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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种微米级高活性球形银粉的制备方法-CN201210155326.2无效
发明人：王立惠;郑伟;施文峰;刘玲 -专利权人：西北稀有金属材料研究院
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能及微电子器件用高活性性球形银粉，尤其是一种微米级高活性球形银粉的制备方法，其特点是，包括如下步骤：将质量分数20～37％的甲醛溶液和硬脂酸加入由硝酸银、氢氧化钠、质量分数20～25％的氨水和去离子水配置的银氨溶液中采用本发明方法制备出的微米级高活性球形银粉颗粒粒度分布范围窄、活性性良好、并且表面带有无机粘结粉体，特别适合太阳能及微电子器件行业使用。
一种微米活性球形银粉制备方法

[实用新型]科技普及型电子线路实习机-CN99247982.7无效
发明人：张宁春 -专利权人：甘肃汇凯电子有限公司
申请日： 1999-11-30 - 公布日： 2000-10-18 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：一种科技普及型电子线路实习机,由机壳、操作平台及连接导线组成,显示板倾斜放置在测试板前方,测试板的正、反面安装着电子元器件和微电子器件,各元器件的端子上设置有插接弹簧或接插孔,弹簧或接插孔暴露在测试板正面,测试板反面采用印刷电路板固定连接元器件。该实习机布局合理、实习功能突出、外形美观、应用范围广阔,可与其配套教材《走进电子时代》(初、中级版)配合用于我国电子技术(基础电子线路)方面的普及教育。
科技普及型电子线路实习

[发明专利]用于制备介电材料的可交联硅氧烷化合物-CN202080018528.5有效
发明人： K·科佩;J·艾希霍恩;B·杰弗里;A·戴维斯;W·米切尔;P·米希凯维奇;野中敏章 -专利权人：默克专利股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C08G77/26 文献下载
摘要：除此之外，本发明涉及用于制备微电子结构的制造方法，其中将可交联组合物施加到基板的表面然后固化，以及涉及包括通过所述制造方法获得的微电子结构的电子器件。
用于制备材料交联硅氧烷化合物

[发明专利]负型感光性组合物-CN201780037257.6有效
发明人： L·F·罗德 -专利权人：住友电木株式会社
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：由此类组合物形成的薄膜提供用于微电子器件、光电子器件及其他应用中的可自成像、低k及热稳定的层。
感光性组合

[发明专利]使薄膜容易控制的方法和夹紧装置-CN200410054980.X无效
发明人： A·R·杜加尔;P·A·麦康奈利;M·谢普肯斯;严旻 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2004-07-26 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：本申请所述的装置(10)和方法适合生产各种制品，例如微电子器件和光电子器件。
薄膜容易控制方法夹紧装置

[发明专利]一种GaN水平纳米线电子器件制备方法-CN201710287542.5有效
发明人：何苗;王志成;丛海云;郑树文 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN水平纳米线电子器件制备方法，直接在衬底上生长水平GaN纳米线，并通过光刻工艺制备方形电极阵列，采用PECVD设备沉积厚度为2250Å的SiO2；通过FIB工艺在沉积有SiO2的一根纳米线顶部沉积金属铂本发明通过在衬底上直接生长水平GaN纳米线，其与衬底粘结性强，同时将纳米线结构紫外探测器和纳米线场效应管集成在一起，无需转移纳米线，不仅增强器件性能稳定性，同时减少材料缺陷，缩小器件尺寸，提高应用范围。本发明作为一种GaN水平纳米线电子器件制备方法可广泛应用于微电子领域。
一种 gan 水平纳米电子器件制备方法

[发明专利]制造电子器件的方法和电子器件-CN200480003960.8无效
发明人： H·博伊泽恩;S·G·登哈托格;P·J·弗伦奇;K·A·A·马金瓦 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-02-10 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种制造电子器件尤其是一种加速传感器的方法，包括提供具有第一和第二半导体层(12，16)的晶片(10)，在其之间具有埋入氧化物层(14)，并在第一半导体层(16)中的晶片(10)的一侧上形成半导体器件(如检测电路)，并在第二半导体层(12)中的晶片(10)的相反面上形成微电子机械系统(MEMS)器件。
制造电子器件方法

[发明专利]有机小分子修饰的纳米碳化钛/聚酰亚胺复合材料-CN201310458314.1无效
发明人：翁凌;夏乾善;闫利文;刘立柱 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2013-10-01 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：随着微电子工业的不断发展，各类型电子器件的尺寸越来越小，集成度越来越高，这对电子材料的介电性能提出了更高的要求。高介电常数材料的发展已成为制约电子器件微型化、高速化的关键因素之一。
有机分子修饰纳米碳化聚酰亚胺复合材料

