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[发明专利]清洁制剂-CN201310504991.2有效
发明人：李翊嘉;M·B·拉奥;G·巴纳杰;刘文达;吴爱萍;稻冈诚二 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：描述了一种用于从具有图案的微电子器件除去含铜的蚀刻后和/或灰化后残留物的组合物和方法。所述除去组合物包括水、水可混溶的有机溶剂、胺化合物、有机酸和氟离子源。所述组合物从所述微电子器件有效地除去含铜的蚀刻后残留物而不会损害暴露的低‑k介电材料和金属互连材料。
清洁制剂

[发明专利]铜清洁及保护调配物-CN200980141809.3有效
发明人：杰弗里·A·巴尼斯;布莱恩·贝纳科;卡尔·E·博格斯;丰琳;刘俊;梅里萨·A·佩特鲁斯卡;颜晓冬;张鹏 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C11D1/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从其上含有化学机械抛光(CMP)后残留物及污染物的微电子器件清洁该残留物及污染物的清洁组合物及方法。该清洁组合物包括新的腐蚀抑制剂。该组合物实现高效清洁该微电子器件表面的CMP后残留物及污染物，且不会损及低k介电材料或铜互连材料。
清洁保护调配

[发明专利]用于将其上具有低K介电材料的半导体晶片再循环的组合物和方法-CN200680050730.6有效
发明人：帕梅拉·M·维辛廷;江平;迈克尔·B·克赞斯基;麦肯齐·金 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了用于从废弃的微电子器件上除去低k介电材料、浸蚀终止材料和/或金属堆叠材料的去除组合物和方法。所述去除组合物包括氢氟酸。所述组合物实现从其上具有材料的微电子器件结构的表面上至少部分地除去所述材料，以再循环和/或重复使用所述结构，而不会损坏半导体结构中所用的底层多晶硅或裸硅层。
用于具有材料半导体晶片再循环组合方法

[发明专利]具有加热电极的微电子器件-CN200780009664.2无效
发明人： M·W·G·蓬吉;M·F·吉利斯;M·T·约翰逊;D·A·菲什 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件的不同设计，该微电子器件包括在样品室的相同子区具有作用的加热电极(HE)和场电极(FE)。通过施加恰当的电压至场电极(FE)，能够在样品室中生成电场(E)。
具有加热电极微电子器件

[发明专利]一种多端口非线性器件的谐波检测装置-CN202010054834.6有效
发明人：何松柏;舒晓霞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01R23/16 文献下载
摘要：该发明公开了一种用于多端口非线性器件的谐波检测装置，涉及微电子测量领域，具体说是一种用于多端口非线性器件的谐波测试装置。为了解决微电子器件结构小巧紧凑，易受干扰而导致的谐波测试难的问题；本发明选取低损耗，低反射器件，避免能量来回反射和损耗，减小测试误差；对每个测试端口都单独设置一条信号传播路径，避免支路干扰；利用水平基板延伸扩展微电子器件引脚到通用信号接口
一种多端非线性器件谐波检测装置

[发明专利]用于纳米线器件的隔离-CN201080057647.8有效
发明人： U.沙;B.楚-孔;B-Y.金;R.皮拉里塞蒂;M.拉多沙夫耶维奇;W.雷奇马迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-11-03 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及制造微电子器件的领域。在至少一个实施例中，本公开涉及形成隔离的纳米线，其中，邻接于纳米线的隔离结构为其上微电子结构的形成提供基本上水平的表面。
用于纳米器件隔离

[发明专利]微电子器件气密性封装结构-CN202111282960.8在审
发明人：陈朔;冯刘昊东;彭鑫林;季宇成;郭松;王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微电子器件气密性封装结构，包括：第一基板，其第一主面上形成有微电子器件；第二基板，其第一主面上形成有吸气结构，吸气结构包括吸气剂薄膜及用于激活吸气剂薄膜的热子结构；第三基板，其形成有贯穿其第一主面和第二主面的通孔；第一基板的第一主面与第三基板的第一主面气密性接触，第二基板的第一主面与第三基板的第二主面气密性接触，通孔与第一基板和第二基板组成气密性空腔，微电子器件的主要部分位于气密性空腔中，吸气结构的主要部分与气密性空腔连通本发明降低了对封装外壳气密性的要求，在对封装外壳进行拆装时不会影响器件内部的气密性，提高了封装效率且便于MEMS器件的后续使用和维护。
微电子器件气密性封装结构

[发明专利]半导体器件的制造-CN01819463.X有效
发明人： D·舍帕德 -专利权人： NUP2公司
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：利用具有凹陷图形的衬底，完成微电子器件的制造。在一种方法中，原版模子被用来复制具有坑图形的衬底。在另一种方法中，用腐蚀方法来产生衬底。一系列具有所需电学特性的层叠的层被施加到衬底，并以产生电学器件以及其间的连接的方式被整平。此微电子器件能够包括一系列的行和列，并被用来在其交叉点处储存数据。
半导体器件制造

