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[发明专利]微电子器件用整流芯片-CN201710932476.2有效
发明人：何洪运;程琳;刘玉龙 -专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
申请日： 2015-01-19 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开一种微电子器件用整流芯片，其二极管芯片一端通过焊料层与该支撑区电连接，第一引线条另一端是第一引脚区，该第一引线条的第一引脚区作为所述整流器的电流传输端；第二引线条一端是焊接区，该第二引线条另一端为第二引脚区
微电子器件整流芯片

[发明专利]微电子器件及其制造方法-CN200810161518.8有效
发明人：程慷果 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-09-24 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件及其制造方法。使用联合的光刻方法同时形成小尺寸和大尺寸的沟槽电容器，其中在光掩模中的开口具有相同的尺寸和间隔。
微电子器件及其制造方法

[实用新型]集成真空微电子器件-CN201420290346.5有效
发明人： D·帕蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01J29/10 文献下载
摘要：本公开描述了一种集成真空微电子器件(1、100、101)，其包括：高掺杂半导体衬底(11)；至少一个绝缘层(12、93、95)，被布置在所述掺杂半导体衬底(11)上方；真空沟槽(19)，被布置在所述至少一个绝缘层
集成真空微电子器件

[实用新型]均热板及微电子器件-CN202120200746.2有效
发明人：周金东;揭海欢 -专利权人：南昌欧菲显示科技有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本申请提出一种均热板及微电子器件，所述均热板包括相对设置的蒸发板及冷凝板，所述冷凝板朝向所述蒸发板的一面设有多个阵列排布的第一凸起部，所述蒸发板与所述冷凝板边缘密封连接并在所述蒸发板及所述冷凝板之间形成真空腔
均热微电子器件

[发明专利]分子氟在制造设施中的产生,分布,和使用-CN02826626.9无效
发明人： S·H·斯格勒;F·J·斯格勒;R·杰克逊 -专利权人：氟在线有限公司
申请日： 2002-11-26 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： B01D8/00 文献下载
摘要：方法和系统特别用于制造器件如微电子器件、集成微电子电路、陶瓷衬底基器件、平板显示器或其它器件。在一个特定的实施方案中，F₂可以在制造设施现场产生和用于清洁工艺设备的沉积腔。
分子制造设施中的产生分布使用

[发明专利]涂料组合物-CN200410094228.8有效
发明人： P·特雷纳斯三世;S·乔;D·L·戈夫;J·I·马修斯;Y·郧 -专利权人：罗姆和哈斯电子材料有限责任公司;杜邦公司
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明的涂料组合物在制备微电子晶片和其它电子器件时作为与外涂光刻胶层一起使用的底层抗反射涂料组合物(ARC)是特别有用的。
涂料组合

[发明专利]用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构-CN202111598453.5在审
发明人：王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构，所述气密性监测结构包括：第一基板；第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，所述第二基板的第一主面与所述第一基板的第一主面键合以使所述第一基板的第一主面上的空腔与所述第二基板形成气密性空腔，所述微电子器件位于所述气密性空腔中；密封室，所述密封室由设置于所述第二基板上的膜层与周围环境气密性阻隔，所述密封室内的气压与所述气密性空腔内的气压正相关，所述膜层配置为根据密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形本发明可解决真空腔内MEMS器件的可信度较低等问题，所述气密性监测结构简单、量测过程简易可行，因而具有实用价值。
用于微电子器件空腔内部气密性监测结构

[发明专利]一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的仪器-CN201610163375.9在审
发明人：陈宜方;徐晨;陆冰睿 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-03-19 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于微电子器件表面处理技术领域，具体为一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙度的仪器。本发明仪器的核心为两部分：高功率的热源和恒温平台。
一种利用热处理减小微电子器件表面粗糙仪器

[发明专利]一种微电子器件表面耐酸涂层配方及其制备方法-CN201711263472.6在审
发明人：杨国太;李飞;张小龙;苗润泽 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微电子器件表面耐酸涂层配方，按照重量份数由如下原料组成：多孔粉石英20‑30份、钛白粉10‑20份、去离子水30‑40份、丙二醇4‑6份、氯化钠2‑4份、乳液5‑7份、分散剂2‑4份、增稠剂，利用搅拌罐搅拌和调和，持续搅拌至组分全部分散并且再次持续搅拌得到涂料用基料，进而搅拌直至所有组分混合呈均匀状态，之后加入无水乙醇搅拌，直至全部溶解，形成稳定的无水结构，更好促进涂层组分的流动，能够在微电子器件表面形成均匀的厚度
微电子器件持续搅拌耐酸涂层无水乙醇粉石英钛白粉涂料配方氯化钠耐酸表面形成均匀状态去离子水散热作用原料组成重量份数组分混合研磨丙二醇分散剂搅拌罐增稠剂白粉乳液微孔无水制备调和溶解流动

