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[实用新型]一种掩模带裁切机用裁切机构-CN202222889171.7有效
发明人：吴家麟;伍秀月;杨春丽 -专利权人：江门市优彼思半导体材料有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B26D7/26 文献下载
摘要：本申请涉及料带切割生产装置技术领域，尤其是涉及一种掩模带裁切机用裁切机构，其包括安装架，安装架上设置有固定板、裁切刀具和用于安置并撑起掩模带的安置组件，裁切刀具与固定板抵接配合以切割掩模带；安装架上还设置有水平调节组件和竖直调节组件，水平调节组件用于调节裁切刀具切割掩模带的宽度，竖直调节组件用于调节裁切刀具切割掩模带的深度。本申请具有准确地控制掩模带边缘残余胶边的切割宽度及深度，可符合不同厂家的使用需求的效果。
一种掩模带裁切机

[发明专利]移相掩模板结构及其制造方法-CN201010250531.8有效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-08-11 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提出一种移相掩模板结构及其制造方法，该移相掩模板结构包括：掩模板基板；移相消光层，设置于所述掩模板基板上；选择性外延淀积保护膜，设置于所述移相消光层上，其中所述选择性外延淀积保护膜为二氧化硅，多晶硅本发明提出的移相掩模板结构及其制造方法，省略了常规掩模板使用的金属铬，降低了制造成本而且依靠选择性外延淀积技术，用对移相层具有高湿法刻蚀选择比的材料取代金属铬，降低二次干法刻蚀工艺操作对掩模板产生的损伤，提高掩模板性能和成品率。
移相掩模板结构及其制造方法

[发明专利]去除光掩模中的硫酸根的方法-CN200910213436.8有效
发明人：金海涛;李德建;徐飞 -专利权人：常州瑞择微电子科技有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除光掩模中的硫酸根的方法，在10-30℃温度下，用波长在100纳米-250纳米的紫外光在惰性气体氛围中照射光掩模，紫外光照射时间控制为1-120min，光掩模表层的硫酸根离子吸收紫外光波能量，造成硫酸根离子中的氧硫键断裂并转换气态的氧气和二氧化硫，而脱离光掩模表面。本发明通过简单工艺，能降低制造成本，并能更多地去除残留在光掩模表层的硫酸根离子，光掩模上的硫酸根离子残留量低于0.5ppb，从而使得光掩模在其生命周期内不产生雾状缺陷问题，提高光掩模制作水平。
去除光掩模中的硫酸方法

[发明专利]用于减少金属线刻蚀后腐蚀的敷金属层刻蚀技术-CN99118862.4有效
发明人： M·古特舍;P·斯特洛布尔;S·维格;E·吕肯;G·斯托雅克维克;B·斯普勒尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1999-09-15 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：包括在敷金属层上形成硬掩模层和在硬掩模层上提供光刻胶掩模。还包括用光刻胶掩模形成硬掩模层。硬掩模有在随后的等离子体增强敷金属层刻蚀中形成的金属线图案。也包括去光刻胶掩模。另外，包括用硬掩模和含Cl₂和至少一种形成钝化的化学试剂的刻蚀剂源气进行等离子体增强敷金属层刻蚀，其中，等离子体增强敷金属层刻蚀不用光刻胶以减少在刻蚀中的聚合物淀积。
用于减少金属线刻蚀腐蚀金属技术

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201911056735.5有效
发明人：胡恬;胡毓祥;郭宏瑞;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种方法包括：在衬底上方沉积光子结构，该光子结构包括光子半导体层，在光子结构上方形成导电焊盘，在导电焊盘上方形成硬掩模，其中图案化硬掩模以用硬掩模区域覆盖每个导电焊盘，使用该硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻光子结构，以形成从衬底突出的多个台面结构，每个台面结构包括光子结构、接触焊盘和硬掩模区域的部分，在多个台面结构上方沉积第一光刻胶，在第一光刻胶上方沉积第二光刻胶，图案化第二光刻胶以暴露多个台面结构的硬掩模区域，以及蚀刻硬掩模区域以暴露多个台面结构的接触焊盘的部分。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]用于相移掩模的嵌入式蚀刻阻止层-CN200410005084.4无效
发明人： K·库明斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2004-01-13 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于相移掩模的嵌入式蚀刻阻止层。衰减相移掩模和交替相移掩模通过在掩模上图案的相邻特征之间透射的辐射中引入相移来提高装置的分辨率。相移掩模具有一个可蚀刻的无机材料层。该无机材料层形成在具有玻璃或石英层和蚀刻阻止层的掩模坯体上。由于蚀刻阻止层由不被蚀刻处理蚀刻的材料形成，蚀刻阻止层在无机材料层中提供均匀的图案蚀刻深度。相移掩模可以用一个衰减材料层代替树脂无机聚合物层。相移掩模的图案的特征也可以用光学透明材料或半透明材料或者用具有选定的折射率和介电常数的不透明材料填充，以减少图案的特征侧壁的边缘效应。
用于相移嵌入式蚀刻阻止

[发明专利]硬掩模用组合物-CN201810482175.9有效
发明人：崔汉永;梁敦植;金烔永 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供一种硬掩模用组合物，其包含含有特定结构的重复单元的聚合物和溶剂。本发明的实施例能够提供平坦度、涂布均匀性、溶解性和耐蚀刻性优异的硬掩模用组合物。
硬掩模用组合

