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[实用新型]用于保持生长初期籽晶洁净度的坩埚装置-CN202320507266.X有效
发明人：李远田;包伟刚;刘留 -专利权人：江苏集芯先进材料有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于保持生长初期籽晶洁净度的坩埚装置，包括外坩埚、内坩埚和阻隔单元，所述外坩埚包括外坩埚本体和外坩埚盖，所述外坩埚本体限定出顶部、底部均敞开的第一容纳腔；所述外坩埚盖安装在所述外坩埚本体的顶部，所述外坩埚盖的底部装有籽晶；所述内坩埚设于所述第一容纳腔内；所述内坩埚限定出顶部敞开的第二容纳腔，所述第二容纳腔内装有碳化硅粉体；所述阻隔单元设于所述第一容纳腔内位于所述内坩埚的顶部；所述阻隔单元用于所述第二容纳腔和所述第一容纳腔的连通或隔断。本实用新型能够阻隔初始粉升华气体流动到籽晶处，以抑制其过早生长，保持籽晶的清洁度，提高生长晶体的质量。
用于保持生长初期籽晶洁净坩埚装置

[发明专利]立式烘烤氧化系统-CN201810401983.8有效
发明人：罗爱斌;周铁军;宾启雄;陈章水;易明辉;李勇;吴远高;刘留 -专利权人：广东长信精密设备有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种立式烘烤氧化系统，其包括一炉体、包覆于炉体外的一保温层、固定于炉体内的一坩埚架总成、放置于坩埚架总成上固定的若干坩埚、置于坩埚内用于加热的一石英管加热器、用于封闭炉体并夹持固定石英管加热器的一冷却密封接头以及设于保温层外的一外壳。本立式烘烤氧化系统，相较于现有技术，能降低能耗、成膜均匀、爆管概率降低，且机械自动化程度提高，也能降低在转移过程中擦伤坩埚内氧化膜的风险，整体结构布局合理，非常适合于半导体材料的制备。
立式烘烤氧化系统

[发明专利]超声成像治疗系统、定位方法、装置、设备以及存储介质-CN202310586798.1在审
发明人：刘留;邵维维;崔崤峣;黄文昌;李家奇;朱鑫乐;杨董永 -专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： A61N7/00 文献下载
摘要：本申请是关于一种超声成像治疗系统、定位方法、装置、设备以及存储介质，所述超声成像治疗系统包括电机、编码器、第一联轴器、第一连接件、第二连接件、成像换能器以及治疗换能器；成像换能器与治疗换能器平行且非直接耦合封装在探头装置中；电机的输出端通过第一联轴器与编码器连接；编码器的输出端与第一连接件的第一端同轴连接；第二连接件的第一端与第一连接件的第二端同轴连接；第二连接件的第二端与探头装置连接；并控制电机驱动成像换能器从初始位置扫描目标区域，根据第一电信号以及第一图像信息，确定成像换能器扫描到待消融目标以及治疗换能器的工作区间，以提高定位待消融目标对应的电机旋转的角度区间的精度。
超声成像治疗系统定位方法装置设备以及存储介质

[发明专利]砷化镓多晶合成装置-CN201711088557.5有效
发明人：刘留;罗小龙 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明提出一种砷化镓多晶合成装置，包括一石英管，所述冷却装置还包括内置于石英管内的一石英帽、一进气管，进气管的一端伸入石英管内且与石英帽的半球形封闭面相对设置。本合成装置通过增加进气管由现有技术的自然降温变为局部冷却，降温更有针对性，使得砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽内而非石英管上，可以有效保护石英管、PBN桥和PBN，对石英管的二次利用造成的影响小。
砷化镓多晶合成装置

[发明专利]基于位置和速度预测信息的FANET组网方法及系统-CN202310585148.5在审
发明人：张嘉驰;王学运;刘留 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H04W84/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于位置和速度预测信息的FANET组网方法及系统，属于移动自组通信技术领域，初始化所有节点的速度和位置信息，采用轮廓系数确定初始化聚类数，对所有初始化节点进行聚类；将当前时刻节点速度和位置的测量结果与上一时刻的先验预测结果综合考虑在内，估计当前时刻的节点速度和位置，并利用上一时刻所预测的簇首速度和位置信息作为当前时刻的聚簇初始化中心，对当前时刻的所有节点进行聚簇；每隔固定周期重新计算簇的数目并对所有节点进行聚类。本发明通过Kalman滤波器动态预测节点速度和位置信息，并进行动态聚簇组网，弥补了现有组网中未考虑簇的演化这一特性，降低了FANET海量节点间的通信开销，提高了FANET通信网络的可靠性。
基于位置速度预测信息 fanet 组网方法系统