[发明专利]用于减少共端子晶体管中的串扰的布局-CN201880070783.7在审
发明人：维贾伊·克里希纳穆尔蒂;阿比迪尔·拉赫曼;褚民;苏阿尔普·阿拉斯 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：微电子器件(100)具有公共端子晶体管(104)，所述公共端子晶体管具有两个或更多个沟道(112，114)和在沟道(112，114)的相应区域中的感测晶体管(124，130)。形成微电子器件(100)的方法包括估计含公共端子晶体管(104)的公共节点(106)的半导体衬底(102)中的电位分布，和基于所估计的电位分布为感测晶体管(124，130)选择位置。
用于减少端子晶体管中的布局

[发明专利]一种基于高精度3D打印的引线键合方法-CN202111311134.1在审
发明人：孙海波;黄皓辉;高吉祥;郭志力;陈东初;聂宝华;余明光 -专利权人：佛山科学技术学院
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B22F10/10 文献下载
摘要：该引线键合方法包括以下步骤：配置打印浆料；构建微电子器件与基板所需引线键合的三维模型，并导入3D打印设备中，设定3D打印工艺参数，包括打印路径；按照打印路径进行打印，打印浆料通过打印针头挤压形成引线，将引线进行固化即可；微电子器件与基板之间通过引线进行电气互连；打印的条件包括：挤压气压为20～40psi，打印针头的内径为5～15μm。
一种基于高精度打印引线方法

[发明专利]智能消耗品/标识符标签以及用于智能消耗品/标识符标签的天线-CN202080080407.3在审
发明人： C-H·库森塔尔;R·阿泽斯;D·克维尔斯塔德;S·厄尔弗斯 -专利权人：默克专利股份公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于通过将标签粘合到容器或装备的表面来标记容器或装备的标签1，该标签1包括支撑材料基底11、被包括在支撑材料基底11中的至少一个RFID微电子器件5c、以及用于不同频率范围的多个天线5a、5b，天线5a、5b与至少一个RFID微电子器件5c连接并且被包括在支撑材料基底11中，其中多个天线5a、5b包括第一天线5a，第一天线5a用于860到960MHz的频率范围，并且当被提供在玻璃表面上时具有大于
智能消耗品标识符标签以及用于天线

[发明专利]微电子器件散热器结构-CN202310638441.3在审
发明人：朱明;雷定中;王帆 -专利权人：苏州思萃热控材料科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开微电子器件散热器结构，包括冷水板、微型水泵和多个虹吸组件，通过特斯拉阀的特性，使得流经多个特斯拉阀输水槽的冷却液的速度变快，从而提高散热效果；通过微型水泵，可以控制冷却液的流速，在冷却液快速流经特斯拉阀输水槽时，就会对弹性薄膜产生虹吸现象，使得弹性薄膜向上凸起，并产生吸力，从而通过第一单向阀，将微电子器件产生的热量吸收至通气圆槽内部，在达到变频时间后，微型水泵就会降低冷却液的流速，使得冷却液慢速流经特斯拉阀输水槽
微电子器件散热器结构

[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法-CN202110205068.3有效
发明人：董俊辰;李琪;韩德栋;王漪;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。本发明提出了一种用于微电子器件的新型high‑k电介质材料，该金属‑绝缘层混合电介质采用磁控溅射和原子层淀积工艺制备，步骤简单、成本低，具有实际应用潜力。
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种温度环境下微电子器件引线键合强度测试夹具-CN202010209542.5有效
发明人：陈刚;冯少武;林强 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：本发明属于力学测试技术领域，公开了一种温度环境下微电子器件引线键合强度测试夹具，包括底部设置有加热片的高温环境箱，高温环境箱两端分别穿接第一夹具连接件和第二夹具连接件，第一夹具连接件两端分别连接有第一夹具和基板固定块本发明能够配合拉压力学试验机和模拟高温环境，能够实现破坏性引线键合强度试验，满足工况环境下微电子器件引线键合强度的测试。
一种温度环境微电子器件引线强度测试夹具