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[发明专利]一种用于太阳能电池的等离子体光学增益膜-CN202011607488.6有效
发明人：荣康;邹睿;王建勇;曹云鹤;冯盛贤;陈文;姜瀚;刘光林;蒲启婵;周昊 -专利权人：贵州梅岭电源有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种用于太阳能电池的等离子体光学增益膜，该膜由LB法组装、电感耦合等离子体刻蚀、镀膜步骤制成；所述镀膜厚度为4‑10nm；本发明的增益膜避免了对透过光的过多吸收，同时也避免了
一种用于太阳能电池等离子体光学增益

[发明专利]一种可调整局部耦合强度的ICP线圈-CN200510126283.5有效
发明人：申浩南 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及电感耦合等离子体装置线圈。本发明公开的一种可调整局部耦合强度的ICP线圈，包括线圈基体，其中，线圈基体上串连若干个螺旋线圈。本发明能够任意调整线圈与等离子体局部的耦合强度，使晶片加工反应腔室中等离子体均匀分布，从而改变局部的刻蚀速率，改善晶片刻蚀均匀性。
一种可调整局部耦合强度 icp 线圈

[发明专利]一种改善等离子体启辉及稳定性的方法及装置-CN201811578691.8在审
发明人：李雪冬;刘小波;胡冬冬;车东晨;李娜;徐康宁;陈璐;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开一种改善等离子体启辉及稳定性的方法及应用该方法的装置，所述方法用于将气体稳定激发为等离子体，设置电感耦合线圈外圈到反应腔室的接地端的距离小于电感耦合线圈内圈到接地端的距离；调节与电感耦合线圈串联的电容值，使电感耦合线圈外圈端口的电压始终高于电感耦合线圈内圈端口的电压。这种电感耦合线圈外圈和内圈间的电压差不仅有利于等离子体启辉，扩大工艺窗口；还有利于维持工艺过程中等离子体的稳定性，提高工艺重复性。同时由于高电压的区域位于电感耦合线圈的外圈，对晶圆表面以及刻蚀或沉积速度的影响最小。
电感耦合线圈等离子体启辉内圈接地等离子体工艺重复性中等离子体反应腔室工艺窗口工艺过程晶圆表面电压差高电压电容沉积刻蚀串联激发应用

[发明专利]一种利用等离子体刻蚀技术制备纯相MXene的方法-CN202010722892.1在审
发明人：张义东;邵荣;丁建飞;许伟;颜秀花 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C01B32/949 文献下载
摘要：本申请公开了一种利用等离子体刻蚀技术制备纯相MXene的方法，以Mo2Ca2C为前驱体，借助常规的等离子体刻蚀设备，以CF4/Ar气体取代强腐蚀性的HF溶液作为刻蚀剂，通过等离子体刻蚀技术制备纯相MXene，刻蚀剂在射频作用下激发为含氟的等离子体气团，一方面保留了具有选择性刻蚀能力的F元素，另一方面，排除O元素源和H元素源的干扰，最大限度保持刻蚀剂的纯净性，此外，刻蚀剂中的惰性气体Ar，在射频作用下形成分子量较大的带电等离子体气团，利用刻蚀腔偏置电压产生的电场，加速Ar带电基团的移动速度，产生轰击作用，将刻蚀产生的多层MXene材料剥离为单层MXene材料，与传统的液相超声剥离法相比，排除了液相中杂质基团的吸附干扰。
一种利用等离子体刻蚀技术制备 mxene 方法

[实用新型]一种等离子体刻蚀装置及其扩散装置-CN201920083740.4有效
发明人：周腾;邱克强;刘正坤;徐向东;洪义麟;付绍军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体刻蚀装置及其扩散装置，其特征在于，包括：中空的端口放大装置(1)，所述端口放大装置(1)的进口端用于与等离子体源输出端密封连接，所述端口放大装置(1)的进口的面积小于出口的面积通过设置端口放大装置可在一定程度上增大小型等离子体发生器形成的等离子体区域。本实用新型还公开了一种具有上述等离子体扩散装置的等离子体刻蚀装置。
放大装置等离子体刻蚀装置本实用新型扩散装置栅栏等离子体发生器等离子体扩散等离子体区域等离子体源密封连接出口端进口端输出端中空的出口进口

