专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图案形成方法及其形成装置-CN201310086490.7无效
  • 牛房信之;植村直仁;铃木茂 - 株式会社日立高新技术
  • 2013-03-19 - 2013-12-18 - B41F15/08
  • 在使用吐出机构部从在规定的位置具有开口部的图案形成掩模将膏转印到在工作台上固定的被图案形成物的规定的位置的图案形成装置中,为了实现能够高精度地稳定地对微细的图案进行图案形成,并且对微细的通孔的内部也能够可靠地填充膏的图案形成,将吐出机构部前端的与图案形成掩模接触的角部形成为凹形形状,在包括凹形形状部的吐出机构部的前端部分的表面用具有疏液性的膜来包覆,在向具有期望的图案开口部的图案形成掩模填充并转印膏时,在用具有疏液性的膜包覆的吐出机构部前端的凹形形状部和图案形成掩模所形成的区域的内部促进膏的滚压
  • 图案形成方法及其装置
  • [发明专利]一种印刷三维立体掩模-CN201210010779.6有效
  • 魏志凌;高小平 - 昆山允升吉光电科技有限公司
  • 2012-01-16 - 2013-07-17 - B41C1/14
  • 本发明公开了一种印刷掩模板,包括基板及位于基板两侧的印刷面及PCB面,所述掩模板具有多个图形开口及三维立体结构,所述三维立体结构包括位于所述印刷面的凸起区域及所述PCB面的凹陷区域。该种掩模板具有三维立体式的凸起和凹陷部位,其凸起高度为0.1~10mm,凹陷的深度为0.1~10mm,凸起和凹陷部位与板面的外夹角在80°~90°;该掩模板组分为40%~55%铁和45%~60%镍该种掩模板精度很高;该种掩模板均匀性高,板面质量好,光亮、无糙点、划痕、针孔;开口质量好,孔壁光滑、无毛刺;该种掩模板生产成本低,工艺简单,能耗低。
  • 一种印刷三维立体模板
  • [发明专利]一种印刷三维立体掩模-CN201210010767.3有效
  • 魏志凌;高小平 - 昆山允升吉光电科技有限公司
  • 2012-01-16 - 2013-07-17 - B41F15/36
  • 本发明公开了一种印刷掩模板,包括基板及位于基板两侧的印刷面及PCB面,所述掩模板具有多个图形开口及三维立体结构,所述三维立体结构包括位于所述印刷面的凸起区域及所述PCB面的凹陷区域。该种掩模板具有三维立体式的凸起和凹陷部位,其凸起高度为0.1~10mm,凹陷的深度为0.1~10mm,凸起和凹陷部位与板面的外夹角在80°~90°;该掩模板组分为56%~62%铁和38%~44%镍该种掩模板精度很高;该种掩模板均匀性高,板面质量好,光亮、无糙点、划痕、针孔;开口质量好,孔壁光滑、无毛刺;该种掩模板生产成本低,工艺简单,能耗低。
  • 一种印刷三维立体模板
  • [实用新型]一种印刷三维立体掩模-CN201220017100.1有效
  • 魏志凌;高小平 - 昆山允升吉光电科技有限公司
  • 2012-01-16 - 2013-01-23 - B41N1/24
  • 本实用新型公开了一种印刷三维立体掩模板,包括基板及位于基板两侧的印刷面及PCB面,所述掩模板具有多个图形开口及三维立体结构,所述三维立体结构包括位于所述印刷面的凸起区域及所述PCB面的凹陷区域。该种掩模板具有三维立体式的凸起和凹陷部位,其凸起高度为0.1~10mm,凹陷的深度为0.1~10mm,凸起和凹陷部位与板面的外夹角在80°~90°;该掩模板组分为40%~55%铁和45%~60%镍,该种掩模板精度很高;该种掩模板均匀性高,板面质量好,光亮、无糙点、划痕、针孔;开口质量好,孔壁光滑、无毛刺;该种掩模板生产成本低,工艺简单,能耗低。
  • 一种印刷三维立体模板
  • [发明专利]掩模坯件的制造方法-CN200580032601.X有效
  • 大久保靖 - HOYA株式会社
  • 2005-11-04 - 2007-08-29 - G03F1/14
  • 掩模坯件基片上形成将成为掩模图案的薄膜的薄膜形成工序和于上述薄膜上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂膜形成工序的掩模坯件制造方法,此方法包括:保存包含有将上述抗蚀剂膜形成于上述薄膜上的日期信息的抗蚀剂膜形成信息的工序;将上述抗蚀剂膜形成信息与上述掩模坯件相对应的工序;基于上述抗蚀剂膜形成信息,确定形成于上述掩模坯件上的抗蚀剂膜的灵敏度变化超过允许范围的掩模坯件的工序;将上述确定的掩模坯件上所形成的抗蚀剂膜剥离的工序
  • 掩模坯件制造方法

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