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[发明专利]等离子体预清洗方法-CN200810224584.5无效
发明人：聂佳相 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：一种等离子体预清洗方法，包括，对基底执行除气操作，经历所述除气操作的基底的温度为T1；对经历所述除气操作的基底执行等离子体刻蚀操作，执行所述等离子体刻蚀操作的反应腔室的温度为T2，T2小于T1；执行所述等离子体刻蚀操作的步骤包括：对经历所述除气操作的基底执行降温操作；对经历所述降温操作的基底执行等离子体刻蚀操作。
等离子体清洗方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀方法-CN202011606614.6在审
发明人：陈阳;张昆;周虎;刘志强 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体刻蚀方法，通过电感耦合射频激发氟甲烷、氧气、含硫氧气体和溴化氢等混合气体，形成等离子体后在脉冲偏置射频的作用下，对由前置等离子体刻蚀成的高深宽比孔进行刻蚀，适用于包括介电层和导电层堆叠组成的高深宽比的孔底部氮化硅层的刻蚀，具有对掩膜层和二氧化硅层的高选择比，可以对掩膜的顶部和侧面生成保护沉积层，减弱等离子体对掩膜的消耗，同时，抑制二氧化硅层的分解，又能维持氮化硅的高速率刻蚀，有效抑制因介电层的损失量较大导致的漏电流的增大的风险通过使用脉冲偏置射频，可以消除孔底部的带电粒子引起的小分子聚合物堆积，维持高速平稳的氮化硅刻蚀速率。
一种等离子体刻蚀方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀室-CN201110424785.1有效
发明人：王兆祥;李俊良;刘志强;黄智林 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体刻蚀室，通过将上电极外围的调节环设置为材质阻抗相差两倍以上的内圈环和外圈环，来调节等离子体刻蚀室内的射频耦合，从而影响基片边缘的刻蚀速率，调节基片刻蚀的均匀度，使得纵向刻蚀深孔和横向刻蚀沟槽能在同一刻蚀条件下完成
一种等离子体刻蚀

[发明专利]一种采用曲面电极改善大口径等离子体刻蚀均匀性的方法-CN202211234610.9在审
发明人：范斌;吴湘;辛强;焦培琦;刘鑫;梁钊宇;邵俊铭;罗倩;高国涵;陈强 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用曲面电极改善大口径等离子体刻蚀均匀性的方法，解决了在大口径等离子体刻蚀过程中，刻蚀速率分布不均，刻蚀均匀性难以提升的问题。所述方法包括以下步骤：测量初始刻蚀速率分布函数；将m个具有不同厚度h的微型平面电极分别放置于下电极板的表面，分别对一块未加工的样片进行等离子体刻蚀加工；测量均值刻蚀速率；计算微型平面电极的厚度与均值刻蚀速率的函数关系式；得到曲面电极的厚度分布；将曲面电极与下电极板同轴心放置，并对工装上的一块未加工的样片进行等离子体刻蚀。本发明提供的采用曲面电极改善大口径等离子体刻蚀均匀性的方法，可以根据初始刻蚀速率分布设计出曲面电极的形状，灵活度高，能够快速高效地对等离子体刻蚀均匀性进行有效提升。
一种采用曲面电极改善口径等离子体刻蚀均匀方法

[发明专利]利用感应耦合等离子干法刻蚀提高摩擦电输出性能的方法-CN202210449601.5在审
发明人：应义斌;代淑芬;李逊甲;平建峰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用感应耦合等离子干法刻蚀提高摩擦电输出性能的方法。用感应耦合等离子体干法刻蚀仪对膜的上表面进行刻蚀处理，使得在膜的上表面形成纳米纹理化结构；再用感应耦合等离子体刻蚀仪对膜的上表面进行沉积处理，使得在纳米纹理化结构上表面沉积一层氟碳层。本发明是通过感应耦合等离子体干法刻蚀处理法，在PVC薄膜表面构建纳米纹理结构以及覆盖一层氟碳物质，提高薄膜的摩擦电输出性能。
利用感应耦合等离子刻蚀提高摩擦输出性能方法

