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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]SiC外延生长装置-CN201811380441.3有效
发明人：本山和道;奥野好成;梅田喜一;深田启介 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；和加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置，在与所述加热器的所述基座侧的第1面相对的所述基座的被辐射面形成有凹凸。
sic 外延生长装置

[发明专利]SiC外延生长装置-CN201911163010.6有效
发明人： 梅田喜一;渥美广范 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的SiC外延生长装置具备载置SiC晶片的载置台和覆盖所述载置台的炉体，所述炉体具备原料气体供给口、第1吹扫气体供给口和第2吹扫气体供给口，所述原料气体供给口位于与所述载置台相对的位置，向所述生长空间供给原料气体，所述第1吹扫气体供给口包围所述原料气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体，所述第2吹扫气体供给口包围所述第1吹扫气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体。
sic 外延生长装置

[发明专利]SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法-CN202210915294.5有效
发明人：田中健胜;梅田喜一 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：目的在于得到硼的含有量少的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，所述外延层的中心处的所述硼的浓度小于5.0×1012cm‑3。
sic 外延晶片制造方法

[发明专利]SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法-CN202210915297.9在审
发明人：田中健胜;梅田喜一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：目的在于得到硼的含有量在面内的任意位置处都少且有效面积大的SiC外延晶片及其制造方法。该SiC外延晶片具备SiC基板和层叠于所述SiC基板的SiC的外延层，所述外延层包含决定导电型的杂质和导电型与所述杂质不同的硼，在所述外延层中，所述硼的浓度在面内的任意位置处都小于1.0×1014cm‑3。
sic 外延晶片制造方法

[发明专利]SiC外延生长装置-CN201811380345.9有效
发明人：本山和道;奥野好成;梅田喜一;深田启介 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置；以及圆环状的辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置与所述基座的与所述载置面相对的背面接触，所述辐射构件的辐射率比所述基座高，从所述加热器观察时所述辐射构件的一部分露出。
sic 外延生长装置

[发明专利]SiC外延生长装置-CN201911232930.9有效
发明人： 梅田喜一;奥野好成;金田一麟平 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC外延生长装置。本实施方式所涉及的SiC外延生长装置具备：载置台，其載置SiC晶片；和炉体，其覆盖上述载置台，上述炉体具有：侧壁部；和顶部，其具有向上述炉体内供给原料气体的气体供给口，并覆盖上述气体供给口的周围，位于上述载置台的上方，上述顶部的内表面的放射率比上述侧壁部的内表面的放射率低。
sic 外延生长装置

[发明专利]基座-CN202011484053.7在审
发明人：马渊雄一郎;梅田喜一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于圆盘状晶圆的表面处理的基座，其中，所述基座具有与所述圆盘状晶圆的背面接触从而对所述圆盘状晶圆的背面进行支撑的至少三个支撑部，所述支撑部设置于所述基座的凸区域，在与所述圆盘状晶圆平行的平面视图中，所述支撑部的面积与所述凸区域的面积之比为10％以下。
基座

[发明专利]化学气相沉积装置-CN201811323045.7有效
发明人：石桥直人;深田启介;梅田喜一;儿玉友弘 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种化学气相沉积装置，具备在内部进行气相生长的反应炉和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部向不同的方向延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。
化学沉积装置

[发明专利]SiC化学气相沉积装置-CN201911239990.3在审
发明人： 梅田喜一;奥野好成;金田一麟平 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC化学气相沉积装置，上述SiC化学气相沉积装置具有：炉体，其在内部构成沉积空间；和载置台，其位于上述沉积空间内，且在载置面载置SiC晶片，上述炉体具有：第1孔，其位于与上述载置面对置的上部，向上述沉积空间内导入原料气体；第2孔，其位于上述炉体的侧壁，供吹扫气体流入上述沉积空间内；以及第3孔，其位于上述炉体的侧壁的比上述第2孔靠下方的位置，将上述沉积空间内的气体排出，在上述第2孔的下端具备突出部，该突出部朝向上述沉积空间突出，调整上述原料气体的流动。
sic 化学沉积装置

[发明专利]SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法-CN201911188852.7在审
发明人： 梅田喜一;渥美广范 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。该SiC化学气相沉积装置具有在内部构成沉积空间的炉体和位于上述沉积空间的下部且在载置面上载置SiC晶片的载置台，上述炉体在与上述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件，上述多个部件具有第一部分和第二部分，上述第一部分具有向外周方向突出的突出部，上述第二部分具有供上述突出部钩挂的钩部，上述第一部分与上述第二部分通过上述钩部钩挂于上述突出部而连结。
sic 化学沉积装置外延晶片制造方法

[发明专利]基座和化学气相生长装置-CN201910826274.9在审
发明人：余佳;石桥直人;深田启介;梅田喜一;渥美广范 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供基座和化学气相生长装置。该基座是被用于在晶片的主面上采用化学气相生长法使外延膜生长的化学气相生长装置的基座，具有基台和配置于所述基台的外周部的用于支持所述晶片的外周部的3个突起部。
基座化学相生装置

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