“马荣耀”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果80个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种超结MOSFET及其制作方法-CN202210386541.7在审
发明人：李平;马荣耀 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结MOSFET及其制作方法，该超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、栅极结构、源极及漏极，其中，缓冲区堆叠于衬底的上方；第一导电类型柱及第二导电类型柱并列邻接于缓冲区的上表面，且第二导电类型柱中设有至少一层包括第二导电类型掺杂层及位于第二导电类型掺杂层中的第一导电类型掺杂区的调控层；体区堆叠于第二导电类型柱上；源区与体接触区邻接且均位于体区的上表层；栅极结构位于第一导电类型柱的上表面；源极覆盖器件的上表面，漏极覆盖衬底的底面。本发明通过于第二导电类型柱中设置至少一层调控层，提高了器件的反向恢复软度因子，缓解了器件输出电容的突变。
一种 mosfet 及其制作方法

[发明专利]一种沟槽栅超结MOSFET及其制作方法-CN202210386520.5在审
发明人：李平;马荣耀 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽栅超结MOSFET及其制作方法，该沟槽栅超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、沟槽栅结构、栅极结构、源极及漏极，其中，缓冲区堆叠于衬底的上方；第一导电类型柱及第二导电类型柱并列邻接于缓冲区的上表面；体区堆叠于第二导电类型柱上；源区与体接触区邻接且均位于体区的上表层；沟槽栅结构贯穿体区及体接触区并延伸至第二导电类型柱中；栅极结构位于第一导电类型柱的上表面；源极覆盖器件的上表面，漏极覆盖衬底的底面。本发明通过于超结MOSFET的体接触区中设置沟槽栅结构，使器件的击穿点位于沟槽栅结构下方，抑制寄生三极管的开启，增加器件的雪崩耐量。
一种沟槽栅超结 mosfet 及其制作方法

[发明专利]一种超结MOSFET及其制作方法-CN202210356421.2在审
发明人：李平;马荣耀 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种超结MOSFET及其制作方法，该超结MOSFET包括衬底、缓冲区、第一导电类型柱、第二导电类型柱、体区、源区、体接触区、栅极结构、源极及漏极，其中，缓冲区堆叠于衬底的上方；第一导电类型柱及第二导电类型并列邻接于缓冲区的上表面；体区堆叠于第二导电类型柱上；源区与体接触区邻接且均位于体区的上表层；栅极结构包括栅介质层、第一栅极及位于第一栅极两侧的第二栅极，源极覆盖器件的上表面，漏极覆盖衬底的底面。本发明通过对栅极结构的设计，第一导电类型的第一栅极及至少包括第二导电类型掺杂区的第二栅极代替栅极，降低了漏源电压较低时的米勒电容，不改变漏源电压较高时的米勒电容，且器件的导通电阻不变。
一种 mosfet 及其制作方法

[发明专利]多脉冲测试电路及多脉冲测试方法-CN202210303177.3在审
发明人：丁继;唐开锋;马荣耀;徐丹丹 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明提供一种多脉冲测试电路及多脉冲测试方法，包括：开关模块，包括串联在供电端和接地端之间的待测器件及电感；充能模块，为测试提供电能；换流模块，包括第一开关，连接于所述充能模块与所述开关模块之间，通过第一开关的通断调整电流流向；所述第一开关与所述待测器件的开关信号相互隔离且同步；当所述待测器件和所述第一开关导通时，从所述充能模块获取能量为所述电感提供能量，当所述待测器件和所述第一开关关断时，将所述电感的能量回收至所述充能模块。本发明的多脉冲测试电路及多脉冲测试方法可以实现对电力电子开关器件的多脉冲测试，测试电路结构简单、成本低廉、节能环保。
脉冲测试电路方法

[发明专利]一种横向变掺杂终端结构及其设计方法-CN202110963630.9有效
发明人：任敏;张雪璠;张新;叶昶宇;马荣耀;郑芳;苏醒;赵龙杰;张波 -专利权人：电子科技大学;无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种横向变掺杂终端结构及其设计方法，终端结构自表面到底部依次包括钝化层、轻掺杂第一类导电类型漂移区和阳极区，内部上方从左到右依次包括中等掺杂第二导电类型主结区、中等掺杂第二导电类型过渡区、中等掺杂第二导电类型分段线性VLD终端区和重掺杂第一导电类型浮空截止环，中等掺杂第二导电类型分段线性VLD终端区由杂质浓度从主结到终端末端呈两段或两段以上线性递减的区域构成。采用分段线性VLD区域的终端区可以获得更优的VLD终端表面电场，从而可以提升器件耐压，并降低终端表面氧化层电荷对VLD终端可靠性的影响。
一种横向掺杂终端结构及其设计方法

