刻蚀，形成工作区域；通过第二次等离子体刻蚀形成源极和漏极接触区域；沉积源极和漏极金属；通过第三次等离子体刻蚀金属形成源极和漏极结构；高温退火形成源极和漏极欧姆接触；向栅极区域注入氟离子；沉积栅极金属；通过第四次等离子体刻蚀形成栅极结构；通过本发明所提供的方法可以提供与现有硅器件生产线相兼容的生产方法
一种常闭型氮化场效应晶体管制造方法

[实用新型]电感耦合线圈及其电感耦合等离子体装置-CN200520001647.2无效
发明人：申浩南 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01F5/00 文献下载
摘要：本实用新型所述的电感耦合线圈及其电感耦合等离子体装置，包括反应腔室、石英体，电感耦合线圈，所述电感耦合线圈由两个或两个以上组成；电感耦合线圈在空间堆叠式分布；电感耦合线圈的输入端和输出端分别与电源相连。改变电感耦合线圈的匝数和形状，通过两个或两个以上的电感耦合线圈的组合，达到控制反应腔体中等离子体分布均匀的要求，使晶片表面发生的化学反应速度差异较小，刻蚀速率均匀，提高刻蚀晶片的质量。
电感耦合线圈及其等离子体装置

[发明专利]PZT图形化方法-CN201910680688.5在审
发明人：蒋中原;许开东;车东晨;谷志强;韩大建;冯英雄;刘鹏;刘建;吴志浩 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：首先在离子束(或反应离子等离子体)刻蚀腔内通过离子束(或反应离子等离子体)对晶圆上的PZT进行部分刻蚀，然后将晶圆从离子束(或反应离子等离子体)刻蚀腔传输至反应离子等离子体(或离子束)刻蚀腔，在反应离子等离子体(或离子束)刻蚀腔内通过反应离子等离子体(或离子束)对晶圆上的PZT进行二次刻蚀；上述过程中，晶圆始终处于真空中；重复上述过程，直至PZT刻蚀完全。本发明结合了离子束刻蚀和反应离子等离子体刻蚀，消除了单一刻蚀法带来的侧壁沉积和损伤，提高了刻蚀速率。
反应离子等离子体离子束刻蚀腔晶圆刻蚀图形化等离子体刻蚀离子束刻蚀二次刻蚀侧壁沉积损伤传输重复