[发明专利]具有底部源极的功率MOSFET器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110447542.X | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103137655A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 何约瑟;薛彦迅;黄平 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有底部源极的功率MOSFET器件及其制作方法，在晶片正面形成有相绝缘的栅极和源极。该源极上电镀有源极凸块；由塑封体包封栅极，以及源极和源极凸块与栅极之间的第一绝缘层；源极金属层形成在源极凸块暴露的表面上，构成源极与外部器件电性连接的区域；晶片背面研磨使厚度减薄。晶片背面形成有漏极金属层作为漏极。一孔槽贯穿晶片背面与栅极连通，使栅极的部分表面从孔槽中暴露形成该栅极与外部器件电性连接区域。晶片的正面朝下，则使源极位于器件底部，而漏极和从孔槽中暴露的栅极就位于器件顶部。本发明中所述漏极及栅极之间，由孔槽内的第二绝缘层以及所述栅极背面的起始层来进行绝缘保护，能有效防止击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 底部 功率 mosfet 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有底部源极的功率MOSFET器件，其特征在于，所述功率MOSFET器件中，包含漏极、栅极(42)和源极(41)，其相互绝缘隔离，并能够分别与外部器件电性连接；其中，所述源极(41)形成在一晶片的正面；晶片的该正面朝下，使所述源极(41)在所述功率MOSFET器件的底部暴露设置；所述漏极形成在所述晶片的背面；晶片的该背面朝上，使所述漏极在所述功率MOSFET器件的顶部暴露设置；所述栅极(42)形成在所述晶片的正面；所述晶片的背面开设有一孔槽(80)，其连通至所述栅极(42)，所述孔槽(80)侧壁覆盖有第二绝缘层(52)；所述孔槽(80)的底面没有被所述第二绝缘层(52)覆盖，所述栅极(42)的至少一部分从该孔槽(80)中暴露出来，从而使该栅极(42)在该功率MOSFET器件的顶部暴露出来。
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- 基于半导体的大面积柔性电子器件-200880128189.5
- 阿米特·戈亚尔 - 阿米特·戈亚尔
- 2008-09-09 - 2011-02-23 - H01L29/00
- 公开了新型制品和制造新型制品的方法，得到柔性的、{100}<100>或45°旋转的{100}<100>取向的、基于半导体的电子器件。所得到的制品在光伏器件、平板显示器、热光伏器件、铁电器件、发光二极管器件、计算机硬盘驱动器器件、基于磁阻的器件、基于光致发光的器件、非易失性存储器器件、介电器件、热电器件和量子点激光器件的领域中有潜在的应用。
- 可缩放电可擦除及可编程存储器-200980109882.2
- S·S·吉奥格舒;A·P·考斯敏;G·萨玛兰多 - 半导体元件工业有限公司
- 2009-02-24 - 2011-02-16 - H01L29/00
- 一种非易失性存储器包括一个或多个EEPROM单元对。每一EEPROM单元对包括三个晶体管并存储两个数据位，从而实际上提供1.5晶体管EEPROM单元。EEPROM单元对包括第一非易失性存储器晶体管、第二非易失性存储器晶体管和源极存取晶体管。源极存取晶体管包括：与第一非易失性存储器晶体管的源极区连续的第一源极区、与第二非易失性存储器晶体管的源极区连续的第二源极区、以及与位于与EEPROM单元对相同的行中的其他非易失性存储器晶体管的源极区连续的第三源极区。
- 半导体装置-201010158309.5
- 詹归娣;李东兴 - 联发科技股份有限公司
- 2010-04-28 - 2010-11-24 - H01L29/00
- 一种半导体装置。其中，半导体装置包含：一基板；该基板上的一电感走线样式；以及至少一虚拟氧化层定义填充，置于该基板内且位于该电感走线样式下方。本发明的优点之一是可减少对靠近电感形成区的有源元件的不利影响。
- 专利分类
