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[发明专利]用于微电子冷却组件的烧结金属热界面材料-CN200710154396.5有效
发明人： D·苏;C·黄 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-09-26 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：描述了一种微电子冷却组件和用于制造该组件的方法。在一个例子中，微电子冷却组件包括微电子器件、散热器、以及将微电子器件和散热器热结合的热界面材料(TIM)，所述TIM包括烧结金属纳米膏。
用于微电子冷却组件烧结金属界面材料

[发明专利]集成真空微电子器件及其制造方法-CN91104164.8无效
发明人：史蒂文·M·齐默尔曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1991-06-18 - 公布日： 1993-12-15 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种新的集成真空微电子器件及其制造方法。真空微电子器件需要满足几种特定三维结构的要求即税利的场发射尖端、真空环境中在控制栅极结构内的该尖端精确对准，以及用于收集由尖端发射出的电子的阳极。最终制得的集成真空微电子器件还可以与其它类似的VMD器件或其它器件相连。
集成真空微电子器件及其制造方法

[发明专利]包括使衬底和/或封装盖变薄的步骤的用于封装微电子器件的方法-CN201980010689.7在审
发明人： M·贝德加维;R·萨洛 -专利权人：法国原子能源和替代能源委员会
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将布置在支撑衬底(200)上的微电子器件(300)用封装盖(400)封装的方法，尤其包括以下一系列步骤：a)提供支撑衬底(200)，微电子器件(300)布置在该衬底上；b)围绕微电子器件(300)，在衬底(200)的第一面(201)上沉积粘合层(500)；c)将封装盖(400)以封装微电子器件(300)的方式定位在粘合层(500)上；d)通过化学蚀刻，使支撑衬底(200)的第二主面(202
包括衬底封装变薄步骤用于微电子器件方法

[发明专利]制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法-CN201010527576.5有效
发明人：于大全;宋崇申 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法。该方法中，微电子器件的基底上具有金属柱凸点，包括：在金属柱凸点上电镀主组分钎料层；在主组分钎料层上沉积微组分层；在预设温度下对微电子器件进行回流，促使微组分层溶入主组分钎料层，从而在金属柱凸点上形成多组分钎料层本发明简化了制备微电子器件凸点多组分钎料层的工艺。
制备微电子器件凸点多组分钎料层方法

[发明专利]包括封装的散热器的微电子包装-CN201410065796.9在审
发明人： P.R.斯塔特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括封装的散热器的微电子包装。本说明书的微电子包装可以包括具有第一表面的微电子中介层，其中至少一个微电子器件的有效表面电气附接至微电子中介层第一表面。可以在至少一个微电子器件的背面上布置热界面材料。具有第一表面和相对的第二表面的散热器可以通过其第一表面与热界面材料热接触。模具材料可以被布置成封装微电子器件、热界面材料、和散热器，其中模具材料邻接微电子中介层第一表面的至少部分。
包括封装散热器微电子包装

[发明专利]在划片格线中形成缺陷预防沟槽-CN02823469.3无效
发明人：罗斯·马利根;军·何;托马斯·马里博;苏珊·梅内塞斯;史蒂文·托尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2002-11-15 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种对微电子器件晶片进行划片的方法，该方法包括在微电子器件晶片上的至少一个划片格线中形成至少一个沟槽，其中该沟槽防止由于随后利用晶片切割机进行划片而造成在微电子器件晶片互连层中的开裂和/或分层问题
划片格线中形成缺陷预防沟槽

[发明专利]微电子器件封装焊接机-CN201810895946.7有效
发明人：张科新 -专利权人：常州信息职业技术学院
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种微电子器件封装焊接机，属于微电子技术领域。微电子器件封装焊接机包括：输送装置、盖板装置、焊接装置以及裁切装置，基板上设置有至少一个菱形框架，其中：输送装置将基板输送至上料工序处；基板上的每个菱形框架中装入一个微电子器件后，输送装置将装载有微电子器件的基板输送至盖板工序盖板朝向基板的一面上设置有至少一组焊盘，每组焊盘组成菱形；焊接装置融化盖板上每一组焊盘，使基板上每一个菱形框架被焊接至盖板上组成待裁切组件；裁切装置裁切待裁切组件，使裁切出的每个单位包括菱形框架、基板的部分、盖板的部分组成一个封装后的微电子器件
微电子器件封装焊接

[发明专利]用于与散热器有效热接触的、微电子管芯侧面上的背面金属化-CN02823657.2无效
发明人：拉金德拉·迪亚斯;比朱·钱达恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2002-11-15 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括微电子管芯(144、144’)的微电子器件以及用于制造该微电子器件的方法，该微电子管芯具有有效表面(104)、后表面(106)和至少一个侧面。微电子管芯的侧面包括沟槽侧壁(124、124’)、凸缘(142、142’)以及沟道侧壁(140、140’)。在微电子管芯后表面(106)和沟槽侧壁(124、124’)上设置了金属化层(128)。
用于散热器有效接触微电子管芯侧面背面金属化