[发明专利]SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置-CN202310029856.0有效
发明人：皮孝东;张玺;王蓉;朱如忠;王万堂;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置，所述SiC晶圆切割片加工方法对SiC切割片具有切割损伤层的表面先进行氯基气体等离子体刻蚀，再对氯基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行氟基气体等离子体刻蚀，并对氟基气体等离子体刻蚀完的SiC切割片表面进行精抛并进行清洗，不需要对SiC切割片具有切割损伤层的表面进行研磨、粗抛处理，后续直接进行精抛，不仅省却了两步研磨抛光工艺，更省却了研磨抛光后的多步清洗步骤，能有效减少清洗流程化学试剂用量，实现了SiC切割片同步刻蚀均匀去除的效果，对工业化生产提高加工效率具有指导意义。
sic 切割加工方法装置

[发明专利]制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备-CN03136012.2有效
发明人：金南宪 -专利权人：自适应等离子体技术株式会社
申请日： 2003-03-25 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备。等离子体刻蚀设备包括CCD，光分量提取器，K值计量器，比较器，存储器，控制器，供气部件和定时器。等离子体刻蚀设备还包括：内部放置和刻蚀晶片的处理室；密封处理室上端的第一顶；绕在顶上给处理室产生电场的线圈；通过顶的预定部分设置的至少一个发光极尖，向晶片发光和接收由晶片反射的光；和多个喷嘴，每个喷嘴设置在发光极尖周围和通过顶的预定部分
制造半导体器件等离子体刻蚀方法设备

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202111062721.1在审
发明人：李蒙 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，所述方法包括：于反应室内对半导体结构进行刻蚀处理，得到第一刻蚀结构；在所述反应室内对所述第一刻蚀结构的上表面进行预设等离子体刻蚀处理，得到去除刻蚀副产物后的第二刻蚀结构；其中，用于形成所述预设等离子体的气体中最大分子质量小于或等于氦原子质量，使得相同刻蚀条件下的预设等离子体的行程小于氦原子的行程，在利用预设等离子体刻蚀去除第一刻蚀结构上表面的刻蚀副产物的过程中，避免预设等离子体轰击刻蚀腔体内壁表面形成颗粒状固体，掉落在第一刻蚀结构的上表面，从而提高了制成半导体产品的良率。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法-CN201010227180.9有效
发明人：黄俊;魏珂;刘新宇;刘果果;樊捷 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。本发明通过增大ICP等离子体刻蚀机反应腔体内的等离子体分布体积，降低等离子体密度，缩短等离子体加速距离，达到消除GaN外延片厚度对栅槽刻蚀的影响，降低GaNHEMT栅槽刻蚀过程中的等离子体轰击损伤，提高器件直流和高频特性
一种提高 gan hemt 刻蚀重复性方法

[发明专利]等离子体刻蚀系统-CN201310719121.7有效
发明人：杨平;黄智林 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体刻蚀系统，其特征在于，包括，射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中，所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接；通过本发明提供的等离子体刻蚀系统能够检测脉冲等离子体刻蚀工艺的终点。
等离子体刻蚀系统

[实用新型]一种用于掩模版制作中的等离子体刻蚀装置-CN202220508408.X有效
发明人：王国荃 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于掩模版制作中的等离子体刻蚀装置，所述装置至少包括：圆筒，所述圆筒包括圆筒本体以及所述圆筒本体的内部空间形成的反应室；底架，设于所述反应室内，待处理的所述掩模版固定于所述底架上；射频电极通过在显影后追加本实用新型的等离子体刻蚀装置，利用等离子体刻蚀装置就可以消除抗蚀剂底膜溶胀造成的毛刺及残膜现象，从而使得抗蚀剂图形边缘平整光滑，提高图形分辨率。
一种用于模版制作中的等离子体刻蚀装置

