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[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201810355413.X有效
发明人：山本哲夫;丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种使用等离子体形成高品质的膜的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。在具有内置有用于载置衬底的衬底载置台的处理室、和使供给到处理室内的气体成为等离子体状态的等离子体生成部的衬底处理装置中，等离子体生成部具有以包围成为供给到处理室内的气体的流路的等离子体生成室的方式配置的等离子体产生导体，等离子体产生导体具有沿着等离子体生成室内的气体的主流方向延伸的多个主导体部、和将主导体部彼此电连接的连接导体部。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201810232825.4有效
发明人：大桥直史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。目的在于提高在衬底上形成的膜的品质。衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；气化器，其生成向衬底供给的第一气体；第一供给管，其连接于气化器、向处理室供给所述第一气体，且具有控制第一气体的供给定时的第一定时阀；非活性气体供给部，其向气化器导入管和第一供给管中的任一者或两者供给非活性气体，气化器导入管向气化器供给气体；气化器输出管，其从气化器向第一供给管供给第一气体；第一排出部，设置于第一供给管、将第一供给管内的气氛排气；第二排出部，设置于气化器输出管、将气化器内的气氛排气；和控制部，控制第一定时阀、非活性气体供给部、第一排出部和第二排出部。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN202210926048.X在审
发明人：板谷秀治;大桥直史;越卷寿朗;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，提供一种检测基板的载置面的状态的技术。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行成膜处理；基板支承部，其设于所述处理室内，并且具有载置所述基板的多个载置面；以及检测部，其配置于所述处理室的外侧或内侧，以非接触的方式检测附着于所述载置面的成膜材料的状态。
处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202111527706.X在审
发明人：柳泽爱彦;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：提供一种提高排气系统的清洁效率的基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。具有：对基板进行处理的处理容器；设于处理容器的内部且在平面上支承多个基板的支承部；向设定于处理容器内的第一领域供给第一气体的第一气体供给部；向设定于处理容器内的第二领域供给第二气体的第二气体供给部；沿着支承部的外周设置的排气缓冲构造部；与排气缓冲构造部连接且设在来自第一气体供给部的第一气体的流动下游的第一气体排气部；与排气缓冲构造部连接且设在来自第二气体供给部的第二气体的流动下游的第二气体排气部；以及向排气缓冲构造部供给清洁气体的第三气体供给部。
处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]基板处理系统、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202110297200.8在审
发明人：八幡橘;松井俊;大桥直史;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理系统、半导体装置的制造方法及存储介质，在具有多个处理容器的基板处理系统中，能防止废气堆积在处理容器的排气管且对气体供给管的环境气体进行排气。具有：多个处理容器，收纳基板；气体供给管，分别与多个处理容器连接，供给处理气体；第一排气部，对多个处理容器内的环境进行排气；第二排气部，对气体供给管内的环境进行排气，经由切换阀与气体供给管连接，与第一排气部不同；控制部，构成为能以执行下述步骤的方式对切换阀、第一排气部和第二排气部进行控制：a)从气体供给管向处理容器供给处理气体来处理基板的步骤；及b)在未从气体供给管向处理容器供给处理气体的期间，从气体供给管向第二排气部排出处理气体的步骤。
处理系统半导体装置制造方法以及存储介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202110971630.3在审
发明人：大桥直史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。在加热处理衬底的衬底处理装置中，即使衬底间的处理环境变化也能使衬底间的膜质均匀。具有如下工序：搬入工序，将衬底搬入处理室；膜处理工序，在将设置于处理室的上游的簇射头所具备的分散板用簇射头加热器加热的同时，经由分散板向处理室内的衬底供给气体，并且将气体从处理室排气；搬出工序，将衬底从处理室搬出；温度测定工序，在接下来待处理的衬底的搬入前测定簇射头的温度；和温度调节工序，在温度测定工序后，对簇射头的温度与预先设定的温度信息进行比较，在其差比规定值大的情况下，以使设置于簇射头的簇射头加热器工作从而接近预先设定的温度的方式进行控制。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理方法、记录介质和基板处理装置-CN201810152200.7有效
发明人：大桥直史;高野智;丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法、记录介质和基板处理装置，是提高设备特性的均匀性的技术。本申请提供一种基板处理方法，其具有：将具有形成有图案的硬掩模的基板搬入处理室的工序，向所述处理室供给含金属气体来达到第一压力的第一浸透工序，以及在所述第一浸透工序之后，向所述处理室供给非活性气体来达到比所述第一压力低的第二压力的浓度分布调整工序。
处理方法记录介质装置

