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[外观设计]聚焦环-CN201930258942.3有效
发明人：佐佐木康晴;内田阳平;阿部晃;氏家智也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： 08-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：聚焦环。2.本外观设计产品的用途：本产品用于将在腔室内生成的等离子体的分布从半导体晶片面上扩展至本产品上。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
聚焦

[外观设计]聚焦环-CN201930258175.6有效
发明人：佐佐木康晴;内田阳平;高山将歩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： 08-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：聚焦环。;2.本外观设计产品的用途：本产品用于将在腔室内生成的等离子体的分布从半导体晶片面上扩展至本产品上。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
聚焦环

[发明专利]聚焦环、聚焦环组合、IMP溅射设备-CN201110403767.5无效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;汪涛 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种聚焦环组合，包括：聚焦环；位于所述聚焦环外的安装钉，所述安装钉包括柱体与膨大的背部，所述安装钉的背部固定在所述聚焦环的外表面上，所述柱体的内部设有螺纹孔。本发明还提供了与上述聚焦环组合相对应的聚焦环与IMP溅射设备。本发明的聚焦环组合、聚焦环和IMP溅射设备将或适于将安装钉焊接在聚焦环的外表面上，不会出现安装钉的背部因参与溅射而被消耗掉，最终不能起到固定聚焦环的作用，使得聚焦环也无法继续使用的问题，这样也就增加了聚焦环的使用寿命
聚焦组合 imp 溅射设备

[发明专利]聚焦环、聚焦环组合、IMP溅射设备-CN201110403786.8无效
发明人：姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;汪涛 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种聚焦环组合，包括：聚焦环，所述聚焦环上有通孔，且其内表面在通孔处形成有凹槽；安装钉，所述安装钉包括柱体与膨大的背部，所述背部贴附在所述聚焦环的内表面，所述柱体通过所述通孔延伸出所述聚焦环的外表面，所述背部嵌入所述凹槽本发明还提供了与上述聚焦环组合相对应的聚焦环与IMP溅射设备。本发明的聚焦环组合、聚焦环和IMP溅射设备将或适于将安装钉的背部嵌入聚焦环在通孔位置的内表面上设置的一凹槽，不会出现安装钉的背部因参与溅射而被消耗掉，最终不能起到固定聚焦环的作用，使得聚焦环也无法继续使用的问题，这样也就增加了聚焦环的使用寿命。
聚焦组合 imp 溅射设备

[发明专利]一种复合等离子聚焦环及该聚焦环的更换方法-CN201310119903.7无效
发明人：潘无忌;张东海;马斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明应用于集成电路制造领域，尤其涉及一种复合等离子聚焦环及该聚焦环的更换方法，通过将传统的聚焦环划分为上下两个相对独立的上聚焦环和下聚焦环，并使得上聚焦环位于下聚焦环的上表面，同时设置上聚焦环的外径与下聚焦环的外径相等且上聚焦环内径大于下聚焦环的内径在晶圆刻蚀过程中，聚焦环随着晶圆的刻蚀消耗到一定程度时，只需要对达到使用寿命的上聚焦环和/或下聚焦环进行更换，即可继续进行刻蚀工艺；还可通过单独更换不同规格的上聚焦环来满足不同的工艺生产要求，进而极大降低了生产成本，同时上下聚焦环凹凸不平的接触面也保证了上下聚焦环固定时的稳定性，提高了晶圆和聚焦环在生产中的安全性。
一种复合等离子聚焦更换方法

[发明专利]一种承载装置及半导体反应腔室-CN202011224676.0有效
发明人：许金基;茅兴飞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明公开一种承载装置及半导体反应腔室，承载装置用于半导体反应腔室承载待加工件，承载装置包括静电卡盘、聚焦环组件、聚焦环顶针和驱动装置；静电卡盘设置于半导体反应腔室内，且用于承载待加工件；聚焦环组件包括：上聚焦环和下聚焦环，下聚焦环环设于静电卡盘的外侧；下聚焦环的上表面设有凹槽；下聚焦环的上表面靠近静电卡盘的一端为支撑面；上聚焦环的上表面位置高于支撑面；上聚焦环的下表面设有限位槽，限位槽对应凹槽设置；聚焦环顶针贯穿凹槽的底壁并与限位槽配合，在垂直于聚焦环顶针的移动方向上，聚焦环顶针与限位槽实现限位；驱动装置用于驱动聚焦环顶针升降上聚焦环。
一种承载装置半导体反应