[发明专利]一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法-CN201910130903.4在审
发明人：熊天英;崔新宇;沈艳芳;王吉强;杜昊;祁建忠;杨颖 -专利权人：沈阳富创精密设备有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法，采用冷喷涂沉积技术，将Al和Y₂O₃‑ZrO₂的混合粉末高速沉积，冷喷涂使用压缩空气为工作气体，喷涂距离10～60mm，喷涂温度200～600℃，气体压力1.5～3MPa，粉末粒度1～50μm，在等离子体刻蚀腔表面形成均匀分布的金属陶瓷防护涂层。该涂层能减少或阻止腐蚀性气体对刻蚀腔体的腐蚀和等离子体对芯片的污染，提高等离子体刻蚀腔在生产芯片过程中的使用寿命。粉末按比例混和均匀后进行干燥；其次，使用冷喷涂沉积技术将该粉末喷涂到基体表面，通过控制工艺过程参数得到金属陶瓷复合涂层；该方法沉积效率高，可根据实际使用情况随意调节涂层的厚度，可以用来制备厚的IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层
等离子体刻蚀腔防护涂层冷喷涂制备沉积金属陶瓷复合涂层等离子体芯片控制工艺过程腐蚀性气体表面形成沉积效率粉末粒度粉末喷涂高速沉积工作气体混和均匀混合粉末基体表面金属陶瓷刻蚀腔体喷涂距离气体压力使用寿命随意调节压缩空气喷涂腐蚀污染生产

[发明专利]一种IC装备关键零部件表面防护涂层的制备方法-CN201910259684.X有效
发明人：郑广文;沈艳芳;崔新宇;王吉强;祁建中;陶永山;唐俊榕;杨颖;杜昊;熊天英 -专利权人：沈阳富创精密设备股份有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C4/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路芯片等离子体刻蚀领域，具体是公开了一种IC装备等离子体刻蚀腔防护涂层的制备方法。采用超音速火焰喷涂和冷喷涂沉积技术，在等离子体刻蚀腔表面形成均匀分布的防护涂层。本发明涂层能减少或阻止腐蚀性气体对刻蚀腔体的腐蚀和等离子体对芯片的污染，提高了等离子体刻蚀腔在生产芯片过程中的使用寿命。
一种 ic 装备关键零部件表面防护涂层制备方法

[发明专利]氧等离子体刻蚀聚二甲基硅氧烷表面形貌的方法-CN201410736063.3无效
发明人：鲁从华;姬海鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供氧等离子体刻蚀聚二甲基硅氧烷表面形貌的方法。将制备的PDMS印章，置于氧等离子体气氛下，对PDMS印章进行刻蚀，得到表面微结构。并且详细介绍了制备具有规整微结构的CD表面微结构的方法；本发明选用氧等离子体对复制模塑技术得到的具有表面微结构的PDMS印章进行刻蚀，通过改变氧等离子体刻蚀时间，精确调控PDMS印章微结构的高度。在不改变PDMS印章形貌的条件下，用氧等离子体调控PDMS印章的形貌高度。采用本发明的方法制得的微结构在在光学、微电子、传感器、生物医学等很多领域有着广泛的应用前景。
等离子体刻蚀聚二甲基硅氧烷表面形貌方法

[发明专利]一种聚合物平面纳米沟道制作方法-CN200910010025.9有效
发明人：刘军山;乔红超;刘冲;徐征;杜立群;王立鼎 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2009-01-05 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：聚合物平面纳米沟道制作方法首先基于标准的紫外光刻和化学湿法腐蚀技术在聚合物基片上制作出线宽为微米级的金属掩蔽图形，接着利用一台等离子体清洗机对暴露在外的聚合物进行氧气等离子体刻蚀，通过设定刻蚀时间，便可以精确控制聚合物纳米沟道的刻蚀深度本发明不需要为实现聚合物刻蚀而购买操作复杂、价格昂贵的反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀设备。纳米沟道的整个制作过程简单、周期短、成本低。
一种聚合物平面纳米沟道制作方法