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[发明专利]一种槽栅超结器件-CN201810970740.6有效
发明人：李泽宏;杨梦琦;王梁浩;蒲小庆;任敏;张金平;高巍;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明设计功率半导体技术，特别涉及一种槽栅DMOS器件。本发明的特征在于：基于传统槽栅超结器件结构，在第一导电类型半导体柱区中引入采用窄禁带第一导电类型半导体区，并在窄禁带第一导电类型半导体区中靠近第二导电类型半导体柱区的侧面引入宽禁带第一导电类型半导体区，通过上述措施，能够有效改变槽栅超结器件发生雪崩击穿时的雪崩击穿电流路径，使雪崩击穿电流远离重掺杂第一导电类型半导体源区下方的第二导电类型半导体体区，从而有效避免寄生BJT的开启，提高槽栅超结器件在非箝位电感负载应用中的可靠性
一种槽栅超结器件

[实用新型]带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件-CN201821424488.0有效
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型功率器件技术领域，尤其涉及一种带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层和源极金属。该器件采用侧墙栅结构，侧墙栅位于沟槽氧化层的侧立面上，沟槽氧化层位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快、耐压高的特点，又具有侧墙栅屏蔽JFET电阻的特点，进而提高了超结MOSFET器件的功率密度，并且同时减小了多晶硅与栅极氧化层的接触面积，减小Qg栅电荷，进而减小了开关损耗，提高了开关频率。
侧墙超结MOSFET 深槽结构栅结构减小深槽沟槽氧化层栅极氧化层外延层源区本实用新型多晶硅栅极功率器件开关频率开关损耗器件横向源极金属多晶硅介质层栅电荷屏蔽侧立衬底电阻耐压保留

[发明专利]一种沟槽栅超结MOSFET及其制作方法-CN202210386520.5在审
发明人：李平;马荣耀 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽栅超结MOSFET及其制作方法，该沟槽栅超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、沟槽栅结构、栅极结构、源极及漏极，其中，缓冲区堆叠于衬底的上方；第一导电类型柱及第二导电类型柱并列邻接于缓冲区的上表面；体区堆叠于第二导电类型柱上；源区与体接触区邻接且均位于体区的上表层；沟槽栅结构贯穿体区及体接触区并延伸至第二导电类型柱中；栅极结构位于第一导电类型柱的上表面本发明通过于超结MOSFET的体接触区中设置沟槽栅结构，使器件的击穿点位于沟槽栅结构下方，抑制寄生三极管的开启，增加器件的雪崩耐量。
一种沟槽栅超结 mosfet 及其制作方法

[发明专利]具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法-CN201910414256.X在审
发明人：王凡 -专利权人：宁波宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法，器件包括：图形SOI衬底，其绝缘层中具有窗口，窗口中填充有P型外延层；P型体区；超结结构，其一侧并与P型体区横向连接，超结结构包括层叠的P型超结体区及N型超结体区；N型体区，连接于超结结构的另一侧；N型源区；P型重掺杂衬底接触区；N型漏区，形成于N型体区中；场氧化层，形成于N型超结体区中；栅氧化层，横跨于N型源区及N型超结体区之间；栅极层，形成于栅氧化层上。本发明的超结结构可有效降低器件的导通电阻，降低器件表面电场。本发明的场氧化层可以使得器件的击穿电压位于衬底之中，防止器件表面电场过大而导致的击穿电压降低。
具有结构 soi 横向 ldmos 器件制作方法

[发明专利]一种深槽超结DMOS器件-CN201710668240.2有效
发明人：任敏;罗蕾;李佳驹;李泽宏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种深槽超结DMOS器件，属于功率器件领域。本发明通过在传统超结DMOS器件中引入深槽栅结构，并合理设置深槽栅结构中介质层的复合交界面以固定雪崩击穿点，由于介质层中复合交界面在远离体区处引入电场峰值，而载流子必然会选择电阻最小的路径，进而达到有效改变发生雪崩击穿时超结DMOS器件的雪崩击穿电流路径，使雪崩击穿电流远离寄生BJT管的基区电阻，从而避免寄生BJT管的发射极正偏而造成的BJT管的开启，增强超结DMOS器件的钪UIS失效能力，提高器件在非箝位电感负载应用中的可靠性
一种深槽超结 dmos 器件

