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[发明专利]用于早期数据传输的物理层增强-CN201880073943.3有效
发明人： A·里克阿尔瓦里尼奥;U·普亚尔;L·刘;X·F·王;M·S·翰达 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H04W74/08 文献下载
摘要：本文中所呈现的各个特征促成eMTC和NB‑IoT中的早期数据传输(EDT)。在某些方面，UE(例如，eMTC和/或NB‑IoT类型设备)可以在来自基站的SIB中接收指示，该指示可使UE能够进行EDT。UE可以基于SIB传送随机接入请求。UE可以进一步在RAR中接收MCS索引，并且基于MCS索引和SIB中的指示向基站传送连接请求(例如，Msg3)。本文描述的一些方面涉及经改进的速率匹配技术。在某些方面中，UE可以被配置成基于与来自UE的其他传输的RV的数量相比增加数量的RV或者跨一个以上子帧执行的速率匹配中的至少一者向基站传送连接请求消息。
用于早期数据传输物理层增强

[发明专利]用于通过串行接口收发器进行故障检测和报告的系统和方法-CN202110336369.X有效
发明人： L·刘;R·吉 -专利权人：马克西姆综合产品公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：用于故障检测和报告的电路、系统和方法包括故障检测电路，该故障检测电路被配置为检测一个或多个故障状况，该一个或多个故障状况导致故障引脚电压中的状态改变，该状态改变表示收发器故障。一旦故障引脚电压的状态改变，收发器输入端就会生成故障检测码。在实施例中，响应于收发器输入端接收到第一信号，故障检测码被移位到收发器输出端，该收发器输出端可以将故障检测码传送给控制器。一旦收发器输入端接收到第二信号，故障引脚电压就可以被重置以在重新开始操作之前清除故障检测码，包括在附加故障状况出现时检测它们。
用于通过串行接口收发进行故障检测报告系统方法

[发明专利]具有深源接触的功率MOSFET-CN201780087729.9有效
发明人：林福任;F·巴约奇;H·林;Y·刘;L·刘;W·宋;Z·赵 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率MOSFET IC器件，其包括形成在半导体衬底中的MOSFET单元阵列(300A、300B)。MOSFET单元阵列包括内部MOSFET单元(300A)的内部区和外部MOSFET单元(300B)的外边缘区，阵列的内部区的每个内部MOSFET单元包括内部MOSFET器件对，其在共用漏极接触(314)处彼此耦合。在一个示例实施例中，每个内部MOSFET器件包括延伸到半导体衬底的衬底接触区中的源极接触沟槽(SCT)。提供SCT沟槽，其长度(303)小于内部MOSFET器件的多晶硅栅极(312)的线性部分(310A)，其中SCT沟槽与具有曲线布局几何结构的多晶硅栅极(312)对准。
具有接触功率 mosfet

[发明专利]调节FLRT3介导的信号转导的组合物和方法-CN202180050412.4在审
发明人： D·B·福莱斯;K·普拉贾帕蒂;A·C·科克萨尔;L·刘;S·朗格曼 -专利权人：奈斯科尔公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A61K39/00 文献下载
摘要：提供了用于调节FLRT3介导的信号传导的组合物和其使用方法。例如，提供了降低FLRT3表达、配体结合、交联、FLRT3介导的信号传导或其组合的免疫调节剂。在另一个实施方案中，提供了增强或促进FLRT3表达、配体结合、交联、FLRT3介导的信号传导或其组合的免疫调节剂。此类药剂可用于调节有需要的受试者中的免疫应答。
调节 flrt3 信号转导组合方法

[发明专利]使用正交覆盖码来增加物理随机接入容量-CN201880063161.1有效
发明人： A·里科阿尔瓦里尼奥;陈万士;X·F·王;L·刘;U·蒲亚尔;程鹏;魏超;徐浩 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H04L27/00 文献下载
摘要：描述了用于使用正交覆盖码(OCC)来增加物理随机接入信道(PRACH)容量的系统、方法和设备。基站可以例如在系统信息块(SIB)中发送指示用于系统接入的PRACH资源的PRACH配置。用户设备(UE)可以接收PRACH配置，并且可以识别支持OCC以进行系统接入的PRACH资源。例如，在PRACH资源之间具有较小时域间隔的PRACH配置可以支持OCC。UE可以确定是否在PRACH资源中使用OCC来发送随机接入(RACH)前导码消息，并且可以基于该确定来向基站发送RACH前导码消息。在一些情况下，基站可以另外指示未配置用于OCC的PRACH资源，并且UE可以基于一个或多个参数来确定要在哪个资源集合中发送。
使用正交覆盖增加物理随机接入容量