[发明专利]可自成像膜形成聚合物及其组合物和由此制得的器件和结构-CN201080038928.9无效
发明人：大西治;池田阳雄;拉里·罗兹;保罗·J·埃文斯;埃德蒙·埃尔切;安德鲁·贝尔;查德·布里克;黄清海;普拉莫德·砍达纳拉什齐 -专利权人：普罗梅鲁斯有限责任公司;住友电木株式会社
申请日： 2010-07-01 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C08G59/32 文献下载
摘要：由此形成的膜可以用于形成微电子器件和光电子器件。
成像形成聚合物及其组合由此器件结构

[发明专利]一种具有空腔结构的电子器件及其制备方法-CN202110523470.6在审
发明人：薛海韵;刘丰满;戴凤伟;唐波;杨妍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有空腔结构的电子器件及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中具有空腔结构的电子器件采用标准的微电子组装技术存在污染或者损坏空腔结构的问题。本发明的电子器件，包括器件基体和封盖层，器件基体的至少一个表面开设有空腔结构，器件基体设有空腔结构的表面覆盖封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的制备方法包括如下步骤：在器件基体设有空腔结构的表面形成封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的电子器件和制备方法能够保证空腔结构的完整性和洁净度，进而能够提高电子器件的整体稳定性。
一种具有空腔结构电子器件及其制备方法

[发明专利]一种基于聚焦超声控制SMP印章的微转印方法及其装置-CN202010959628.X在审
发明人：张力;王明阳;田丰;郝博 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B41M3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚焦超声控制SMP印章的微转印方法及其装置，该方法包括部署调试阶段、剥离阶段、打印阶段，具体步骤为：部署能量发生装置、转印载体及调试控制系统；将超声能量作用于SMP印章并使其与微电子器件接触，在界面粘附力作用下将本置于源基体上的微电子器件剥离；再次将超声能量作用于SMP印章使其发生形变回复，从而微电子器件被打印至目标基体上；该方法增强了转印过程可控性、提高了微转印质量和效率；所述微转印装置包括
一种基于聚焦超声控制 smp 印章微转印方法及其装置

[发明专利]基于激光动态压力的一种微器件焊接方法及装置-CN200810020643.7无效
发明人：王霄;杨昆;刘会霞;张惠中;王匀;周明;蔡兰 -专利权人：江苏大学
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： B23K20/12 文献下载
摘要：本发明涉及焊接领域，特指基于激光动态压力的一种微电子器件焊接方法及装置，通过激光作用在工件表面产生的动态压力使得工件碰撞基体，在碰撞界面处形成高温高压区域从而实现工件和基体的焊接，其装置由计算机、激光器本发明将激光与物质作用产生的动态压力应用到微焊接工艺中，能够对微电子器件进行焊接，弥补了常规微电子器件焊接方法的不足。
基于激光动态压力一种器件焊接方法装置

[实用新型]一种微电子器件检测用工装-CN202123110912.9有效
发明人：陈涛 -专利权人：陈涛
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微电子器件检测用工装，包括操作平台、检测外框和照明灯，所述操作平台顶端两侧固定安装在检测外框底端两侧，所述检测外框底端中部固定安装有照明灯，所述操作平台右侧的中部下端通过限位机构安装有收纳槽本实用新型可以相对较为便捷的对微电子器件进行大规模的收纳，同时可以有效的对操作平台和收纳槽之间的位置进行限定，提高了装置在使用过程中的便捷性和完整性，并且可以保障微电子器件夹取的工作效率，提高了装置在使用过程中的工作效率
一种微电子器件检测用工

[发明专利]含有光碱产生剂的可光成像聚烯烃组合物-CN201680018462.3有效
发明人： P·坎达纳朗齐;L·罗德;H·恩济;张伟;B·卡纳普 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：根据本发明的实施方式包含含有各种光碱产生剂的自可成像聚合物组合物，其可用于形成可被图案化以生成用于微电子器件、微电子封装、微机电系统、光电子器件及显示器的结构的膜。
有光产生成像烯烃组合

[发明专利]包括各向异性导电层的微电子器件及其形成方法-CN201310042616.0在审
发明人：李晋硕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了一种包括各向异性导电层的微电子器件及其形成方法。该微电子器件包括：第一基板；布置在所述第一基板上的第一电极；覆盖所述第一电极的绝缘层，所述绝缘层包括在所述第一电极上的开口；和在所述绝缘层上的各向异性导电膜，所述各向异性导电膜包括通过所述开口电连接至所述第一电极的导电粒子
包括各向异性导电微电子器件及其形成方法