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[发明专利]原料气体供给系统和原料气体供给方法-CN202080058420.9在审
发明人：冈部庸之;大仓成幸;小森荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：一种原料气体供给系统，其将使固体原料气化而生成的原料气体向处理装置供给，其中，该原料气体供给系统包括：气化装置，其使所述固体原料气化而生成所述原料气体；送出机构，其从供在溶剂中溶解有所述固体原料的溶液贮存的溶液源向所述气化装置送出所述溶液；以及蒸发机构，其使从所述送出机构送出而容纳于所述气化装置内的所述溶液的溶剂蒸发，分离所述固体原料。
原料气体供给系统方法

[发明专利]原料气体供给系统和原料气体供给方法-CN202080063295.0在审
发明人：冈部庸之;大仓成幸;小森荣一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：本发明为一种对处理装置供给原料气体的原料气体供给系统，所述原料气体是通过将固体原料气化来生成的，所述原料气体供给系统包括：将所述固体原料气化来生成所述原料气体的气化装置；送出机构，其从贮存有分散系的贮存容器向所述气化装置送出所述分散系，其中，所述分散系是在液体中分散所述固态原料而成的；和分离机构，其在所述气化装置内从所述分散系中分离出所述固体原料。
原料气体供给系统方法

[发明专利]原料气体供给装置和原料气体供给方法-CN201610866667.9有效
发明人：八木宏宪;成嶋健索;松山中成 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供使固体原料气化而将含有气体的原料气体供给到成膜处理部时使气化的原料的供给量稳定的技术。在用于向原料容器供给运载气体的运载气体供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。并且，在向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置有MFC2。求取从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的偏差值，基于从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的值，求取减去偏差值的原料的流量的实测值。依据原料的流量的实测值与原料的目标值的差，调整MFC1的设定值而调整运载气体的流量，调整包含于原料气体的原料的量。
原料气体供给装置方法

[发明专利]原料气体供给装置和原料气体供给方法-CN201611095814.3有效
发明人：八木宏宪;诸井政幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明在将包含收容于原料容器内的固体或液体原料气化后的气体的原料气体供给至成膜处理部时，能够以较高的精度对原料容器内的原料的剩余量进行测定。在用于向原料容器供给载气的载气供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。在用于向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置MFC2。从MFM3的测定值减去MFC1测定值与MFC2的测定值的合计值，求取偏差值，从自MFM3的测定值减去MFC1的测定值与MFC2的测定值的合计值而得到的值减去偏差值，求取原料的流量的实测值，并求取原料的重量的实测值从原料容器内的初期的填充量(新的原料容器的填充量)减去原料的流量的实测值的累计值，测定原料的剩余量。
原料气体供给装置方法

[发明专利]原料气体供给装置-CN201510493204.8有效
发明人：诸井政幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：在将包含使固体或液体原料气化得到的气体的原料气体供给成膜处理部时正确调节原料气体所含原料的气化流量。将载气供给收纳有原料的原料容器(3)，将包含已气化原料的原料气体与稀释气体一起间断供给原料的成膜处理部(2)。用质量流量测定仪(7)测定原料气体流量M1，从对该流量测定值在原料气体供给期间积分得到的积分值减去对流过质量流量测定仪(7)的载气流量测定值C1在供给期间积分得到的积分值求得原料气化量A。求出取得的气化量A与原料气化量A设定值的偏差分，为了将原料气化量A维持为设定值，将该偏差分作为修正值与载气流量设定值C1相加。为了使载气和稀释气体总流量一定，从稀释气体的流量设定值C2减去该偏差分。
原料气体供给装置

[发明专利]原料气体供给装置-CN200810008623.8无效
发明人：张泽龙;李炳一;李永浩;张锡弼 -专利权人：泰拉半导体株式会社
申请日： 2008-02-01 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种原料气体供给装置，该原料气体供给装置用化学蒸镀法蒸镀薄膜时将作为原料的原料物质气化后加以提供。本发明的原料气体供给装置通过实时、准确地控制流入蒸镀室内的原料气体的压力，可以有效地调节薄膜蒸镀时蒸镀室内的蒸镀压力。
原料气体供给装置

[实用新型]气体原料供给装置-CN201420222008.8有效
发明人：罗静 -专利权人：罗静
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及化工设备领域，尤其是一种结构简单，自动化程度高，连接拆卸方便的气体原料供给装置，它包括原料总管、供给管和反应釜上的进料管，所述原料总管与供给管之间通过软性连接管连接，所述进料管的顶端为软性材质其结构简单，使用方便，操作简单，自动化程度高，同时可实现一个供给管对多个反应釜进行加料，故在多个反应釜的上方只需设置一个供给管，可降低设备的成本，提高了设备的使用率。
气体原料供给装置

