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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]组合的光抗蚀剂和Si基硬掩模的涂层-CN202210054445.2在审
发明人：郑学刚 -专利权人：上海艾深斯科技有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及用于双层光抗蚀剂涂层的光抗蚀剂涂层组合物，作为组合的光抗蚀剂(PR)和Si基硬掩模(SiHM)，通过涂覆这样的组合物来涂覆微电子器件的方法，和通过涂覆这样的组合物来形成图案化器件的方法。
组合光抗蚀剂 si 基硬掩模涂层

[发明专利]底部散热器-CN200580016731.4有效
发明人：戴尔·哈科特;罗伯特·尼克森;布赖恩·塔格特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L23/433 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种微电子器件，该器件具有设置在芯片与衬底之间的散热器，芯片电连接到所述衬底上。对于本发明的一个实施例，散热器是热膨胀系数近似等于芯片的热膨胀系数的散热片。
底部散热器

[发明专利]一种高频芯片的低损耗互连工艺方法-CN201610963499.5有效
发明人：苏娟;郑英彬;刘清锋;刘杰;康小克;冯正;谭为;邓贤进;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸、形状可控行好；还可以实现同一功能集成板上多芯片的一次性互连，缩短工艺制作周期，可用于高频段甚至太赫兹频段电子器件间的低损耗金属互连和集成封装。
一种高频芯片损耗互连工艺方法

[实用新型]用于电子器件散热的开放式热管-CN202223462489.3有效
发明人：胡雪蛟;章先涛;向柳 -专利权人：纾酷科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于电子器件散热的开放式热管，涉及微电子芯片和器件的散热领域。其包括：基板；所述基板中部设有导流部，所述基板一端设有冷却部，另一端设有散热部；所述冷却部内设有用于将电子器件散热的开放式热管外部的水吸入自身内部的吸水组件，所述散热部内设有用于将自身内部的水散发至开放式热管外部的散热组件本发明就可以利用水蒸发潜热大这个特点，并利用导流部、冷却部和散热部和开放式热管外部(发热器件周围的空气)形成吸水散热循环，从而提高了热管在电子器件中的散热效率。
用于电子器件散热开放式热管

[发明专利]红外遥控多路智能开关控制器-CN98117743.3在审
发明人：张玉民;贺新民;赵爱农 -专利权人：张玉民
申请日： 1998-09-04 - 公布日： 1999-07-28 - 主分类号： H03K17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外遥控多路智能开关控制器,属微电子控制技术领域。主要有红外智能遥控系统和开关组成。遥控系统构成发射部分主要通过部分电子器件以及一块电脑芯片实现对用户自定义码、指令码信息的实时处理,并产生遥控脉冲信息;接收部分由另一块电脑芯片等电子器件组成,实现对遥控指令信息的识别和处理。
红外遥控智能开关控制器

[发明专利]感光性组合物、彩色滤光片及由其衍生的微透镜-CN201880021013.3有效
发明人： P·坎达纳朗齐;H·甄;L·F·罗德 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G03F7/022 文献下载
摘要：根据本发明的实施方式包含用于形成薄膜的含有着色剂的自成像聚合物组合物，所述薄膜能够被图案化以构建用于在各种微电子器件、光电子器件及显示器、例如图像传感器中应用的彩色滤光片和微透镜的结构。
感光性组合彩色滤光衍生透镜

[发明专利]一种金属－有机络合物电双稳态薄膜的制备方法-CN03150920.7无效
发明人：蒋益明;谢亨博;郭峰;刘平;李劲 -专利权人：复旦大学
申请日： 2003-09-11 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：由该方法制备的MTCNQ薄膜同时兼备真空反应蒸发方法表面平整度高和溶液法化学配比严格的优点，并且具备良好的电双稳特性，因此在微电子器件、分子电子器件和海量存贮器的制备等方面有着广泛的应用前景。
一种金属有机络合物双稳态薄膜制备方法

[发明专利]纳迪克酸酐聚合物及由其衍生的感光性组合物-CN201780046385.7在审
发明人： B·卡纳普;C·伯恩斯 -专利权人：普罗米鲁斯有限责任公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C09D145/00 文献下载
摘要：纳迪克酸酐聚合物可用于形成各种正型和负型感光性组合物，所述组合物能够形成显示优异的介电性能(低k)和热性能的高分辨率成像膜，因此可用于制造各种微电子器件和光电子器件等。
酸酐聚合物聚合物可用负型感光性组合物降冰片烯型单体感光性组合物高分辨率成像光电子器件微电子器件介电性能共聚物热性能三聚体加成正型乙烯制造