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN201610671434.3有效
发明人：肖胜安;曾大杰 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，至少一个以上的超结单元的P型柱中具有N型电场阻断层，N型电场阻断层将P型柱在纵向上分割成位于电场阻断层顶部和底部的第一和二P型柱；N型电场阻断层用于实现顶部和底部超结结构的分段耗尽；当超结器件的源漏电压小于等于第一电压值时，仅顶部超结结构发生耗尽；当超结器件的源漏电压大于第一电压值时，顶部和底部超结结构都发生耗尽。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能提高栅漏电容以及栅漏电容的最小值，从而能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰性能以及有效降低器件在应用电路中带来的电流和电压的过冲，还能增加器件的反向恢复的软度因子，本发明还能使器件的击穿电压得到保持
器件及其制造方法

[实用新型]一种平面栅超结MOSFET器件-CN201720314553.3有效
发明人：白玉明;章秀芝;张海涛 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其是一种平面栅超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、N+型源区、栅氧化层、多晶硅栅极和源极金属。本实用新型的平面栅超结MOSFET器件采用P型体区与P型柱深槽结构分离的结构，P型柱深槽结构浮空，P型体区注入在深槽Trench结构中间，该结构保留了超结MOSFET器件横向扩散高耐压的特点，又因为P型体区与
一种平面栅超结 mosfet 器件

[发明专利]超结器件制造方法及超结器件-CN201510267296.8在审
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种超结器件制造方法及超结器件，其中方法包括：在衬底上形成外延层，在所述外延层上形成氧化层掩膜；对所述氧化层掩膜进行光刻、刻蚀，并在所述氧化层掩膜的掩蔽下，在所述外延层上刻蚀出凹槽；在所述凹槽内形成氧化物层，并采用表面平坦化处理，使所述氧化物层与所述外延层的顶部齐平；在所述氧化物层上方形成栅氧化层及多晶硅栅。本发明提供的超结器件制造方法及超结器件中，在外延层上形成有凹槽，并在所述凹槽内形成有氧化物层，能够有效减小栅漏电容，减少器件的开关时间，降低器件的开关损耗；并且，相对于现有技术，本发明中的栅氧化层的厚度并没有增加
器件制造方法

[实用新型]一种超结功率半导体器件-CN201921422126.2有效
发明人：朱袁正;李宗清 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种超结功率半导体器件，包括：第一导电类型衬底及位于第一导电类型衬底上的第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设置有第一导电类型柱、第二导电类型第一柱和第二导电类型第二柱，每个第二导电类型第二柱的两侧均与第二导电类型第一柱相邻；第二导电类型第一柱上设置有第二导电类型体区；第二导电类型体区的上方设置有第一栅电极，第二导电类型第二柱上方设置有第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极被第二绝缘介质层间隔且电性连接本实用新型提供的超结功率半导体器件可以改善超结半导体器件的开关特性。
一种功率半导体器件

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法-CN201310058786.8在审
发明人：褚为利;朱阳军;田晓丽;卢烁今;胡爱斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括：集电区；位于所述集电区表面上的超结漂移区；位于所述超结漂移区表面上的有源区以及第一终端结构，所述第一终端结构包围所述有源区；包围所述超结漂移区以及第一终端结构的第二终端结构本申请所述绝缘栅双极型晶体管设置有第二终端结构，该第二终端结构作为绝缘栅双极型晶体管的反向耐压终端结构，能有效提高绝缘栅双极型晶体管承受反向耐压的能力。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]一种具有阳极辅栅的超结IGBT器件-CN202310321120.0在审
发明人：李泽宏;李陆坪;陈鹏;杨远振;饶乾生 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种具有阳极辅栅的超结IGBT器件，包括：金属集电极；阳极辅助平面栅，由第二导电类型半导体多晶区、第一绝缘介质层、第一导电类型半导体集电区、第二导电类型源区、第二导电类型杂质缓冲层组成；超结柱区，由一导电类型体区、第二导电类型体区组成；载流子浓度存储区，由第二导电类型漂移区组成；阴极栅结构，由第一导电类型杂质区、金属发射极、第一导电类型半导体区、第二导电类型半导体区、第二导电类型多晶硅器件特性是：可通过主栅和辅栅的时序协同，在不影响通态特性的同时提升超结IGBT的关断速度，减小关断损耗Eoff并优化器件的Von
一种具有阳极 igbt 器件

