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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种半导体超结功率器件-CN201911202240.9有效
发明人：龚轶;刘伟;刘磊;袁愿林;王睿 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括由多个超结MOSFET单元组成的超结MOSFET单元阵列，超结MOSFET单元的栅极结构包括栅介质层、栅极和n型浮栅，栅极和n型浮栅位于栅介质层之上，且在横向上，栅极位于靠近n型源区的一侧，n型浮栅位于靠近n型漂移区的一侧，栅极通过电容耦合作用于n型浮栅；至少有一个超结MOSFET单元的n型浮栅通过栅介质层与p型体区隔离，且至少有一个超结MOSFET单元的n型浮栅通过一个位于该n型浮栅下方的栅介质层中的开口与p型体区接触形成p‑n结二极管。本发明实施例可以方便的调节半导体超结功率器件的反向恢复速度。
一种半导体功率器件

[实用新型]沟槽栅超结器件和具有其的电子装置-CN202320073381.0有效
发明人：赵心愿;秦博;吴海平 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽栅超结器件和具有其的电子装置，沟槽栅超结器件包括：第一导电类型的衬底层；第一导电类型的外延层，所述外延层位于所述衬底层上；沟槽栅结构，所述沟槽栅结构在所述外延层上并沿器件纵向延伸至所述外延层内；沿器件横向在所述沟槽栅结构的两侧分别排布有第一导电类型的第一超结柱体、第二导电类型的第二超结柱体和第一导电类型的外延柱体，所述第一超结柱体、所述第二超结柱体和所述外延柱体均位于所述外延层上。本实用新型的沟槽栅超结器件，采用第一超结柱体、第二超结柱体和外延柱体结构，利于电荷平衡，提高耐压性。
沟槽栅超结器件具有电子装置

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN201911098287.5在审
发明人：曾大杰 -专利权人：南通尚阳通集成电路有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，超结器件各原胞形成于对应的超结单元上，包括：沟道区和平面栅，栅漏电容为由平面栅对顶部漂移区和底部的第一导电类型柱进行纵向耗尽形成的电容。超结单元中，第二导电类型柱会对第一导电类型柱进行横向耗尽，在保持超结单元的电荷平衡或使第二导电类型掺杂总量多以保证击穿电压满足要求的条件下，超结单元的顶部区域中的第二导电类型柱的宽度设置为小于第一导电类型柱的宽度，以增加平面栅对第一导电类型柱的纵向耗尽并从而增加栅漏电容。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能增加器件的栅漏电容，能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰以及有效降低器件在应用电路中带来的电流和电压的过冲。
器件及其制造方法

[发明专利]沟槽栅超结器件及其制造方法-CN201710388218.2有效
发明人：范让萱;缪进征 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅超结器件，包括：超结结构的第二导电类型柱由填充于形成于第一导电类型外延层中的超结沟槽中的第二导电类型外延层组成；沟槽栅的栅极沟槽为通过对超结沟槽顶部的第二导电类型外延层进行回刻形成，使得栅极沟槽和超结沟槽呈自对准结构，沟槽栅和第二导电类型柱呈自对准结构，从而消除沟槽栅对超结结构的步进的影响。本发明还公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能缩小超结结构的步进尺寸，能节省一层栅极沟槽对应的光罩，从而能降低成本，能降低器件的正向导通电阻。
沟槽栅超结器件及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅槽栅功率MOSFET器件及制备方法-CN202210358599.0在审
发明人：王颖;沈培;包梦恬;曹菲 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅槽栅功率MOSFET器件及制备方法。本发明使用n型柱包裹侧壁p型柱构成一种侧壁超结电场调制区来改善SiC功率槽栅MOSFET电学性能。本发明侧壁超结电场调制区使得沟槽底部周围电场均匀，从而起到了进一步缓解沟槽底部拐角处高场强，保护了栅氧化层。通过改变n型柱与栅极之间的距离，选取一组最优距离使得击穿电压与比导通电阻之间很好地折中。并且由n型柱包裹层与侧壁p型柱构成的侧壁超结电场调制区具有的p‑n结的面积较SiC全超结槽栅MOSFET结构小，从而导致新结构的栅‑漏电荷Qgd比传统SiC全超结槽栅MOSFET结构的栅‑漏电荷Qgd略小。
一种碳化硅功率 mosfet 器件制备方法