[发明专利]一种各向异性导电胶膜及电子装置-CN201210546247.4有效
发明人：贺伟;暴军萍;李兴华;朴承翊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种各向异性导电胶膜及电子装置，为解决采用热固化导电胶封装连接时，高温引起的微电子器件变形导致微细连线容易出问题的问题，该各向异性导电胶膜包括基膜和微胶囊结构，微胶囊结构设置于基膜上，微胶囊结构包括金属导电粒子能常温固化的高分子聚合物作为芯材，微胶囊结构作为壁材，使用时采用加压的方式使得微胶囊结构破坏，内部的导电粒子和常温固化高分子聚合物泄漏，泄漏后常温固化高分子聚合物得以固化，从而实现各向异性导电胶膜常温下对微电子器件的电气导通连接
一种各向异性导电胶膜电子装置

[发明专利]一种具有低阈值电场的硅基场发射阴极材料及其制备方法-CN200910238477.2无效
发明人：王如志;赵维;汪浩;严辉;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;张铭 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01J29/04 文献下载
摘要：本发明所提供的制备工艺简单易行，制备的材料具有低阈值电场，高发射电流密度的电子发射特性，且该阴极结构以硅为基底，易于与其他微电子器件集成，是制造真空微电子器件的理想阴极。
一种具有阈值电场硅基场发射阴极材料及其制备方法

[发明专利]低成本微电子电路封装-CN02822139.7有效
发明人： T·多里;J·屈恩德特;J·唐;S·托尔;H·布劳尼施 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2002-08-06 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：低成本微电子电路封装包括一个位于微电子管芯上的单一组合金属化层。至少一个管芯利用例如封装材料等被固定在封装内核内。然后把一个单一金属化层组合在管芯/内核组件上。此金属化层包含一些接触盘，其间距可以允许微电子器件直接安装在外电路板上。在一个实施例中，此金属化层在其周边区域内包含一些信号接触盘，在其中心区域包含至少一个电源接触盘和一个接地接触盘。
低成本微电子电路封装

[发明专利]一种双场板AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压预测方法-CN202210231250.0在审
发明人：段小玲;刘诗杰;王树龙;张进成;张金风;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件技术领域，具体涉及一种双场板AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压预测方法。本发明基于神经网络，对双场板HEMT器件中栅、源场板结构与击穿电压之间的非线性关系进行学习，从而能快速且精准地预测出双场板HEMT器件的击穿电压，避免了传统TCAD仿真方法计算量大、耗时且难以收敛的缺点
一种双场板 algan gan hemt 器件击穿电压预测方法

[发明专利]一种带有无接触电子存储器的电子器件及其制作方法-CN99803383.9无效
发明人： L·奥多;R·弗雷曼;S·阿雅拉;M·扎夫拉尼;P·帕特里斯;G·布尔内克斯;D·马丁 -专利权人：格姆普拉斯公司
申请日： 1999-02-10 - 公布日： 2001-04-18 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及一种无接触电子器件(10),如卡、标签、票券或标牌,它包含至少一个微电子电路(20),该微电子电路布置在硬或半硬的支撑体内,其管脚(26)与布置在支撑体内的接口天线(24)相连,而支撑体含有至少两个相对的保护片本发明的特征在于,它包括一个由如下部分组成的叠层一个底层保护片(12),其内表面(22)承载有至少一个微电子电路和至少一个接口天线(24);一个中间粘结层(14),其上下两对面都敷有胶;及一个顶层保护片
一种有无接触电子存储器电子器件及其制作方法

[发明专利]基于纳米金刚石颗粒的大规模芯片减薄方法-CN201611198428.7有效
发明人：冯雪;蔡世生;张长兴;李海成;张迎超;韩志远 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于纳米金刚石颗粒的大规模芯片纯机械无化学式减薄方法，属于柔性可延展光子/电子器件、半导体以及微电子技术领域。本发明方法利用纳米金刚石颗粒作为磨削材料纯机械无化学式减薄各种芯片材料(电子、光子芯片等)；在减薄过程中，通过改变纳米金刚石的粒径来调控粗糙、中度、精细研磨以及抛光；通过调控芯片托盘的芯片槽的大小来实现不同尺寸芯片的大规模减薄本发明方法适用于各种芯片材料大规模的减薄，同时适用于减薄到任意厚度，最终厚度可达到10μm左右，能够很好地契合柔性可延展光子/电子器件所需的器件厚度。
基于纳米金刚石颗粒大规模芯片方法

[实用新型]一种微电子元件用换热器-CN201621197184.6有效
发明人：崔富民 -专利权人：江苏天诚车饰科技有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种微电子元件用换热器，包含换热器主体（1），其特征在于所述的换热器主体（1）为中空夹层结构的薄板，采用金属材料（11）制成，夹层中设有惰性气体（12）；所述的换热器主体（1）通过底面涂有一层绝缘胶（2）固定在电子元件（3）表面。本实用新型，结构简单，操作方便，通过换热器主体的金属材料及其夹层内的惰性气体进行快速散热，进一步提高了微电子元件的寿命，防止电子器件在使用过程中由温度过高引起的失效。
一种微电子元件换热器

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