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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种N-极性GaN基平面耿氏二极管及其制备方法-CN202311027314.6在审
  • 戴扬;任雨萌;袁若松;高磊玉;李宇坤;张陈成 - 西北大学
  • 2023-08-15 - 2023-10-20 - H10N80/10
  • 本发明公开了一种N‑极性GaN基平面耿氏二极管及其制备方法，包括衬底层，衬底层上生长有n‑AlGaN背势垒层，n‑AlGaN背势垒层上生长有GaN沟道层、左欧姆接触层和右欧姆接触层，左欧姆接触层和右欧姆接触层分别位于GaN沟道层的两侧，左欧姆接触层和右欧姆接触层上面分别对应地生长有左欧姆接触电极和右欧姆接触电极；GaN沟道层上面生长有左肖特基接触电极、右肖特基接触电极和钝化层，左肖特基接触电极、右肖特基接触电极分别位于钝化层的两侧；GaN沟道层和n‑AlGaN背势垒层之间形成二维电子气薄层，通电时电流方向为沿n‑AlGaN背势垒层的横向，沟道层底部形成漂移的耿氏畴，耿氏畴漂移过程限制在GaN沟道层内部，提高了器件的交直流转化效率和输出功率。
  • 一种极性gan平面耿氏二极管及其制备方法
  •  1 
  • 共 1 条
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