[发明专利]一种激光环形聚焦装置-CN201910739875.6在审
发明人：梅笑雨;王晓明;杨志刚;王新;李磊 -专利权人：江苏瑞驰机电科技有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： B23K26/046 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光环形聚焦装置，属于激光聚焦装置技术领域，包括聚焦镜环，所述聚焦镜环上均匀设置若干聚焦环空腔，所述聚焦环空腔内活动安装聚焦部件，所述聚焦部件连有位置调节部件，所述位置调节部件用于带动所述聚焦部件沿所述聚焦环空腔轴线方向移动通过调节部件带动聚焦部件在聚焦环空腔的位置实现聚焦点调节。本发明采用多个聚焦镜片，通过调整聚焦镜片与激光光源的距离位置，实现所有聚焦镜片的聚焦点的同时调整，使烟支打孔准确、灵活、高效。
聚焦部件聚焦环聚焦镜片空腔位置调节部件聚焦点聚焦镜环形聚焦装置激光聚焦装置方向移动活动安装激光光源距离位置均匀设置空腔轴线打孔烟支激光灵活

[发明专利]聚焦环和具有该聚焦环的基板处理装置-CN201210003658.9有效
发明人：山涌纯;輿水地盐 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止在温度差大的两个部件的缝隙中堆积物附着到低温的部件的聚焦环。聚焦环(25)包围配置于基板处理装置(10)的腔室(11)内的晶片(W)的边缘，内侧聚焦环(25a)和外侧聚焦环(25b)构成聚焦环(25)，内侧聚焦环(25a)与晶片(W)邻接地配置且被冷却，外侧聚焦环(25b)包围内侧聚焦环(25a)且不被冷却，块部件(25c)配置于内侧聚焦环(25a)和外侧聚焦环(25b)之间。
聚焦具有处理装置

[实用新型]一种高度可调节聚焦环及等离子体刻蚀设备-CN202121290748.1有效
发明人：李娜;韩大健;张怀东;胡冬冬;王海东;程实然;郭颂;许开东 -专利权人：北京鲁汶半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高度可调节聚焦环及等离子体刻蚀设备，该高度可调节聚焦环包括上聚焦环(41)和下聚焦环(42)，该上、下聚焦环(42)之间配置有高度调节适配副(A)，以调节上聚焦环(41)相对于下聚焦环(42)的高度；至少部分上聚焦环(41)位于下聚焦环(42)的上方，且该部分上聚焦环(41)的下表面与下聚焦环(42)的上表面之间配置有径向阻隔适配副(B)，并配置为：在高度调节的行程范围内，构建聚焦环径向内外侧的气流阻隔应用本方案，可根据需要调节上聚焦环(41)上表面的高度，从而满足不同使用工况的工艺需求，具有较好的可适应性，并可获得良好的晶圆工艺稳定性。
一种高度调节聚焦等离子体刻蚀设备

[发明专利]摄像透镜镜筒-CN201380030557.3有效
发明人：秀岛希智弘;御手洗毅;三泽充史 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G02B7/08 文献下载
摘要：本发明的摄像透镜镜筒中，在聚焦凸轮(10)的周围安装有聚焦环(20)。若聚焦环(20)向前端侧移动，则形成于聚焦环(20)的内部的齿轮与聚焦凸轮(10)的齿轮(17)啮合，聚焦环(20)的旋转直接传递至聚焦凸轮(10)。若聚焦环(20)向后端侧移动，则形成于聚焦环(20)的内部的齿轮与安装于聚焦凸轮(10)的小齿轮(15)啮合，聚焦环(20)的旋转经由小齿轮(15)传递至聚焦凸轮(10)。聚焦环(20)的旋转量的1/2成为聚焦凸轮(10)的旋转量。
摄像透镜