[发明专利]低压超结MOSFET栅源氧化层结构及制造方法-CN201710153059.8在审
发明人：杨乐;刘挺;岳玲 -专利权人：西安龙腾新能源科技发展有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及低压超结MOSFET栅源氧化层结构及制造方法，通过两次氮化硅工艺对栅极源极间氧化层厚度进行调整，避免栅源间根部氧化层不均匀，造成器件失效或参数异常。本发明通过深槽填充多晶硅，两个深槽互相电荷平衡完成超结功能，再在深槽上方采用湿法腐蚀的方式形成浅槽，在浅槽中制作低压超结MOSFET，共同构成低压超结器件，可以用传统的半导体制造工艺实现，在工艺难度不增加的情况下改善第一多晶硅与栅极多晶硅之间氧化层质量
低压 mosfet 氧化结构制造方法

[发明专利]具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法-CN201910411752.X在审
发明人：王凡 -专利权人：宁波宝芯源功率半导体有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法，器件包括：图形SOI衬底，其绝缘层中具有窗口，窗口中具有N型外延层及N型连接区；N型体区；超结结构，其一侧并与N型体区横向连接，超结结构包括层叠的N型超结体区及P型超结体区；P型体区，连接于超结结构的另一侧；P型源区；N型重掺杂衬底接触区；P型漏区，形成于P型体区中；场氧化层，形成于P型超结体区中；栅氧化层，横跨于P型源区及P型超结体区之间；栅极层，形成于栅氧化层上。本发明的超结结构可有效降低器件的导通电阻，降低器件表面电场。本发明的场氧化层可以使得器件的击穿电压位于衬底之中，防止器件表面电场过大而导致的击穿电压降低。
具有结构 soi 横向 ldmos 器件制作方法

[发明专利]双沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法-CN201911166780.6在审
发明人：曹震;赵嘉璇;邓世超;邵奕霖;于正洋;焦李成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种双沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法。该器件的特点是：基于超结结构，衬底的材料为元素半导体材料；在基区的上部临近超结漂移区的一端向外侧依次形成第一源区、沟道衬底接触、第二源区以及沟槽；器件表面对应于第一源区相应的第一沟道的区域形成平面栅绝缘层以及平面栅电极；沟槽贯穿基区并延伸到下方的缓冲层，沟槽的底面和侧面形成沟槽栅绝缘层，并基于沟槽栅绝缘层内表面以多晶硅填平形成沟槽栅电极；在第一源区、沟道衬底接触和第二源区表面短接形成源电极。本发明的平面栅和沟槽栅结构形成双栅结构，实现电子电流的双沟道导通，有效降低了器件的导通电阻。
沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应及其制作方法

[发明专利]双沟道横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法-CN201911166777.4在审
发明人：曹震;于正洋;赵嘉璇;邵奕霖;邓世超;焦李成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种双沟道横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法。该器件基于宽带隙材料，漂移区为超结结构；在基区的上部临近超结漂移区的一端向外侧依次形成第一源区、沟道衬底接触、第二源区以及沟槽；器件表面对应于第一源区相应的第一沟道的区域形成平面栅绝缘层以及平面栅电极；沟槽贯穿基区并延伸到下方的缓冲层，沟槽的底面和侧面形成沟槽栅绝缘层，并基于沟槽栅绝缘层内表面以多晶硅填平形成沟槽栅电极；在第一源区、沟道衬底接触和第二源区表面短接形成源电极。本发明的平面栅和沟槽栅结构形成双栅结构，实现电子电流的双沟道导通，有效降低了器件的导通电阻。
沟道横向超结双扩散金属氧化物宽带半导体场效应及其制作方法