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质-CN201810022762.X有效
发明人：吉野晃生;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及记录介质，尤其提供在将多个基板配置成圆周状的类型的装置中处理效率也较高的技术。基板处理装置具有：具有载置基板的蓄热部的托盘、具有旋转轴和被所述旋转轴支承的旋转板且以所述托盘能够载置于所述旋转板的方式构成的基板搬送部、以所述旋转轴为中心配置成圆周状的多个基台、以及设置于所述基台中的每一个的加热器。
处理装置半导体制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质-CN202110298653.2在审
发明人：大桥直史;八幡橘;油谷幸则;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质，防止歪斜的基板落下并稳定地进行输送。本发明提供如下技术，具有：处理室，其对基板进行处理；气体供给部，其向处理室内供给气体；基板载置部，其配置在处理室内且具有载置基板的基板载置面；以及臂，其支撑基板的下表面并向基板载置面输送该基板，臂构成为支撑基板的支撑部具有倾斜。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN202010963924.7在审
发明人：高野智;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够以将基板的凹部内填埋的方式形成膜的技术。提供一种基板处理装置，其具有：供基板载置的基板载置台；从基板载置台的上方侧向基板的面上供给吸附阻碍气体的吸附阻碍气体供给部；从基板载置台的上方侧向基板的面上供给原料气体的原料气体供给部，设于吸附阻碍气体供给部的气体供给口与基板之间的距离(D1)构成为，比设于原料气体供给部的气体供给口与基板之间的距离(D2)大。
处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

[发明专利]基板处理系统、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202010600098.X在审
发明人：水口靖裕;松井俊;高崎唯史;大桥直史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理系统、半导体器件的制造方法及记录介质，提高每个基板的处理均匀性。所涉及的技术具有：对基板进行处理的多个基板处理装置；分别设于多个基板处理装置且控制基板处理装置的第1控制部；从第1控制部接收多种数据的中继部；和从中继部接收数据的第2控制部，中继部按数据的种类和第1控制部中的某一方或双方变更向第2控制部发送数据的发送间隔。
处理系统半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法、存储介质-CN201910695187.4在审
发明人：稻田哲明;大桥直史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置及半导体器件的制造方法、存储介质。该基板处理装置包括：金属制的容器，其具有对基板进行处理的处理室；基板载置板，其在所述容器内以能够旋转的方式设置，在上表面以圆周状配置有多个基板载置面；加热部，其加热载置在多个所述基板载置面上的基板；热衰减部，其设置在所述加热部与所述容器之间；气体供给部，其向所述处理室供给气体；以及支承部，其使所述基板载置板旋转。
处理装置半导体器件制造方法存储介质

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201910212028.4在审
发明人：水口靖裕;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。其技术问题在于，提高每个衬底的处理均匀性。为此，所提供的技术具有：处理执行部，其基于程序处理衬底；第1控制部，其对程序进行处理；和第2控制部，其基于从第1控制部接收到的数据控制处理执行部，第1控制部进行设于其他衬底处理装置的第1控制部的运转数据的判定，当判定出在其他衬底处理装置的第1控制部中发生了不良情况时，能够执行设于其他衬底处理装置的第1控制部的替代控制。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201910126048.X在审
发明人：佐佐木隆史;盛满和广;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。其课题为提高各衬底的处理均匀性。其解决手段为下述衬底处理装置，其具有对衬底进行处理的多个设备、和介由网络而与多个设备进行通信的控制部，其中，多个设备中的各自具备：处理执行部，其基于与控制部所保持的工艺制程相对应的设定参数来对衬底进行处理；发送接收部，其进行将处理执行部的测定值发送至控制部、和从控制部接收更新参数；和更新部，其基于接收到的更新参数，将设定参数更新，控制部具备：学习部，其将测定值作为学习用数据，基于学习用数据进行学习，并生成对设定参数进行更新的更新数据；运算部，其基于更新数据生成更新参数；和发送接收部，其在多个设备之间对测定值和更新参数进行发送接收。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置-CN201811120329.6在审
发明人：油谷幸则;八幡橘;高崎唯史;大桥直史;松井俊;市村圭太 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置，用于实现搬运机器人搬运基板的合理化。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；加热部，其将基板加热到规定温度；真空搬运室，其与处理室连接；搬运机器人，其设置于所述真空搬运室，能够搬运基板；装载锁定室，其与真空搬运室连接；存储装置，其分别存储多个与基板的处理内容有关的工序信息以及多个与工序信息对应的搬运机器人的搬运信息；控制部，其根据应用于基板的工序信息对应的搬运信息，控制搬运机器人来搬运基板。
基板搬运机器人搬运真空搬运室工序信息基板处理装置装载锁定室处理内容存储装置基板加热对基板加热部合理化存储应用

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