[发明专利]一种过渡区结构-CN201710258517.4有效
发明人： 马荣耀;刘春华 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种过渡区结构，适用于具有超结结构的半导体器件，包括：衬底；外延层，外延层设置在衬底的上方；多个第一立柱与多个第二立柱形成超结结构；复合结构包括元胞区、终端区及位于元胞区和终端区之间的过渡区；过渡区具有一第二导电类型的第一掺杂区域；元胞区设置有MOS管器件结构，MOS管器件结构设置有具有第二导电类型的第二掺杂区域，用以形成MOS管器件结构的源区或者漏区；临近过渡区的第二掺杂区域通过一设置于外延层内的电阻结构连接第一掺杂区域。本发明的有益效果：在雪崩击穿发生后，由于电阻结构的存在，来自过渡区和终端区的雪崩电流可以更快的扩散到元胞区，从而增大器件抗冲击电流的能力，增大其耐用度。
一种过渡结构

[发明专利]一种耐近海岸强盐雾海洋大气环境腐蚀的耐候钢及其制备方法-CN202210444396.3有效
发明人：王长罡;李超;马荣耀;刘晨;董俊华 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明属于耐候钢技术领域，具体地涉及一种耐近海岸强盐雾海洋大气环境腐蚀的耐候钢及其制备方法，主要用于铁道、桥梁、塔架等长期暴露在近海岸高Cl‑沉降量部位的海洋大气中使用的钢结构。该耐候钢的合金成份及重量百分比含量为：C：0.03％～0.07％、Si：0.35％～0.55％、Mn：0.2％～0.4％、S≤0.008％、P≤0.01％、Cu：0.35％～0.45％、Ni：4.5％～6.0％、Cr：0.3％～0.4％、Mo：0.1％～0.2％、RE:0.03％～0.05％，其余为Fe。本发明通过提高Ni元素含量来强化耐候钢锈层的离子选择性，通过适当添加Cr、Mo和La、Ce等稀土元素来提高锈层的致密性，从而提高其在近海岸强盐雾海洋大气环境中的耐候性能。
一种海岸强盐雾海洋大气环境腐蚀耐候钢及其制备方法

[发明专利]一种超结MOSFET器件-CN202111466727.5在审
发明人：李平;马荣耀 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结MOSFET器件，其包括多个元胞结构，该元胞结构包括漏端电极、N型漏极层、N型缓冲层、N型场终止区、第一P型体区、第二P型体区、第一P柱、第二P柱、N柱、第一N型源区、第二N型源区、第一P型体接触区、第二P型体接触区、栅极结构及源端电极，其中，N型场终止区位于N型缓冲层中，且N型场终止区在N型漏极层上的垂直投影具有间隔区域，N型场终止区的掺杂浓度高于N型缓冲层的掺杂浓度。本发明在N型缓冲层中引入N型场终止区，且所述N型场终止区在N型漏极层上的垂直投影具有间隔区域，不仅可以降低反向恢复电荷、提升反向恢复软度因子，还能够在不增加器件漏电流的条件下降低器件的导通电阻。
一种 mosfet 器件

[发明专利]一种超结MOSFET功率器件-CN202111466732.6在审
发明人：李平;马荣耀 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结MOSFET功率器件，其包括多个元胞结构，该元胞结构包括漏端电极、N型漏极层、N型缓冲层、第一P柱、第二P柱、P型体区、第一P型掺杂区、N柱、N型源区、P型体接触区、N型掺杂区、第二P型掺杂区、栅极结构及源端电极。本发明的超结MOSFET功率器件的元胞结构中，第一P型掺杂区与源端电极之间通过第二P型掺杂区相连接，相比于直接增加器件的输出电容，本发明仅仅在高频振荡的范围内增加了器件的输出电容，而在正常工作频率范围内输出电容保持不变，因此可以在不增加器件开关损耗的条件下，降低开关过程中的RLC振荡。同时由于本发明并没有降低非平衡载流子的寿命，因此本发明在降低反向恢复电荷的同时，并不会增加器件的漏电流。
一种 mosfet 功率器件

[发明专利]半导体三端器件SOA曲线的测试装置及测试方法-CN202111264862.1在审
发明人：徐丹丹;唐开锋;丁继;马荣耀 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一半导体三端器件SOA曲线的测试装置及测试方法，测试装置包括：可调功率电源、可调信号电源及控制与人机交互模块，可调功率电源连接待测器件的功率端和接地端，并受控于控制与人机交互模块，为待测器件提供电压值可调的功率电压；可调信号电源连接待测器件的信号端，并受控于控制与人机交互模块，为待测器件提供幅值可调、脉宽时间可调的驱动信号；控制与人机交互模块连接待测器件的功率端和接地端，用于检测不同时间点下待测器件的功率端电压和流经待测器件的电流，并基于检测的电压和电流绘制SOA曲线。通过本发明提供的测试装置及测试方法，解决了现有装置无法固定一个参数调节另一个参数、测试效率低、无能量控制电路等问题。
半导体器件 soa 曲线测试装置方法