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN201510934730.3有效
发明人：肖胜安;曾大杰 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，电荷流动区包括由多个在横向上交替排列的N型柱和P型柱组成的超结结构；每一N型柱和其邻近的P型柱组成一个超结单元；每一个超结单元的顶部形成有一个超结器件单元；各超结器件单元中包括有P型背栅，P型背栅位于对应的P型柱的顶部，至少一个超结器件单元的P型背栅和P型柱具有一个间隔区域，该间隔区域通过N型掺杂使P型背栅和P型柱进行分隔。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能增加夹断电压，提高超结单元的耗尽电容随反向偏置电压的降低趋势，提高高压下的电容，减小开关中的电压剧烈变化、降低过冲，改善电路和系统的电磁干扰性能。
器件及其制造方法

[发明专利]半导体超结功率器件-CN201911184048.1有效
发明人：龚轶;刘伟;袁愿林;刘磊;王睿 -专利权人：苏州东微半导体股份有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括由多个超结MOSFET单元组成的超结MOSFET单元阵列，该超结MOSFET单元包括位于n型漂移区顶部的p型体区，位于p型体区下方的p型柱状掺杂区，位于p型体区内的n型源区，位于p型体区之上栅介质层，位于栅介质层之上的栅极和n型浮栅，且在横向上，栅极位于靠近n型源区的一侧，n型浮栅位于靠近n型漂移区的一侧，栅极通过电容耦合作用于n型浮栅；位于栅介质层中的一个开口，n型浮栅通过所述开口与p型体区接触形成p‑n结二极管。本发明实施例提高了半导体超结功率器件的反向恢复速度。
半导体功率器件

[发明专利]沟槽栅超结器件的制造方法-CN201610944291.9在审
发明人：肖胜安;曾大杰;李东升 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法，包括步骤步骤一、形成沟槽栅步骤11、在未形成超结结构的第一外延层中形成栅极沟槽；步骤12、形成栅氧化层并利用栅氧化层的热氧化工艺使栅极沟槽的底角和顶角圆化；步骤13、形成多晶硅栅；步骤二、形成超结结构步骤21、形成超结柱沟槽；步骤22、在超结柱沟槽中填充第二外延层组成超结结构的第二导电类型柱，超结结构的第一导电类型柱由超结柱沟槽之间的第一外延层组成。
沟槽栅超结器件制造方法

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN201610538872.2在审
发明人：肖胜安;曾大杰;李东升 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，电荷流动区中形成有超结结构，超结器件包括步进大于超结单元步进的第一原胞，通过较大的第一原胞的步进使第一原胞的平面栅覆盖的超结结构的面积增加并从而提高超结器件的输入电容。平面栅的栅介质膜包括第一栅介质段和第二栅介质段，第二栅介质段较厚；第一栅介质段至少覆盖P型阱的表面用于形成沟道，第二栅介质段至少覆盖中间P型柱的宽度的中心位置。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。
器件及其制造方法

[发明专利]一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件-CN202111139200.1在审
发明人：陈伟中;周铸;秦海峰 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件，属于半导体技术领域。该器件由双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区组成，利用二氧化硅隔离层将双侧面超结槽栅区和LDMOS导电区分离，双侧面超结槽栅区由槽栅P+接触区、P型辅助耗尽区、漏极N‑buffer区、漏极N+区、漏极P+本发明在传统LDMOS器件结构上，使用双侧面超结槽栅技术，在保证获得较高的击穿电压下，能够大幅降低器件的比导通电阻和增大器件的跨导，最终提高器件的Baliga优值FOM，并打破了硅极限。
一种具有侧面超结槽栅 ldmos 器件