[发明专利]包含氮化镓层的基板及其制造方法-CN201480066807.3有效
发明人：东原周平;岩井真;今井克宏 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：使用具备电感耦合式等离子体发生装置的等离子体刻蚀装置，使标准化直流偏置电位为‑10V/cm2以上，引入氟系气体，对氮化镓层3的表面3a进行干法刻蚀处理。
氮化镓层基板等离子体发生装置等离子体刻蚀装置直流偏置电位电感耦合式表面损伤氟系气体干法刻蚀功能元件标准化引入制造

[发明专利]一种固定刻蚀样品的方法-CN201310036242.1无效
发明人：盛建明;江成龙;涂亮亮;石剑舫 -专利权人：常州同泰光电有限公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种固定刻蚀样品的方法，通过改进感应电感耦合等离子体刻蚀（ICP）中样品的固定方式，改善了ICP刻蚀的均匀性，增加了样品表面刻蚀面积。本发明介绍的方法摒弃了传统ICP刻蚀中在样品表面建立固定点的思路，避免因与样品表面的接触造成对刻蚀工艺的影响。
一种固定刻蚀样品方法

[发明专利]一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法-CN201210489760.4有效
发明人：阎军;严培;戴忠玲;杨明强;张赛谦 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法，通过元胞方法将等离子体刻蚀的物理化学机制表达出来，得到等离子体刻蚀过程中的表面刻蚀速率，再将表面刻蚀速率作为水平集的速度场函数，模拟整个剖面的演化过程，得到等离子体刻蚀后的剖面形貌。本数值计算方法不同于其他数值计算之处在于，它既有着明确的物理意义，能清晰刻画等离子体刻蚀过程中的物理化学现象，同时计算效率高，稳定性好，易于扩展到三维，是一种适合商业化的高效数值模拟方法。
一种用于等离子体刻蚀水平联合模拟方法

[发明专利]等离子体刻蚀装置-CN200510126341.4有效
发明人：陈鹏 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-12-07 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体刻蚀装置，本发明提出一种具有改良的线圈的等离子体刻蚀装置，其线圈包括若干匝圆形和若干匝多边形线圈，用于把反应气体激励成等离子体。本发明的等离子体刻蚀装置的优点和积极效果在于：由于采用了改进的激励线圈，能够在实际的反应室内补偿反应室的机械结构非对称性的影响，产生径向均匀的等离子体，提高硅片刻蚀的均匀性，从而提高硅片刻蚀的良率。
等离子体刻蚀装置

[发明专利]电容耦合等离子体射频模式下晶圆解吸附方法及装置-CN202310134550.1在审
发明人：王明明;沈显青 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请提供了一种电容耦合等离子体射频模式下晶圆解吸附方法及装置。所述方法包括如下步骤：提供一等离子体刻蚀反应腔室，所述等离子体刻蚀反应腔室中设置有静电卡盘、所述静电卡盘包括第一电极，通过向所述第一电极施加第一电压，以采用静电吸附的方式将所述晶圆固定于所述静电卡盘的表面；在对所述晶圆进行解吸附的步骤中，通过向所述等离子体刻蚀反应腔室中通入氮气作为解吸附气体，并将所述第一电极上的所述第一电压降低至预设电压，从而解除所述晶圆和所述静电卡盘的静电吸附。本申请选用氮气作为解吸附气体，可以减轻晶圆解吸附过程中解吸附气体对晶圆表面的轰击，并且氮气对晶圆表面的损伤也有一定的修复作用，可以改善电容耦合等离子体射频模式下刻蚀带来的缺陷。
电容耦合等离子体射频模式下晶圆解吸方法装置