[发明专利]用于通过接触透镜介导的药物递送治疗眼部疾病的组合物和方法-CN202180024240.3在审
发明人： B·K·曼恩;D·斯迪尔兰德;M·曼佐;H·希尔顿;T·拉姆巴兰;L·刘 -专利权人：奇奥拉制药股份有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： A61K9/00 文献下载
摘要：本公开内容提供了一种眼部药物递送系统，其包括接触透镜和药物递送部分，该药物递送部分可以包括具有式X‑(CH2)n‑Z的化合物，其中X是可光交联基团。有利地，该药物递送部分可以帮助将高浓度的带负电荷的治疗剂负载到眼部药物递送系统中。另外，所公开的眼部药物递送系统可以帮助经约4至约24小时的时间段将带负电荷的治疗剂受控递送至患者的眼睛。
用于通过接触透镜药物递送治疗眼部疾病组合方法

[发明专利]用于眼部基因疗法的经修饰的腺相关病毒衣壳蛋白及其使用方法-CN202180011349.3在审
发明人： A·弗雷德里克;X·金;L·刘;C·奥瑞奥丹;J·沙利文 -专利权人：建新公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C07K14/005 文献下载
摘要：本文提供了经修饰的腺相关病毒(AAV)衣壳蛋白、包含所述衣壳蛋白的组合物(例如，rAAV)、和编码所述衣壳蛋白的核酸。本文提供的AAV衣壳赋予视网膜细胞嗜性和/或角膜细胞嗜性，并且介导在临床相关的眼部细胞类型诸如感光细胞和/或角膜内皮细胞中改善的转导效率。还提供了编码所述衣壳蛋白的核酸以及包含所述衣壳蛋白的AAV颗粒。
用于眼部基因疗法修饰相关病毒蛋白及其使用方法

[发明专利]具有位于隔离沟槽中的IO接触部的3D NAND-CN202210936112.2在审
发明人： P·K·卡尔萨尼;A·礼萨;L·刘;D·蒂梅高达;Z·T·刘;S·巴拉苏布拉满亚姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本文公开了一种存储器装置，存储器装置的实施例可以包括衬底、设置在衬底上的由三维(3D)NAND单元构成的第一存储器阵列、设置在衬底上的与第一存储器阵列相邻的隔离沟槽以及被置于隔离沟槽内的输入/输出(IO)接触部。还公开了其他实施例并要求对其予以保护。
具有位于隔离沟槽中的 io 接触 nand

[发明专利]作为LSD-1抑制剂的吡咯并[2,3-C]吡啶和相关类似物-CN201880046207.9有效
发明人：王少萌;D·张;C·郑;Z·陈;L·刘;L·黄;C-Y·杨 -专利权人：密歇根大学董事会
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本申请提供了式I和II所示的化合物：以及其药学上可接受的盐和溶剂化物，其中R1、R2、R3、X、W、Y和Z如本说明书中所定义。本申请还提供了用于治疗对抑制LSD1有响应的病症或障碍例如癌症的式I和II的化合物。
作为 lsd 抑制剂吡咯吡啶相关类似物

[发明专利]通过连续液滴形成和脱水形成颗粒的方法-CN202180029347.7在审
发明人： J·G·奥尔;P·布朗;T·L·卡特;C·S·柯夫曼;P·F·赫伯特;J·W·艾维;M·赫瓦佳;L·刘;S·沙德巴尔;S·瓦尔塔克 -专利权人：伊勒卓菲公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： A61K9/14 文献下载
摘要：本公开涉及能够实现连续液滴形成和液滴脱水以提供可用于治疗的药学上相关的颗粒的方法。特别地，本文公开的方法允许受控的连续液滴形成和脱水以产生包含生物活性治疗性生物制剂的具有低内部空隙空间的圆形颗粒。
通过连续形成脱水颗粒方法

