“栅超结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果378753个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法-CN201010570087.8无效
发明人：刘莹 -专利权人：刘莹
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，其结构为：以超白玻璃为衬底，其上设一层起阻挡钝化作用的薄膜，薄膜上设一层N型多晶硅薄膜，其上设栅状或梳状铝电极，在多晶硅薄膜内部设由铝电极渗透到多晶硅薄膜内形成的栅状或梳状肖特基PN结。本发明还公开了制备方法：清洁衬底，依次在其上以真空镀膜方式镀阻挡钝化薄膜，以液相外延或真空镀膜的方式镀制N型多晶硅薄膜，然后印刷栅状或梳状引出电极，用强激光照射铝负极使部分铝渗入多晶硅薄膜内部形成栅状或梳状肖特基结由于PN结为栅状或梳状，有效PN结长度增加，比传统结构的太阳多晶硅薄膜电池提高了转化效率，同时简化了生产过程。
一种肖特基结单面电极多晶薄膜太阳能电池及其制法

[发明专利]超结MOSFET的制作方法-CN201510024143.0在审
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种超结MOSFET的制作方法。该方法包括：在N型衬底的N型外延层上表面依次生长栅氧化层、多晶硅层、氧化层和氮化硅层；并进行光刻、刻蚀处理形成窗口；沿着窗口向N型外延层注入P型离子形成碗口状的P-区；从露出的N型外延层的上表面向下穿过P-区刻蚀出沟槽；在沟槽中生长P型外延层；通过光刻处理在P型外延层中形成N+区；生长介质层，并对介质层进行光刻、刻蚀处理；生长金属层，并对金属层进行光刻、刻蚀处理，以完成超结MOSFET的制作。本发明实施例制作超结MOSFET需要四次光刻处理，相对于制作超结MOSFET需要五次光刻，减少了光刻处理次数，节省了工艺制作成本。
mosfet 制作方法

[发明专利]一种三维超结LDMOS结构及其制作方法-CN202310793099.4在审
发明人：孙明光;李振道;朱伟东;赵泊然 -专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维超结LDMOS结构及其制作方法。本发明包括第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上方设置有第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层表面设置有预设结深的第一导电类型体区，所述第一导电类型体区表面设置有相切的第一导电类型背栅注入区和第二导电类型源极注入区；所述第二导电类型外延层表面在所述第一导电类型体区右侧设有超结区，在所述超结区中，设置有多层沿所述超结区竖向和纵向方向上交替分布的第一导电类型杂质区和第二导电类型杂质区。
一种三维 ldmos 结构及其制作方法

[实用新型]超结金属栅场效应晶体管封装结构-CN201720466926.9有效
发明人：任留涛 -专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结金属栅场效应晶体管封装结构，包括超结MOSFET芯片、底载板、源极导电基板、栅极导电焊板和漏极导电焊板；所述超结MOSFET芯片的顶部设有源极、栅极和漏极，所述源极、栅极和漏极上均设有对应的导电凸点所述源极的导电凸点高于所述栅极的导电凸点和所述漏极的导电凸点；所述源极导电基板包括基板引脚区和散热区，所述基板引脚区设于所述源极的导电凸点的顶部，且所述基板引脚区与所述源极的导电凸点电连接，所述散热区设于所述栅极的导电凸点和所述漏极的导电凸点的上方；所述超结
金属场效应晶体管封装结构

[发明专利]一种具有两种导电模式的超结MOSFET-CN202010005381.8有效
发明人：陈万军;张兴强;夏云 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有两种导电模式的超结MOSFET。与传统超结MOSFET相比，本发明器件采用介质隔离层将器件沿超结的纵向分界线分为两部分，N型漂移区一侧为普通超结MOSFET的导电模式，为单极性导电，没有开启电压，但是在大电流下导通电阻高，而P型漂移区一侧为一个栅控肖克来二极管导电模式因此与普通超结MOSFET相比较，导通电阻在大电流时下降。器件反向导通时，由于P型漂移区未参与导通，并且P型漂移区一侧的器件P+短路区未参与导电，因此降低了器件的反向恢复电荷。
一种具有导电模式 mosfet

[发明专利]一种超结逆导型栅控双极型器件-CN201911310477.9有效
发明人：郑崇芝;李青岭;夏云;陈万军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种超结逆导型栅控双极型器件。与传统超结IGBT相比，本发明器件采用介质隔离层将器件沿超结的纵向分界线分为两部分，第一漂移区一侧正向导通时不参与导电，反向导通时作为二极管起续流作用。
一种超结逆导型栅控双极型器件

[发明专利]一种超结双向开关-CN201910119901.5有效
发明人：汪志刚;杨翀 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结双向开关，其包括至少一个双向开关结构，每个双向开关结构均包括自上而下设置的栅控区、耐压区和集电区，本发明可实现正向导通反向阻断与正向阻断反向导通，有效地避免了传统双向绝缘栅双极性晶体管开关需要双栅控制的复杂性
一种双向开关

[发明专利]二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法-CN202210058299.0有效
发明人：陈秋兰;赖浩杰;谢伟广;周洋;刘虔铖;金浩宇;庞娜娜;郭静玉 -专利权人：广东食品药品职业学院;暨南大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电子技术领域，具体地，公开了一种二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器包括:导电衬底，所述导电衬底位于最下层；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述导电衬底的上表面；光敏浮栅层，所述光敏浮栅层设于所述第一电介质层的上表面，所述光敏浮栅层为具有超晶格结构的二维钙钛矿单晶纳米片；所述光敏浮栅层的上表面设有或不设有第二电介质层；半导体沟道层，所述半导体沟道层设于所述第二电介质层或所述光敏浮栅层的上表面；电极，所述电极设于所述半导体沟道层上。该二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器，可以实现低功耗编程且高数据存储。
二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法