[发明专利]一种微电子器件封装用支撑定位装置及其使用方法-CN202110404430.X在审
发明人：王翠平 -专利权人：王翠平
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种微电子器件封装用支撑定位装置及其使用方法，属于微电子器件封装领域。一种微电子器件封装用支撑定位装置，包括底座，所述底座的上方滑动连接有封装板，所述底座上设有圆孔，所述圆孔内连接有圆板；所述第二凹槽内设有多个隔板，所述隔板内滑动连接有夹板，所述圆板上还设有压块；所述圆孔内设有支撑杆，所述底座内设有与圆槽相对应的圆筒，所述圆槽内滑动连接有滑板，所述滑板的底部连接有压杆，所述压杆上分别设有推板和活塞板；所述底座内还设有与推板和圆板相配合的定位机构；本发明可同时对多个微电子器件进行封装，且方便的进行支撑固定，固定效果好，避免微电子器件产生损坏，操作方便，提高了工作效率。
一种微电子器件封装支撑定位装置及其使用方法

[发明专利]利用应变重分布层的可拉伸电子器件制造方法-CN201580075836.0有效
发明人： R·C·迪亚斯;T·N·安徳留先科夫;M·J·科布林斯基;A·阿列克索夫;D·W·斯坦斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本发明的实施例包括一种微电子器件以及用于形成微电子器件的方法。在实施例中，微电子器件包括半导体管芯，该半导体管芯具有一个或多个管芯接触部，该一个或多个管芯接触部均通过导电迹线电耦合到接触焊盘。微电子器件还可以包括位于半导体管芯和导电迹线上方的封装层。封装层可以具有小于第一弹性模量的第二弹性模量。微电子器件还可以包括位于封装层内的第一应变重分布层。
利用应变分布拉伸电子器件制造方法

[发明专利]一种热阻网络模型及利用该模型计算微电子器件结温的方法-CN200610034221.6有效
发明人：邱宝军;蒋明;何小琦;杨邦朝 -专利权人：信息产业部电子第五研究所
申请日： 2006-03-13 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种热阻网络模型，它为星形结构，它由与封装的微电子器件的结相连的代表顶面、侧面、底面和引脚的四个节点构成，各节点与结之间通过分别表示顶面、侧面、底面和引脚对器件散热作用的支路热阻相连。还公开了一种利用热阻网络模型计算微电子器件结温的方法，包括以下步骤：根据热阻网络模型得到具有未知系数的结温表达式；进行热测试获得微电子器件的相关结温数据；提取微电子器件的参数；建立微电子器件的有限元仿真模型；对有限元模型进行修正，确保有限元模型的正确性，得到有效有限元模型；进行有限元仿真，得到仿真数据；建立优化函数，对仿真数据进行优化处理，确定结温表达式中未知系数的值从而求得各边界条件下器件的结温。
一种网络模型利用计算微电子器件方法

[发明专利](Al,In,Ga)N 衬底及其制备方法、微电子或光电子器件制品-CN201110060112.2有效
发明人：罗伯特·P·沃多;徐学平;杰弗里·S·弗林;乔治·R·布兰德斯 -专利权人：克利公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及(Al，In，Ga)N衬底及其制备方法、微电子或光电子器件制品。本发明还涉及一种微电子或光电子器件制品，包括：本发明的衬底，包含在衬底之上沉积的同质外延(Al，In，Ga)N层的微电子或光电子器件结构。本发明还涉及一种制备(Al，In，Ga)N衬底的方法。在制造III-V族氮化物基的微电子和光电子器件中，该衬底有利地用于同质外延沉积。
al in ga 衬底及其制备方法微电子光电子器件制品

[发明专利]一种耐电压I2C接口系统-CN202111093540.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：珠海亿智电子科技有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐电压I2C接口系统，包括：电子设备中的电源电路，微电子器件，耐电压处理电路，I2C接口电路及外围应用电路；外围应用电路通过I2C接口电路与设置在设备中的电源电路及微电子器件电连接；I2C接口电路、微电子器件、耐电压处理电路分别与电源电路连接，且耐电压处理电路还与微电子器件电连接，用以将外围应用电路传输到该微电子器件上的电压限定在其工作电压以内，以提高耐电压性能。
一种电压 i2c 接口系统

[发明专利]新型微电子器件散热器-CN200910080179.5有效
发明人：赵耀华;刁彦华;张楷荣 -专利权人：赵耀华
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型微电子器件散热器，包括平板热管，平板热管为金属材料经过挤压或冲压成型的两个及以上并排排列的通孔阵列平板结构，通孔的等效直径为0.2mm-6mm，通孔内灌装有液体工质并且平板热管两端密封封装；平板热管的蒸发段与微电子器件的发热面面接触，其冷凝段通过散热部件散热。该新型微电子器件散热器克服了现有的圆形热管与微电子器件的发热面的接触面积小、导热等效电阻大、制作工艺复杂的缺点，具有散热效率高、工艺简单的优点。
新型微电子器件散热器

[实用新型]一种微电子器件转移载体-CN202221875206.5有效
发明人：马刚 -专利权人：厦门市芯颖显示科技有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种微电子器件转移载体，包括：载板主体，所述载板主体具有第一侧面，所述第一侧面上设置有多个填充孔；解粘填充物，填充于所述多个填充孔中的至少部分填充孔内；其中，所述解粘填充物和所述第一侧面中的至少一者可将所述微电子器件粘附于所述载板主体；所述解粘填充物可被激光烧蚀气化，以释放粘附于所述载板主体上的所述微电子器件。本实用新型实施例公开的微电子器件转移载体可以保证Micro LED的转移精度、降低生产成本。
一种微电子器件转移载体