专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果3502558个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]部件的涂敷方法及其装置-CN01116847.1无效
  • 石上操;山内贵志 - 株式会社小糸制作所
  • 2001-03-07 - 2001-09-12 - B60Q1/00
  • 本发明提供一种部件的涂敷方法及其装置,将部件的一部分用掩模本体覆盖,喷枪涂敷从上述掩模本体露出的上述部件的被涂敷面,在把对着上述喷枪的射流涂敷起掩模作用的前面侧配置成相对垂直方向向下倾斜的上述掩模本体的背面侧上,对上述部件定位后进行固定,并在上述掩模本体倾斜成使从掩模本体滴下的多余涂料不会滴在上述部件上的给定角度的状态下进行射流涂敷。
  • 部件方法及其装置
  • [发明专利]一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法-CN201910079448.X有效
  • 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 - 上海磁宇信息科技有限公司
  • 2019-01-28 - 2023-06-02 - H10N50/10
  • 本发明提供一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法:在基底上沉积底电极、磁性隧道结(MTJ)、硬掩模和牺牲掩模各膜层;图形化定义MTJ图案,选择性横向缩微硬掩模和牺牲掩模;刻蚀MTJ直到底电极之上并维持少量过刻蚀;沉积绝缘层,并使底电极刻蚀前端和牺牲掩模顶部绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度;对MTJ侧壁进行修剪;沉积底电极刻蚀自对准掩模;刻蚀底电极;覆盖绝缘覆盖层,填充电介质并磨平。本发明在刻蚀MTJ和底电极时采用两次刻蚀,有效降低了阴影效应,另外在硬掩模刻蚀后,增加横向修剪工艺,使得后续底电极刻蚀前端和牺牲掩模顶端沉积绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度,大大提升修剪效率。
  • 一种制作超小型磁性随机存储器阵列方法
  • [发明专利]用于安装曝光装置的中间掩模的轮-CN200910165288.7无效
  • 朴钟夏 - DE&T株式会社
  • 2009-08-14 - 2010-06-09 - G03F7/20
  • 本发明公开一种用于安装曝光装置的中间掩模的轮,尽管该轮只是将通过自动机输送的中间掩模放在旋转支架上,但可以使中间掩模始终配置在正确位置上。该轮安装在进行曝光作业的工作台上,在曝光部的一侧设置旋转轴,以使在曝光部的上侧配置中间掩模,其包括多个旋转支架,旋转支架相隔一定角度、间隔配置在上述旋转轴的上端,用于固定中间掩模,并且,在旋转支架的上面形成中间掩模插入槽,中间掩模插入槽朝下方凹入,用于插入中间掩模,在中间掩模插入槽内侧形成朝上部外侧方向倾斜的倾斜面。该轮的结构简单,可简单制造,且可使中间掩模始终位于正确位置上,当进行在LCD等显示装置玻璃或半导体晶片表面形成电路的曝光作业时,可提高精度。
  • 用于安装曝光装置中间
  • [发明专利]EUV光刻反射型掩模基板及EUV光刻反射型掩模-CN200980127898.6有效
  • 林和幸;宇野俊之;海老原健 - 旭硝子株式会社
  • 2009-07-10 - 2011-06-08 - H01L21/027
  • 本发明提供来自掩模图案区域外侧的区域的反射光所造成的影响得到抑制的EUV掩模及用于该EUV掩模的制造的EUV掩模基板。EUV光刻(EUVL)反射型掩模在衬底上具有掩模图案区域和位于该掩模图案区域的外侧的EUV光吸收区域,所述掩模图案区域中在所述衬底上具有反射EUV光的反射层,该反射层上存在包括吸收EUV光的吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位,包括所述吸收体层的部位和不包括所述吸收体层的部位的配置形成掩模图案,该掩模的特征在于,来自所述吸收体层表面的EUV反射光的反射率为5~15%,来自所述EUV光吸收区域表面的EUV反射光的反射率在1%以下
  • euv光刻反射型掩模基板型掩模
  • [发明专利]模版掩模及模版掩模的形成方法-CN00129585.3无效
  • 小场文博 - 日本电气株式会社
  • 2000-10-08 - 2001-04-11 - H01L21/027
  • 一种模版掩模在模版掩模制作用的SOI基板的硅绝缘膜11之下形成高浓度含硼硅层21和低浓度含硼硅层22,KOH溶液等碱溶液进行湿性蚀刻。通过高浓度含硼硅层21的作用抑制蚀刻率的不均匀性,谋求均匀化。按这种模版掩模及其形成方法提高在从模版掩模的背面进行蚀刻(背蚀刻)时晶片面内的蚀刻率的均匀性并提供模样位置精度高的模版掩模
  • 模版形成方法
  • [发明专利]OLED金属掩模及其制造方法-CN202210581868.X有效
  • 金振禹 - 江苏精润鸿测控技术有限公司
  • 2022-05-26 - 2023-09-01 - C23C14/04
  • 提供了一种OLED蒸镀金属掩模的制造方法,该方法可以将OLED蒸镀金属掩模的制备过程中的变形或弯曲概率降到最低,随着材料蒸镀时材料的均匀蒸镀而便于进行尺寸管理,可靠性提高。此外,提供了一种OLED蒸镀金属掩模的制造方法,该方法在制造OLED蒸镀金属掩模时,可以使内饰线的凸起部分最小化,从而显著减少基板上产生划痕的概率,从而减少基板损伤造成的工艺不良,提高工艺收率。
  • oled金属及其制造方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top