[发明专利]信息处理方法、装置及计算机可读存储介质-CN202010198081.6有效
发明人：刘留;杨广学 -专利权人：武汉慧联无限科技有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F8/10 文献下载
摘要：本发明公开一种信息处理方法、装置及计算机可读存储介质，所述方法包括：获得目标管理流程，确定所述目标管理流程中的多个目标管理对象；其中，每一个目标管理对象为幂等目标管理对象；执行所述多个目标管理对象，监控所述目标管理流程中的每一个目标管理对象对应的资源状态信息；在所述目标管理流程中的第一目标管理对象对应的资源状态信息发生变化的情况下，确定所述目标管理流程中受所述资源状态信息影响的每一个第二目标管理对象；重新执行受所述资源状态信息影响的每一个第二目标管理对象，获得所述每一个第二目标管理对象对应的目标执行结果；所述目标执行结果用于指示所述第一目标管理对象对应的资源状态是否需要调整。
信息处理方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]用于解决生长初期籽晶重熔的装置及方法-CN202310225992.7在审
发明人：李远田;包伟刚;刘留 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于解决生长初期籽晶重熔的装置及方法，该装置包括生长坩埚、冷却机构和测温组件，生长坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚盖能够上下移动地安装在坩埚本体的顶部，且坩埚盖上下移动过程中时刻与坩埚本体连接；坩埚盖的底部装有籽晶；冷却机构设于坩埚盖的上方，冷却机构具有第一工作状态和第二工作状态，在第一工作状态，冷却机构紧靠坩埚盖，以对坩埚盖进行降温；在第二工作状态，冷却机构远离坩埚盖；测温组件正对生长坩埚设置，用于检测生长坩埚顶部和底部的实时温度。本发明能够抑制籽晶表面石墨化，稳定初始生长条件，消除与严重的微管等缺陷有关的生长中心，提高晶体质量。
用于解决生长初期籽晶装置方法

[发明专利]用于晶体生长过程中的碳硅气氛自动调节装置-CN202310138791.3在审
发明人：李远田;包伟刚;燕靖;许成凯;刘留 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了用于晶体生长过程中的碳硅气氛自动调节装置，包括外坩埚、碳蒸汽控制部件和硅蒸汽控制部件；外坩埚内部设置有内坩埚和石墨托，石墨托底端安装有籽晶，其上端连接有第一连杆；碳蒸汽控制部件能够随着碳化硅晶体重量的变化自动调节进入到外坩埚内部的碳蒸汽流量；硅蒸汽控制部件能够随着内坩埚内部原料重量的变化自动调节进入到外坩埚内部的硅蒸汽流量。本发明在晶体生长过程中能够根据碳化硅晶体和碳化硅粉的实时重量，自动调节碳硅气氛中的Si/C原子比，以解决长晶气氛中，前期富Si后期富C的技术问题，从而解决晶体碳包裹、硅滴及相变问题，提高碳化硅晶体的质量。
用于晶体生长过程中的气氛自动调节装置

[外观设计]河道安全提示浮标-CN202230747177.3有效
发明人：刘留;王俊杰 -专利权人：大连海洋大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： 10-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：河道安全提示浮标。2.本外观设计产品的用途：用作漂浮在河道表面，用于警示过往船只注意礁石或者暗流。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
河道安全提示浮标

[发明专利]一种控制高碳奥氏体不锈钢特厚板晶粒度的方法-CN202110713344.7有效
发明人：徐海健;沙孝春;刘留;严平沅;龙山;高红;申鹏飞 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B21B1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制高碳奥氏体不锈钢特厚板晶粒度的方法，包括：铸坯加热：将铸坯送入步进式加热炉内进行加热，铸坯依次经预热段、加热段和均热段处理后出炉；高压水除鳞后，铸坯表面与铸坯中心的温差控制在15～20℃；粗轧阶段终轧温度≥980℃；粗轧结束后中间坯在辊道待温0.5～1min，精轧阶段：开轧温度≥900℃，轧制单道次压下率≤10％，精轧阶段终轧温度≥850℃；热处理：高温固溶，在炉时间2～5min/mm，水冷至室温。优点是：解决钢板表面晶粒度与中心晶粒度不一致的现象发生，简化生产工艺降低生产成本实现晶粒度在3级以上。
一种控制奥氏体不锈钢厚板晶粒方法