[发明专利]一种晶片定位装置及反应腔室-CN201610091488.2有效
发明人：聂淼 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片定位装置，叠置于静电卡盘以及基环上用于晶片的定位，所述晶片定位装置，包括第一聚焦环，第二聚焦环和升降机构，所述第一聚焦环和第二聚焦环均为环形结构，所述第一聚焦环套置于所述第二聚焦环外侧，所述升降机构与所述第一聚焦环连接，所述升降机构用于带动所述第一聚焦环的升降，所述第一聚焦环在所述升降机构的带动下相对于所述第二聚焦环在竖直方向上下运动，所述第一聚焦环升起到最高位后用于限定所述晶片的位置通过第一聚焦环和第二聚焦环的配合，使得晶片在上升过程中，可以定位于正常的机械手取放位和加工位的范围内，保证工艺的有效性，提高生产效率。
一种晶片定位装置反应

[发明专利]聚焦环的矫正设备-CN201310724725.0在审
发明人：姚力军;赵凯;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;李小萍 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种聚焦环的矫正设备，在承载聚焦环的基座上安装有矫正支杆，所述矫正支杆通过转轴活动连接在所述基座上，所述矫正支杆的一端设置施压支点；位于所述矫正支杆的一侧设有矫正判定部件。所述矫正支杆的施压支点抵住聚焦环的待矫正部位，之后绕所述转轴转动矫正支杆，向所述聚焦环施加力，以矫正聚焦环，使聚焦环的形变部分回复原位。矫正过程中，当所述聚焦环碰触所述矫正判定部件时，表明所述聚焦环矫正完毕。所述矫正设备基于杠杆原理可轻松而快捷地致使聚焦环形变，矫正判定部件可有效判断聚焦环是否矫正到位，从而快捷而高效地完成聚焦环矫正。
聚焦矫正设备

[实用新型]等离子体刻蚀处理装置-CN201220747252.7有效
发明人：张冬平;杨佐东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种等离子体刻蚀处理装置，所述等离子体刻蚀处理装置包括：等离子体工艺腔室、聚焦环及聚焦环冷却系统。其中，所述聚焦环及聚焦环冷却系统均设置于所述等离子体工艺腔室中，所述聚焦环冷却系统能够控制聚焦环的温度。本实用新型提供的等离子体刻蚀处理装置采用聚焦环冷却系统控制聚焦环的温度，聚焦环的温度不会影响半导体晶圆边缘的刻蚀速度，半导体晶圆边缘刻蚀的均匀性得到了提高。
等离子体刻蚀处理装置

[发明专利]一种高度可调节的聚焦环及其高度调节方法-CN201410823652.5在审
发明人：吴磊;叶如彬;浦远 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种高度可调节的聚焦环组件，设为环形结构，包含：绝缘环，设置在基座延展部的上方；外聚焦环，设置在绝缘环的上方，环绕套设在晶圆的外侧壁；内聚焦环，设置在绝缘环的上方，其内径小于晶圆的直径，其外径小于外聚焦环的内径，使内聚焦环至少部分位于晶圆下表面的边缘以内；弹性圈，设置在外聚焦环与所述绝缘环之间，弹性圈内为中空且可充气，通过改变弹性圈中气体的压力，调节外聚焦环的高度。本发明还公开了一种聚焦环高度调节方法。本发明通过气动调节聚焦环的纵向高度，实现改变等离子体鞘层的目的。
一种高度调节聚焦及其方法

[发明专利]等离子体处理装置的聚焦环及具有聚焦环的等离子体处理装置-CN201010266434.8无效
发明人：朴根佑;李诚宰;罗润柱 -专利权人：塔工程有限公司
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置的聚焦环及具有聚焦环的等离子体处理装置。更具体而言，本发明涉及等离子体处理装置的聚焦环以及具有聚焦环的等离子体处理装置，该聚焦环能够通过在执行刻蚀工艺或沉积工艺而在等离子态中处理晶片的等离子体处理装置中有效地装载和卸载晶片或托盘来固定晶片或承载晶片的托盘本发明的等离子体处理装置包括：处理室；卡盘，其设置在处理室中并竖直地致动；聚焦环，其安装在卡盘的外周上；以及夹具，其用于将置于卡盘上的晶片或晶片托盘固定至卡盘，其中，聚焦环由固定至聚焦环底座的第一聚焦环与固定至或置于卡盘的外周上的第二聚焦环的结合而形成，当卡盘下移时第二聚焦环比第一聚焦环下移得更多。
等离子体处理装置聚焦具有

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