专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种新型太阳能电池及其制造方法-CN202310974261.2在审
  • 蔡永梅;余浩;许坤;何胜;徐伟智 - 正泰新能科技有限公司
  • 2023-08-03 - 2023-09-22 - H01L31/0224
  • 本发明涉及光伏发电领域,特别是涉及一种新型太阳能电池及其制造方法,包括设置于太阳能电池片表面的边缘金属化结构及中心金属化结构;所述边缘金属化结构为电池片前驱体在管式炉中进行烧结时,延伸方向与所述电池片前驱体在管式炉中的运动方向相同的边缘的区域的金属化结构;所述边缘金属化结构为非烧穿型浆料烧结得到的金属化结构;所述中心金属化结构为烧穿型浆料烧结得到的金属化结构。本发明将太阳能电池表面的金属化结构分区域设计,根据烧结炉内的温度分布把不同区域匹配不同性能的浆料,可以有效改善烧结炉炉温中间高边缘低的不均匀现象导致的烧结不良,大大提升电池的EL良率,提升成品良品率,降低生产成本。
  • 一种新型太阳能电池及其制造方法
  • [发明专利]n型晶体硅双面太阳电池-CN201710383991.X有效
  • 毛卫平;蔡永梅;鲁伟明;李华 - 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
  • 2017-05-26 - 2023-09-15 - H01L31/0224
  • 本发明提供一种n型晶体硅双面太阳电池,包括衬底,衬底采用n型晶体硅片,n型晶体硅片的正面掺杂形成p+型晶体硅层,p+型晶体硅层上局部设置p++型硅膜层,p+型晶体硅层和p++型硅膜层共同正表面沉积正面钝化减反射层,正面金属电极层穿透正面钝化减反射层并与p++型硅膜层接触;n+型晶体硅层和n++型硅膜层的共同正表面沉积背面钝化减反射层。本发明的正面和背面金属电极层与衬底表面掺杂层之间设置了重掺杂硅膜层形成的钝化接触层,既避免了金属电极直接接触硅片表面掺杂层造成的接触区复合,又扩展了硅片表面掺杂区的掺杂浓度范围,可以同时获得较低的钝化区和接触区复合电流,提高电池开路电压和转化效率。
  • 晶体双面太阳电池
  • [实用新型]一种p型晶硅TBC太阳能电池-CN202320859694.9有效
  • 丰明璋;叶巨洋;蔡永梅;何胜;徐伟智;黄海燕 - 正泰新能科技有限公司
  • 2023-04-13 - 2023-07-14 - H01L31/0224
  • 本实用新型提供一种p型晶硅TBC太阳能电池,包括p型硅衬底,p型硅衬底的背面设有叉指状的n型区和p型区;所述n型区包括依次层叠设置在所述p型硅衬底上的遂穿层、n型多晶硅层、铝掺杂的氧化锌层和第一电极;所述p型区包括依次层叠设置在所述p型硅衬底上的第一钝化层和第二电极。通过在n型多晶硅上设置铝掺杂的氧化锌层,使得铝浆能直接应用在多晶硅表面;能避免铝浆与多晶硅的直接接触,有效降低电池的J01和J02,提升电池的Voc。n型区的J0,metal为0,J01为10~20fA/cm2,J02为0.5~3nA/cm2;p型区和n型区的接触电阻率均为0.5~1.5mΩcm2
  • 一种型晶硅tbc太阳能电池
  • [实用新型]一种太阳能电池烧结设备-CN202222542782.4有效
  • 丰明璋;刘大娇;叶巨洋;何保扬;赵文祥;蔡永梅;杜振星;何胜;徐伟智 - 正泰新能科技有限公司
  • 2022-09-26 - 2023-06-16 - F27B9/24
  • 本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域,公开了一种太阳能电池烧结设备,包括:烧结炉膛;传送装置,贯穿烧结炉膛,用于将电池片传送至烧结炉膛内进行烧结,并将烧结完成的电池片传送至烧结炉膛之外;多组加热件,在烧结炉膛内电池片进行烧结时的烧结位置,沿垂直于传送装置传送移动的方向依次设置,且各组加热件的加热功率独立可调;温度调节装置,用于检测电池片的表面不同位置的温度数据,并对每组加热件的加热功率大小分别进行独立调节,以使电池片的表面各个位置点之间的温度差不大于设定温度差。本申请中多组加热件沿电池传送移动方向垂直依次设置的,且对各个加热件的加热功率独立调节,提升烧结温度的均匀性,保证电池片的光能转换效率。
  • 一种太阳能电池烧结设备
  • [发明专利]一种SE结构制备方法及太阳能电池-CN202310166700.7在审
  • 马玉超;李红博;何保杨;蔡永梅;何胜;徐伟智 - 正泰新能科技有限公司
  • 2023-02-13 - 2023-05-12 - H01L31/0216