[发明专利]稀散金属制粒设备-CN202011027311.9有效
发明人：刘留;李春生;陈应红;王效林;罗鑫;叶道明;黄猛;余竹坤 -专利权人：江苏先导微电子科技有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种稀散金属制粒设备，其包括：投料单元，位于稀散金属制粒设备顶端；熔料单元，连接于投料单元的下料口，用于使稀散金属原料熔融；成型单元，位于熔料单元下方，用于使稀散金属滴粒成型；收集单元，固定连接于成型单元，用于收集粒状稀散金属；控制系统，分别与投料单元、熔料单元、成型单元和收集单元通信连接，其中，投料单元自动调节稀散金属原料的卸料速度，收集单元自动完成粒状稀散金属的收集。本公开的稀散金属制粒设备能够自动完成卸料、熔料、金属粒成型及收集，投料单元能够保证滴粒成型的稳定性，显著提高稀散金属制粒的生产效率及产品质量。
金属设备

[外观设计]扫地机（700V710V720V750V）-CN202230057705.2有效
发明人：刘留 -专利权人：深圳科莱宝智能科技有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： 15-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：扫地机（700V710V720V750V）。2.本外观设计产品的用途：用于扫地机。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
地机 700 v710v720v750v

[发明专利]高速移动场景下窄波束信道测量系统与方法-CN202111050845.8有效
发明人：周涛;张文良;刘留;梁逸群;郭强亮;李岸宁;李毅 -专利权人：中国铁道科学研究院集团有限公司;北京交通大学
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H04B7/0417 文献下载
摘要：本发明提供了一种高速移动场景下窄波束信道测量系统与方法，测量系统包括探测信号生成模块，用于生成信道探测的激励信号，并通过全向天线向外辐射；GPS记录器，用于记录移动端的GPS信息；接收相控阵天线，用于接收移动端发出的激励信号；波束控制模块，用于控制接收相控阵天线的波束宽度和指向，进而实现波束扫描和跟踪；信道数据采集模块，用于对接收的激励信号进行放大和滤波，并转换为中频模拟信号，进一步将中频模拟信号转换为中频数字信号并存储以及处理得到窄波束信道的冲激响应。并提出了基于此系统进行高速移动场景下的窄波束信道探测的方法。可以有效精确地实现在高速移动场景下对窄波束信道的测量和信道冲激响应的提取。
高速移动场景波束信道测量系统方法

[发明专利]数据库主键的生成方法、装置及电子设备-CN202211511583.5在审
发明人：贾国贤;刘留;廖杰;毛培芳 -专利权人：中国工商银行股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F16/901 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据库主键的生成方法、装置及电子设备，涉及计算机技术领域。其中，该方法包括：获取目标时间戳和容器的数量，其中，目标时间戳为生成数据库主键时所对应的时间戳，容器用于执行数据库主键的生成命令；基于容器的数量，确定生成数据库主键的步长值，其中，数据库主键用于标识数据库中的数据，步长值表征生成数据库主键的步进数值；基于步长值确定自增数的自增值，其中，自增数为容器中以自增值进行步进增长的数字；根据目标时间戳和自增数，生成数据库主键。本发明解决了现有技术中在生成数据库主键过程中由于容器标识所占位数固定导致数据库主键区间利用率低的技术问题。
数据库主键生成方法装置电子设备

[实用新型]碳化硅晶体生长装置-CN202223134048.0有效
发明人：李远田;许成凯;燕靖;包伟刚;刘留 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚、加热组件、第一发热件、过滤件、第二发热件和籽晶；加热组件对称安装在坩埚内侧顶壁和底壁，其包括多层与坩埚同轴设置的环形加热件，环形加热件的高度在粉源至籽晶方向上逐渐递减；第一发热件侧壁与最高的环形加热件的侧壁紧密贴合；过滤件顶部与坩埚上部的第一发热件底部相连，底部与坩埚下部的第一发热件顶部相连，过滤件和第一发热件将坩埚分隔为生长空间和原料空间；第二发热件安装在原料空间内；籽晶纵向安装在生长空间内，籽晶的中心与坩埚的中心均在加热组件对称线上。本实用新型能够过滤碳化硅气氛中的杂质，避免碳包裹现象，提高碳化硅晶体的品质。
碳化硅晶体生长装置

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