[发明专利]一种栅漏电容缓变的超结功率器件及其制造方法-CN201510217569.8在审
发明人：刘磊;袁愿林;王鹏飞;刘伟;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，特别是涉及一种栅漏电容缓变的超结功率器件及其制造方法。本发明提出的一种栅漏电容缓变的超结功率器件的体区具有两种或两种以上不相等的宽度，使得相邻的体区之间具有两种或两种以上不相等的间距；本发明提出的一种栅漏电容缓变的超结功率器件还采用分栅结构，与具有不相等间距的体区结构结合，能够把超结功率器件在开启或关断时的栅漏电容突变分摊到多个电压节点，从而能够降低由栅漏电容突变引起的电磁干扰；本发明提出的一种栅漏电容缓变的超结功率器件在使用中，能够方便地在器件的芯片内部集成栅极电阻，
一种漏电容缓变功率器件及其制造方法

[发明专利]集成栅漏电容的超结器件及制造方法-CN202211124223.X有效
发明人：赵东艳;肖超;陈燕宁;邵瑾;董广智;付振;刘芳;张泉;尹强;田俊 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体领域，提供一种集成栅漏电容的超结器件及制造方法。所述超结器件包括：有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构；所述平板电容结构与所述栅极以及所述截止环区相连，所述平板电容结构作为超结器件的栅漏电容本申请在终端区集成与栅极和截止环区相连的平板电容结构，该平板电容结构作为栅漏电容，可以减小超结器件电容的非线性特性，从而增加栅极驱动对超结器件栅极的可控性，减缓超结器件的电压、电流振铃，防止电压击穿损坏器件
集成漏电器件制造方法

[发明专利]超结器件及其制造方法-CN201811381199.1在审
发明人：肖胜安 -专利权人：深圳尚阳通科技有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件，由保护环氧化膜将电流流动区打开，电流流动区包括形成于N型外延层中的超结结构，在各P型柱的顶部都形成有P型阱；JFET区的离子注入由保护环氧化膜自对准定义；在同一超结单元的N型柱上方的包括两个分开的分栅平面栅结构；源区形成在P型阱的表面；JFET离子注入在分栅平面栅的栅氧化膜的形成工艺之前进行，使JFET区具有经过栅氧化膜的热氧化工艺进行退火推进的结构。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能实现分栅平面栅结构来降低器件的栅漏电容，同时能对具有分栅平面栅结构的超结器件的JFET区实现更好的扩散，从而能降低器件的导通电阻以及提高器件的可靠性，同时不会增加工艺成本。
器件及其制造方法

[发明专利]一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管-CN201810137194.8有效
发明人：林智;袁琦;韩姝;胡盛东;周建林;唐枋;周喜川 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域，通过将现有体硅超结横向绝缘栅双极型晶体管的轻掺杂的衬底换成重掺杂的衬底实现快速关断，通过合理设置超结耐压层中各漂移区的杂质总数保证器件的击穿电压本发明所述的一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管解决了超结横向绝缘栅双极型晶体管在成本以及在体硅衬底上实现快速关断之间所存在的矛盾。
一种高速横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件及其加工工艺-CN201811012310.X在审
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件技术领域，尤其涉及一种带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件，其结构包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层、源极金属；本发明所述的带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件采用沟槽栅结构，且沟槽栅位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快，耐压高的特点，同时又具有沟槽栅屏蔽JFET电阻的特点，从而提高了超结MOSFET器件的功率密度。
超结MOSFET 沟槽栅结构深槽深槽结构沟槽栅外延层源区多晶硅栅极栅极氧化层功率器件器件横向源极金属介质层衬底电阻耐压屏蔽保留

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