[发明专利]限制安全工作区的超结MOSFET SPICE模型建立方法-CN202211136754.0在审
发明人：任敏;雷清滢;李东野;马荣耀;唐开锋;丁继;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学;华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本发明公开一种具有安全工作区SOA限制的超结MOSFET SPICE模型建立方法，应用于电子元器件建模领域。常用功率MOSFET SPICE模型仅用反偏二极管实现对定值击穿的模拟，以限制器件的工作范围；本发明基于超结MOSFET特有的叠加电场模型，提出了一种可模拟击穿与热失效的超结MOSFET SPICE模型，可辅助确认超结MOSFET器件是否在SOA范围内工作；同时可模拟近SOA边界的器件雪崩与短路特性，以适应极端电应力条件下的超结MOSFET模型验证与应用电路仿真。
限制安全工作 mosfet spice 模型建立方法

[发明专利]超结MOSFET器件-CN202110631921.8在审
发明人：廖天;马荣耀;王代利;张鹏程;冷静;刘中旺 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种超结MOSFET器件，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的缓冲层，位于衬底上；超结结构，位于缓冲层上，超结结构包括沿横向依次交替间隔分布的多个第一导电类型柱和第二导电类型柱，第二导电类型不同于第一导电类型；其中，若干第二导电类型柱局部和/或整体发生偏移，以使第一导电类型柱具有2个以上不同的横向尺寸；第二导电类型的体区，位于第二导电类型柱的上方；源极结构，位于体区内，源极结构包括相互接触的第一导电类型的源区和第二导电类型的欧姆接触区；栅极结构，与第一导电类型柱及源极结构相接触。本发明经改善的结构设计，可使得其电容下降斜率更缓，由此可以有效缓解器件在应用时的电磁干扰等问题。
mosfet 器件

[发明专利]功率晶体管测试系统和测试方法-CN202110526808.3在审
发明人：唐开锋;马荣耀;丁继;陈龙;徐丹丹;赵伟能;邓旻熙 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种功率晶体管的测试系统和测试方法，功率晶体管测试系统包括：第一驱动模块，第二驱动模块，等效寄生参数模块，供电电源，第一电感，第二电感，第一开关，第二开关，第一NMOS管，第二NMOS管；功率晶体管测试系统还包括温控装置，第三NMOS管，第三驱动模块，第四NMOS管及第四驱动模块；功率晶体管的测试系统可以测试功率晶体管或并联晶体管的体二极管反向恢复特性、大电流开启和大电流关断特性或直通上电耐抗短路特性，也可以测试高低温对上述特性的影响；本发明的功率晶体管的测试系统的电路参数可调整，可测试可调参数对功率晶体管特性的影响；位于下半桥的晶体管，不易受外界干扰，方便测试。
功率晶体管测试系统方法

[发明专利]平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型建立方法-CN202210496334.7在审
发明人：任敏;雷清滢;李东野;马荣耀;唐开锋;张波 -专利权人：电子科技大学;华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明公开一种平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型建立方法，应用于电子元器件建模领域，解决现有超结MOSFET寄生电容建模方案中拟合难度高、精度差的问题，本发明首先测试获得超结MOSFET寄生电容随漏源电压变化的数据；然后基于器件耗尽机理建立漏源电容的等效电路拓扑；进而由电容测试数据反向提取元胞工艺参数，搭建漏源电容的数学描述，并基于数学软件完成系数拟合，确定宏模型电路参数；最后进行SPICE模型的编写和封装，最终获得可在超结MOSFET SPICE模型中调用的漏源电容宏模型模块。该建立方法以超结MOSFET的物理机理为基础，可实现半对数坐标下全电压范围内漏源电容的高精度拟合，可广泛应用于电荷平衡的常规超结MOSFET产品。
平衡 mosfet 电容 spice 模型建立方法

[发明专利]一种大气环境下空气中氯离子沉积率实时在线检测方法-CN202010719479.X有效
发明人：赵林;张东玖;穆鑫;杨华;王长罡;涂齐勇;马荣耀;李晓芳;董俊华 -专利权人：中国科学院金属研究所;中国人民解放军63796部队
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明属于腐蚀监测技术领域，涉及一种大气环境下空气中氯离子沉积率实时在线检测方法。该方法采用的在线检测装置包括：湿烛法氯离子沉积采集装置、电位测量传输装置、终端计算机，可以实现空气中氯离子的实时在线检测。本发明采用湿烛法收集空气中的氯离子，当氯离子通过湿烛进入溶液后，由于溶液中氯离子增加而引起溶液电位的变化，通过溶液中放置的电位测量电极，采集电位变化，由电位测量装置和数据传输装置采集和记录溶液中由于氯离子浓度变化而引起的电位数据波动，并通过数据传输和整理装置，换算和分析出氯离子的浓度，在客户终端软件上显示出实时的氯离子浓度数据，实现了实时在线检测。
一种大气环境空气氯离子沉积实时在线检测方法

1
2
3
4
5
6
下一页»
尾页
共 80 条