[发明专利]一种高压场效应晶体管及其制造方法-CN202210306044.1在审
发明人：阿列克谢·库迪莫夫;L·刘;王晓辉;贾马尔·拉姆达尼 -专利权人：电力集成公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本申请公开了一种高压场效应晶体管(HFET)，包括第一半导体材料、第二半导体材料和异质结。所述异质结布置在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料之间。HFET还包括多个复合钝化层，其中第一复合钝化层包括第一绝缘层和第一钝化层，并且第二复合钝化层包括第二绝缘层和第二钝化层以及第三复合钝化层包括第三绝缘层和第三钝化层，其中，所述多个复合钝化层中的所述绝缘层由适于形成栅极绝缘体的电介质制成。栅极电介质布置在所述第一钝化层和所述第二半导体材料之间。栅极电极布置在所述栅极电介质和所述第一钝化层之间。第一栅极场板布置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间，其中，所述第一栅极场板与栅极电极耦接。
一种高压场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]载体组合物及其用于治疗溶酶体贮积症的方法-CN202080061537.2在审
发明人： C·杜;L·刘 -专利权人： M6P医疗（瑞士）有限责任公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： A61K48/00 文献下载
摘要：本文提供的是使用双顺反子载体用于治疗或预防受试者中的溶酶体贮积症(LSD)的组合物和方法。所公开的组合物包含双顺反子载体，其包含启动子、内部核糖体进入位点(IRES)、编码溶酶体酶的多核苷酸和编码修饰的GlcNAc‑1磷酸转移酶(GlcNAc‑1 PTase)的多核苷酸。本方法包括向受试者施用包含如本文公开的双顺反子载体的药物组合物。
载体组合及其用于治疗溶酶体贮积症方法

[发明专利]具有金属填充的深源极触点的功率MOSFET-CN201680079272.2有效
发明人：林福任;F·贝奥奇;Y·刘;L·刘;T·吕;P·林;H·林 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种平面栅功率MOSFET(100)，所述平面栅功率MOSFET包括：衬底(105)，其具有以第一导电类型掺杂的半导体表面(108)；多个晶体管单元(单元)，其包括各自具有在本体区(113)上方的栅极堆叠(111a/112、111b/112)的第一单元(110a)和至少第二单元(110b)。沟槽具有＞3的纵横比，在所述栅极堆叠之间从所述半导体表面的顶侧向下延伸，从而提供从以第二导电类型掺杂的源极(127)到所述衬底的源极触点(SCT)(120)。场板(FP)(128)位于所述栅极堆叠上方，其提供用于所述沟槽的内衬。所述沟槽具有位于其内部的难熔金属或铂族金属(PGM)金属填料(122)。以所述第二导电类型掺杂的漏极(132)位于与所述沟槽相对的所述栅极堆叠侧面上的所述半导体表面中。
具有金属填充深源极触点功率 mosfet

[发明专利]递送用于治疗疾病的治疗性生物制剂的组合物和方法-CN202080064558.X在审
发明人： P·布朗;T·L·卡特;L·F·小查尔斯;C·S·柯夫曼;D·B·达顿;L·刘;S·沙德巴尔;C·苏德里克;唐一;S·瓦尔塔克 -专利权人：伊勒卓菲公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： A61K39/395 文献下载
摘要：本公开提供了用于治疗有需要的受试者的疾病或疾患的组合物和方法，所述方法包括向所述受试者施用药学上有效量的组合物，所述组合物包含悬浮在药学上可接受的液体载体中的多个颗粒，所述颗粒包含至少一种治疗性生物制剂。
递送用于治疗疾病生物制剂组合方法

[发明专利]用于HFET器件的保护绝缘体-CN201710232410.2有效
发明人：阿列克谢·库迪莫夫;L·刘;王晓辉;贾马尔·拉姆达尼 -专利权人：电力集成公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种高压场效应晶体管(HFET)，包括第一半导体材料、第二半导体材料和异质结。所述异质结布置在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料之间。HFET还包括多个复合钝化层，其中第一复合钝化层包括第一绝缘层和第一钝化层，并且第二复合钝化层包括第二绝缘层和第二钝化层。栅极电介质布置在所述第一钝化层和所述第二半导体材料之间。栅极电极布置在所述栅极电介质和所述第一钝化层之间。第一栅极场板布置在所述第一钝化层和所述第二钝化层之间。源极电极和漏极电极与所述第二半导体材料耦接，并且所述源极场板与所述源极电极耦接。
用于 hfet 器件保护绝缘体

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