[发明专利]一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法-CN201910079795.2在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法：在基底上沉积底电极和磁性隧道结膜(MTJ)、硬掩模膜层；图形化定义MTJ图案，硬掩模刻蚀并使其侧壁倾角大于90度；刻蚀MTJ直到底电极之上并维持少量过刻蚀；沉积绝缘层并使底电极刻蚀前端和硬掩模顶部绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度；对MTJ侧壁进行修剪；沉积底电极刻蚀用自对准掩模；刻蚀底电极；覆盖绝缘覆盖层，电介质填充并磨平。本发明在刻蚀MTJ和底电极时采用两次刻蚀，有效降低了阴影效应，另外在硬掩模刻蚀后，硬掩模侧壁倾角大于90度，使得后续底电极刻蚀前端和硬掩模顶端沉积绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度，大大提升修剪效率
一种制作超小型磁性随机存储器阵列方法

[发明专利]光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置-CN201910910496.9在审
发明人：山口昇 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置，能够不需要时间和工时对光掩模的缺陷修正，由此提高光掩模制造的生产效率和品质。该光掩模基板的修正方法具有：准备光掩模基板(10)的工序，该光掩模基板(10)在透明基板(100)的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜(200)；和针对在光学膜(200)中产生的缺失缺陷形成修正膜的修正工序修正工序中，将原料气体供给至光掩模基板(10)的形成有光学膜(200)的第1主表面中的缺失缺陷的位置附近，同时从光掩模基板(10)的第2主表面侧照射激光，利用透过了缺失缺陷的激光使原料气体发生反应，使修正膜堆积在第
光掩模基板修正方法制造处理光掩模以及装置

[发明专利]氮化硅只读存储器及其字线的制造方法-CN200710180756.9有效
发明人：卢棨彬;杨令武 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅只读存储器技术领域，公开了一种存储器的字线的形成方法，先在衬底上形成一层导体层，再形成一层金属硅化物层和一层掩模图案，以便用掩模图案定义出数个字线区域并露出金属硅化物层的部分表面。接着，在衬底上形成一层掩模衬层，覆盖掩模图案与金属硅化物层的表面，再对掩模衬层与掩模图案进行刻蚀制作工艺，直到露出金属硅化物层的部分表面，再以掩模衬层与掩模图案作为掩模，刻蚀金属硅化物层与导体层，以形成数条字线
氮化只读存储器及其制造方法

[发明专利]对集成电路进行临界尺寸控制的修整工艺-CN200780013652.7无效
发明人：米尔扎菲尔·K·阿巴切夫;克鲁帕卡尔·穆拉利·苏布拉马尼安;周宝锁 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2007-03-05 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：在一个实施例中，所述蚀刻方法包含：在靶层(120)上提供第一硬掩模层(130)；在所述第一硬掩模层(130)上提供第二硬掩模层(140)；在所述第二硬掩模层(140)上提供光致抗蚀剂层(150)；在所述光致抗蚀剂层(150)中形成图案；将所述图案转移到所述第二硬掩模层(140)中；以及用所述第二硬掩模层(140)顶上的所述光致抗蚀剂层(150)来修整所述第二硬掩模层(140)。在修整蚀刻期间，所述第二硬掩模层(140)的顶表面受所述光致抗蚀剂(150)保护，且所述靶层(120)受所述上覆的第一硬掩模层(130)保护，因此，所述修整蚀刻可以是腐蚀性的。
集成电路进行临界尺寸控制修整工艺

[发明专利]转印掩模用基板、转印掩模及转印掩模的制造方法-CN01801443.7无效
发明人：小西敏雄;田村章;伊藤考治郎;佐佐木裕信;江口秀幸 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2001-04-26 - 公布日： 2002-11-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种转印掩模用基板,其具有由单晶构成的第1硅层、形成在该第1硅层上的具有0.2～0.8μm的膜厚的氧化硅膜、形成在该氧化硅膜上的第2硅层。使用该转印掩模用基板而制造的转印掩模,在其制造时,会因氧化硅膜的应力而在转印图形上产生龟裂和败坏,而没有缺陷。
转印掩模用基板转印掩模制造方法

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN202010541013.5在审
发明人：熊仓翔;大内田聪;户村幕树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：用等离子体来蚀刻膜的蚀刻方法包括准备基片的步骤、蚀刻步骤和修正步骤。准备基片的步骤，在该基片的第1膜之上形成有掩模。蚀刻步骤，用含Xe、Kr或Rn的第1气体的等离子体，以形成于第1膜的孔或者槽的高宽比成为30以上的方式蚀刻第1膜。修正步骤，用第2气体的等离子体来修正掩模的形状。根据本发明，能够改善掩模形状。
蚀刻方法装置

[发明专利]焊球搭载方法及焊球搭载装置-CN200580000271.6有效
发明人：住田笃纪;川村洋一郎;泽茂树;丹野克彦;土屋勇雄;马渕义之;木村治 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：通过从位于焊球定位用掩模(16)上方的搭载筒(24)吸引空气，从而使焊球(78s)集合。通过使搭载筒(24)在水平方向移动，从而使集合的焊球(78s)在焊球定位用掩模(16)上滚动，通过焊球定位用掩模(16)的开口(16a)，使焊球(78s)向多层印刷电路板(10)的电极(75)落下。
搭载方法装置

[发明专利]设计光掩模的布局的方法以及制造光掩模的方法-CN201811060653.3在审
发明人：郑镛席;朴成训;金钟洙;裵硕钟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种设计光掩模的布局的方法和制造光掩模的方法，该设计光掩模的布局的方法包括：获得掩模图案的设计布局；对设计布局执行光学邻近校正以获得设计数据；获得在根据设计数据曝光光掩模期间出现的图案的位置误差数据；基于位置误差数据来校正图案的位置数据以校正设计数据；以及将经校正的位置数据提供给曝光设备以根据经校正的设计数据用曝光光束来曝光衬底。
光掩模设计数据校正设计布局位置数据光学邻近校正位置误差数据基于位置曝光光束曝光设备误差数据校正图案掩模图案曝光光衬底掩模制造图案曝光