[发明专利]阻变存储器的制造方法-CN202211267778.X在审
发明人：蒋兴宇;沈涛;蒋中伟;董云鹤 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变存储器的制造方法，包括：形成叠层结构；在该叠层结构上形成具有预定图案的掩膜层；采用第一等离子体刻蚀方法对上电极层进行刻蚀；第一等离子体刻蚀方法采用的第一工艺气体包括主刻蚀气体和能够在刻蚀形成的上电极侧壁上形成副产物的保护气体；采用第二等离子体刻蚀方法对阻变层进行刻蚀；采用第三等离子体刻蚀方法对下电极层进行刻蚀；第三等离子体刻蚀方法采用的第三工艺气体包括主刻蚀气体和保护气体。
存储器制造方法

[发明专利]一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法-CN200510002965.5有效
发明人：许仕龙 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明所述的一种等离子体刻蚀工艺的终点检测方法，首先、基于等离子体刻蚀工艺过程中状态变迁情况建立马尔可夫模型；其次、在进行等离子体刻蚀过程中，获得相应的状态变迁图谱；最后、将状态变迁图谱与马尔可夫模型比较，确定刻蚀工艺的终点。可以准确可靠的找到刻蚀终点，控制刻蚀过程，提高刻蚀质量。
一种等离子体刻蚀工艺终点检测方法

[实用新型]等离子体刻蚀处理装置-CN201220747252.7有效
发明人：张冬平;杨佐东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体刻蚀处理装置，所述等离子体刻蚀处理装置包括：等离子体工艺腔室、聚焦环及聚焦环冷却系统。其中，所述聚焦环及聚焦环冷却系统均设置于所述等离子体工艺腔室中，所述聚焦环冷却系统能够控制聚焦环的温度。本实用新型提供的等离子体刻蚀处理装置采用聚焦环冷却系统控制聚焦环的温度，聚焦环的温度不会影响半导体晶圆边缘的刻蚀速度，半导体晶圆边缘刻蚀的均匀性得到了提高。
等离子体刻蚀处理装置

[发明专利]一种等离子体刻蚀晶圆倒角的方法及等离子体刻蚀设备-CN202310392905.7在审
发明人：宣丽英;王明华 -专利权人：杭州乾晶半导体有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，特别涉及一种等离子体刻蚀晶圆倒角的方法及等离子体刻蚀设备。包括：提供碳化硅晶圆；在碳化硅晶圆表面形成倒角区域和掩膜区域；将形成倒角区域和掩膜区域后的碳化硅晶圆置于等离体设备内部，对碳化硅晶圆进行等离子体刻蚀，在碳化硅晶圆的倒角区域形成倒角；取出刻蚀后的碳化硅晶圆本发明碳化硅晶圆置于等离子体的刻蚀环境中，控制刻蚀环境的压力、反应气体的流量、射频频率和射频功率使得反应气体转化为等离子体，由于等离子具有能量高，粒子速率高，化学活性高的特点，使得碳化硅晶圆的倒角区域的在等离子体环境中被刻蚀
一种等离子体刻蚀倒角方法设备

[发明专利]一种制备电润湿显示支撑板的方法-CN201710084243.1有效
发明人：吴昊;董宝琴;窦盈莹;李发宏;周国富 -专利权人：华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究院
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备电润湿显示支撑板的方法，包括以下步骤：制备具有电极层的基板；在具有电极层的基板上制备疏水性绝缘层和像素墙，所述像素墙由亲水材料制成；对具有像素墙的基板进行等离子体刻蚀，等离子体刻蚀的功率为30‑1000W/m²；将等离子体刻蚀后的基板加热，使疏水性绝缘层恢复疏水性，本发明消除了等离子体刻蚀处理显示支撑板会影响疏水性绝缘层质量的技术偏见，采用等离子体刻蚀工艺处理显示支撑板后，像素墙的亲水性得到提高，疏水层虽然会被刻蚀掉一部分，但是剩余的部分经过加热处理后，疏水性绝缘层恢复其疏水性，而像素墙依然能够保有等离子体刻蚀处理后的亲水特性，使得得到的显示支撑板能够消除油墨翻越像素墙的问题
一种制备润湿显示支撑方法