  • 本申请公开了一种SE结构制备方法及太阳能电池,属于太阳能电池领域,该方法包括:在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜;在聚合物薄膜上的金属接触区印刷硼浆;硼浆透过聚合物薄膜与N型晶体硅接触;通过激光辐照硼浆,将硼浆内的硼离子掺杂进入N型晶体硅内,在金属接触区形成重掺区域;对N型晶体硅的正面进行清洗,去除聚合物薄膜;对硼浆在清洗后的N型晶体硅的正面进行硼扩散,在非金属接触区形成轻掺区域,以形成SE结构。本申请通过聚合物薄膜阻挡,一方面可以防止激光时离子溅射,使重掺区域宽度窄化且可控;另一方面可以有效的减少由于激光直掺造成的损伤及复合中心,从而有效改善电池开压及接触电阻。
  • 一种se结构制备方法太阳能电池
  • [发明专利]一种背接触太阳能电池及其制作方法-CN202310217369.7在审
  • 丰明璋;叶巨洋;蔡永梅;何胜;徐伟智;黄海燕 - 正泰新能科技有限公司
  • 2023-03-02 - 2023-05-09 - H01L31/18
  • 本申请涉及光伏领域,公开了一种背接触太阳能电池及其制作方法,包括:硅片的背面具有间隔分布的第一区域和第二区域,在位于硅片背面第一区域的隧穿层中形成多孔点阵;在隧穿层背离硅片的表面形成掺杂型多晶硅层,掺杂型多晶硅层中掺杂浓度在远离隧穿层的方向上逐渐减小。本申请在隧穿层中形成许多孔,从而在隧穿层形成载流子隧穿通道,同时掺杂多晶硅层中的掺杂原子会在隧穿层的表面形成原子层级的“针孔”,使得隧穿接触电阻小。掺杂多晶硅层中接触隧穿层的区域掺杂浓度最高,与隧穿层共同形成更高的非对称偏移势垒层,允许多数载流子通过,少数载流子不通过,即使得多数载流子的收集更加均匀和畅通,提升钝化效果,进而提升电池的效率。
  • 一种接触太阳能电池及其制作方法
  • [发明专利]一种太阳能电池烧结炉及太阳能电池的烧结方法-CN202310094619.2在审
  • 李红博;何胜;蔡永梅;徐伟智;何保杨 - 正泰新能科技有限公司
  • 2023-01-31 - 2023-04-11 - F27B9/06
  • 本发明涉及光伏制造领域,特别是涉及一种太阳能电池烧结炉及太阳能电池的烧结方法,包括烧结炉腔体、炉带及加热单元;所述炉带沿所述烧结炉腔体的长度方向贯穿所述烧结炉腔体,用于运输待处理的太阳能电池前驱体;所述加热单元设置于所述烧结炉腔体内,且环绕所述炉带;所述加热单元对所述炉带的加热温度从所述炉带的边缘区域至所述炉带的中间区域逐渐降低。由于所述太阳能电池前驱体的边缘位置温度要高于所述太阳能电池前驱体的中心位置,因此在烧结过程中,边缘处的金属化深度与中心位置不同,能更好地与先前的扩散结节步骤各个外延层层更好配合,提升金属电极的连接效果,提升电池良率。
  • 一种太阳能电池烧结炉烧结方法
  • [实用新型]一种化学气相沉积炉管设备-CN202222600783.X有效
  • 李红博;何胜;蔡永梅;徐伟智;王清清;杜振星;陈彭 - 正泰新能科技有限公司
  • 2022-09-29 - 2023-03-10 - C23C16/455
  • 本实用新型涉及化学气相沉积技术领域,特别是一种化学气相沉积炉管设备,包括炉管主体、进气管、输气管及排气管;反应气体经过位于所述炉管主体的尾部的进气管到达所述输气管,所述输气管沿所述炉管主体的延伸方向设置,所述反应气体通过所述输气管到达位于所述炉管主体首部的排气管,经过所述排气管上的排气孔到达所述炉管主体的腔室内部;所述炉管主体的尾部设置有尾气孔;所述输气管的管径大于所述进气管的管径。本实用新型使反应气体从进气管到输气管过程中,由于管径的增大而降低了气体的流速,使反应气体从炉尾到炉首时被充分加热,改善炉内热场的均一性,提高氧化膜生长的均一性。
  • 一种化学沉积炉管设备
  • [发明专利]一种新型TOPCon太阳能电池及其制作方法-CN202211317804.5在审
  • 李红博;何胜;蔡永梅;徐伟智;马玉超;赵本定 - 正泰新能科技有限公司
  • 2022-10-26 - 2022-12-30 - H01L31/0216
  • 本发明涉及光伏组件生产领域,特别是涉及一种新型TOPCon太阳能电池及其制作方法,包括正面外延层、硅片主体及背面外延层;所述硅片主体从受光面到背光面依次包括n型基体硅、隧穿氧化层及掺杂多晶硅层;其中,所述n型基体硅靠近所述受光面的表面包括硼掺杂区;所述正面外延层由内向外依次包括正面氮氧化硅钝化层、正面外延层及正面电极;所述背面外延层由内向外依次包括背面钝化层、背面外延层及背面电极。本发明在TOPCon电池的正面采用所述正面氮氧化硅钝化层作为钝化层,降低了正面外延层设置过程中需要的烧结温度,减轻了对设备的负担,降低了生产成本,与硅基体之间的接触性能得到改善,达到了更好的表面钝化效果。
  • 一种新型topcon太阳能电池及其制作方法

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