[发明专利]一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制法-CN201110089358.2无效
发明人：刘莹 -专利权人：刘莹
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，其结构为：以超白玻璃为衬底，其上设一层起阻挡钝化作用的薄膜，薄膜上方设一层多晶硅薄膜，其上设栅状或者梳状PN结，最上方设与PN结形状相适配的引出电极其制备步骤为：清洁玻璃衬底，依次在其上以真空镀膜方式镀阻挡钝化层薄膜，以液相外延或者真空镀膜方式镀制多晶硅薄膜，然后通过热扩散、离子注入、激光掺杂等方式在多晶硅薄膜上制备栅状或梳状PN结，最后印刷引出电极由于PN结呈栅状或者梳状排布，比传统结构有效PN结长度增加，提高了转化效率。同时，多晶硅层容易做得很薄，容易实现大规模生产。
一种单面电极多晶薄膜太阳能电池及其制法

[发明专利]一种基于超分子的单分子场效应晶体管及其制备方法-CN202110065805.4有效
发明人：祝欣;郭雪峰;贾传成;李佩慧 -专利权人：南开大学;北京大学
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：一种基于超分子的单分子场效应晶体管及其制备方法，属于场效应晶体管领域。是由石墨烯阵列点电极、铂栅栅极、超分子异质结和离子液体构成。其中铂栅栅极位于石墨烯阵列点电极的两侧，且与石墨烯阵列点电极无导电接触；分子异质结与石墨烯阵列点电极之间通过酰胺键连接。选取葫芦脲作为主体分子，选取紫晶类分子，苯乙烯衍生物，蒽衍生物等作为客体分子，研究表明通过主客体相互作用进行组装可以得到超分子体系。
一种基于分子场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池-CN201120327244.2有效
发明人：刘莹 -专利权人：刘莹
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池，其结构为：以超白玻璃为衬底，玻璃板上设一层起阻挡和钝化作用的薄膜，薄膜上层设一层多晶硅薄膜，在薄膜的表面进行栅状掺杂或者梳状掺杂形成栅状或者梳状PN结，最上层按PN结形状设成栅状或者梳状引出电极。其制备步骤为：清洁玻璃衬底，依次在玻璃板上用真空镀膜方式镀阻挡和钝化层薄膜，以液相外延或者真空镀膜的方式镀制多晶硅薄膜，然后通过热扩散、离子注入、激光掺杂等方式在多晶硅薄膜上制备栅状或者梳状PN结，最后印刷引出电极由于PN结呈栅状或者梳状排布，使有效PN结长度增加，提高了转化效率。同时，多晶硅层容易做得很薄，容易实现大规模生产。
一种单面电极多晶薄膜太阳能电池

[发明专利]氮化镓超结器件-CN201310077499.1无效
发明人： S·W·比德尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓超结器件。氮化镓高电子迁移率晶体管结构允许高击穿电压并可用于大功率和/或高频切换。肖特基二极管便于高电压应用并提供快速切换。由氮化镓中的p/n结形成的超结便于高电子迁移率晶体管结构、肖特基二极管以及由晶体管结构的漏极至栅极连接形成的栅控二极管的操作。
氮化镓超结器件

[发明专利]单电子多值存储器-CN02124386.7无效
发明人：吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2002-06-21 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明一种单电子多值存储器件，包括：具有面密度为N0的多个超小纳米浮栅；n个小控制栅极，该n个小控制栅极制作在浮栅上；在浮栅下面有MOS管的沟道和衬底；在浮栅和栅极之间有控制栅绝缘膜或控制栅绝缘膜电容Cctl；在浮栅和沟道之间有隧穿膜或隧穿结Ci；在沟道两极分别有源极和漏极；电子可以通过隧穿膜在超小纳米浮栅和沟道之间隧穿，也可以在相邻的超小纳米浮栅之间相互隧穿；n个小控制栅极上加n位二进制的输入信号，实现2n
电子存储器

[发明专利]一种超结IGBT器件及其制作方法-CN202211563074.7在审
发明人：罗鹏;永福;汤艺 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结IGBT器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域，包括：集电结构,所述集电结构的上表面形成有超结结构，所述集电结构的下表面覆盖有集电极，所述超结结构包括若干个交替排列的N型柱和P型柱；N型载流子存储层,形成于所述超结结构的上表面；元胞单元,形成于所述N型载流子存储层的上方,所述元胞单元的上表面覆有发射极，所述元胞单元内形成有多个沟槽栅,各所述沟槽栅沿朝向所述超结结构的方向延伸并贯穿所述N型载流子存储层，各所述沟槽栅的底部形成与所述超结结构的所述P型柱相连的的P型重掺杂保护区。
一种 igbt 器件及其制作方法

[发明专利]一种具有浅超结的P-GaN高电子迁移率晶体管及方法-CN202211014883.2在审
发明人：赵胜雷;张嘎;张进成;南继澳;刘爽;宋秀峰;王中旭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及一种具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管及方法,具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管从下至上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层；所述势垒层上表面的中部设有本发明提出一种具有浅超结的P‑GaN高电子迁移率晶体管，P‑GaN层进行凹槽刻蚀，刻蚀出一些凹槽，在凹槽中生长N型GaN，或P‑GaN层的上表面离子注入形成N型的GaN，这样就会在此处形成许多pn结的耗尽区，这些耗尽区的电场分布可以影响肖特基栅的电场分布，来缓解高栅压下P‑GaN处的高电场，增加阈值电压稳定性。
一种具有浅超结 gan 电子迁移率晶体管方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条