[发明专利]倍半硅氧烷－二氧化钛杂化聚合物-CN200680040434.8有效
发明人： P·J·波帕;L·K·米尔斯;K·E·霍华德 -专利权人：陶氏环球技术公司
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： C08G77/48 文献下载
摘要：该聚合物用于，例如，在微电子器件加工中形成减反射膜。
倍半硅氧烷氧化钛杂化聚合物

[发明专利]一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法-CN201610163339.2在审
发明人：陈宜方;徐晨;陆冰睿 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-03-19 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件表面处理技术领域，具体为一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的方法。
一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙方法

[发明专利]一种多层复合式纳米多孔蒸发器-CN202010498862.7在审
发明人：夏国栋;樊润东;王佳豪;马丹丹 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种多层复合式纳米多孔蒸发器，属于微电子器件冷却技术领域。总体上由上层硅结构、中层纳米多孔结构和下层硅结构组成。上层硅结构包括七条歧管通道、入口储液池、出口储液池、以及多个蒸汽通道。本装置利用纳米孔内液体的薄膜蒸发散热，具有运行稳定，温度分布均匀、纳米膜强度高、所需工质少、低泵功消耗等的特点，解决了微电子器件的高热流密度和多热区分布存在的问题。
一种多层复合纳米多孔蒸发器

[实用新型]一种多层复合式纳米多孔蒸发器-CN202021002684.6有效
发明人：夏国栋;樊润东;王佳豪;马丹丹 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种多层复合式纳米多孔蒸发器，属于微电子器件冷却技术领域。总体上由上层硅结构、中层纳米多孔结构和下层硅结构组成。上层硅结构包括七条歧管通道、入口储液池、出口储液池、以及多个蒸汽通道。本装置利用纳米孔内液体的薄膜蒸发散热，具有运行稳定，温度分布均匀、纳米膜强度高、所需工质少、低泵功消耗等的特点，解决了微电子器件的高热流密度和多热区分布存在的问题。
一种多层复合纳米多孔蒸发器

[发明专利]用于除去蚀刻后残余物的含水氧化清洗剂-CN200680045616.4有效
发明人：大卫·W·明赛克;迈克尔·B·克赞斯基;马萨·拉贾拉特纳姆;麦肯齐·金;大卫·昂斯特 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2006-10-04 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于从其上具有等离子体蚀刻后残余物和/或硬掩模材料的微电子器件上清洗所述残余物的含水氧化清洗组合物和方法。所述组合物可实现从微电子器件上高效清洗残余材料，同时不会损坏其上存在的层间介电材料和金属互连材料。
用于除去蚀刻残余物含水氧化洗剂

[发明专利]掺杂型III－V族氮化物材料及由这种材料构成的微电子器件和器件前体结构-CN03807131.2有效
发明人：杰斯里斯·S·弗林;乔治·R·布兰德斯 -专利权人：克利公司
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L29/205 文献下载
摘要：一种包括δ掺杂层(24)和/或掺杂超晶格的III－V族氮化物微电子器件结构。在外延膜表面上对半导体材料进行δ掺杂，以在其上形成δ掺杂层；终止δ掺杂；在第二外延膜生长过程中，重新开始半导体材料的沉积以在δ掺杂层上沉积半导体材料；和继续半导体材料的第二外延膜生长过程到预先确定的程度，以形成掺杂的微电子器件结构
掺杂 iii 氮化物材料这种构成微电子器件结构

[发明专利]微电子器件装置、具有微电子器件装置的系统和相对应的用于微电子器件装置的制造方法-CN201680050082.8在审
发明人： I.赫尔曼;F.乌特梅伦;F.亨里奇 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明创建了一种具有用于检测热像仪图像的传感器芯片（1）的微电子器件装置（100）。所述微电子器件装置（100）此外还包括至少一个分析电路（A1）和透镜，其中所述至少一个分析电路（A1）至少局部地以所述传感器芯片（1）的背侧（RS）和/或以所述传感器芯片（1）的侧面（SF）与所述传感器芯片
微电子器件装置具有系统相对用于制造方法

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