[发明专利]衬底处理装置以及半导体装置的制造方法-CN201410092352.4有效
发明人：广地志有;大桥直史 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：衬底处理装置具有原料气体供给系统，具有与原料气体源连接，设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；反应气体供给系统，具有反应气体供给管和非活性气体供给管，反应气体供给管与反应气体源连接，从上游起按顺序设有反应气体供给控制部、等离子体生成部、离子捕获部；非活性气体供给管的下游端连接在反应气体供给控制部与等离子体生成部之间，上游端与非活性气体供给源连接，设有非活性气体供给控制部；处理室，收容被处理衬底，从原料气体供给系统被供给原料气体，从反应气体供给系统被供给反应气体；控制部，至少对原料气体供给控制部和反应气体供给控制部和非活性气体供给控制部进行控制。
衬底处理装置以及半导体制造方法

[发明专利]气体供给装置、热处理装置、气体供给方法及热处理方法-CN201210140275.6有效
发明人：古屋治彦;岛裕巳;立野雄亮 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-05-08 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种气体供给装置、热处理装置、气体供给方法及热处理方法，该气体供给装置具有使用载气将原料积存槽内的原料气体向处理容器进行供给的原料气体供给系统，该气体供给装置具备：载气通路，其向原料积存槽内导入载气；原料气体通路，其连结原料积存槽与处理容器，并流通载气与原料气体；压力调整气体通路，其与原料气体通路连接，并供给压力调整气体；以及阀控制部，其按开始第1工序，之后进行第2工序的方式控制开闭阀，其中，在该第1工序中开始向处理容器供给压力调整气体，同时开始利用载气将原料气体从原料积存槽向处理容器内供给，在该第2工序中停止供给压力调整气体。
气体供给装置热处理方法

[发明专利]气体供给机构和气体供给方法以及使用其的成膜装置和成膜方法-CN201510142689.6有效
发明人：诸井政幸;山中孟;饗场康;堀田隼史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明以短时间且大流量供给由液体原料或固体原料生成的原料气体，并且避免原料的浪费。具备收纳固体状或液体状的原料的原料容器(1)；在原料容器(1)中加热原料的加热器(2)；向原料容器(1)内供给载气的载气供给配管(3)；控制载气的流量的流量控制器(4)；向腔室(10)供给原料气体的原料气体供给配管(5)；设置于原料气体供给配管(5)的腔室(10)附近的原料气体供给·切断阀(6)；和气体供给控制器(8)，进行控制使得控制流量控制器(4)，并且在关闭原料气体供给·切断阀(6)的状态下，通过流通载气，使原料容器(1)和原料气体供给配管(5)成为高压状态之后，打开原料气体供给·切断阀(6)。
气体供给机构方法以及使用装置

[发明专利]半导体制造装置的原料气体供给装置-CN201280033804.0有效
发明人：永濑正明;日高敦志;平田薰;土肥亮介;西野功二;池田信一 -专利权人：株式会社富士金
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明包括：液体原料气体供给源；源储罐，其储存所述液体原料气体；气体流通路，其从所述源储罐的内部上方空间部向处理腔供给为液体原料气体蒸汽的原料气体；自动压力调整器，其间置于该气体流通路的上游侧，且将向处理腔供给的原料气体的供给压力保持为设定值；供给气体切换阀，其间置于所述气体流通路的下游侧，且对向处理腔供给的原料气体的通路进行开闭；节流孔，其设于该供给气体切换阀的入口侧和出口侧中的至少一方，且调整向处理腔供给的原料气体的流量；以及恒温加热装置，其将所述源储罐、所述气体流通路和供给气体切换阀以及节流孔加热至设定温度，在本发明中，将自动压力调整器下游侧的原料气体的供给压力控制为所期望的压力，并且向处理腔供给设定流量的原料气体。
半导体制造装置原料气体供给

[发明专利]混合气体的供给方法和混合气体的供给装置-CN200910261099.X有效
发明人：内田阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种混合气体的供给方法和混合气体的供给装置，在使用通过加热液体原料使其气化而成的液体原料气体的情况下，与现有技术相比，能够减少在利用加热器进行的加热中所需的电量，能够实现节能化。在同时供给从气体供给源以气体状态供给的通常气体和使用带有气化单元的流量控制器(14)将从液体原料供给源供给的液体原料加热使其气化而成的液体原料气体时，从与通常气体相比距离气体出口部(51)较近的位置所设置的上述单独气体供给管线(1A)供给液体原料气体，并且将液体原料气体供给到用于除去通常气体中的颗粒的过滤器(53)的后级。
混合气体供给方法装置

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序-CN201410044063.7有效
发明人：竹林雄二;岛田真一;守川敦史 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-01-30 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：基板处理装置包括：收纳基板的处理室；向基板供给原料气体的原料气体供给系统；经第1反应气体供给管向基板供给反应气体的第1反应气体供给系统；经与第1反应气体供给管连接的第2反应气体供给管向基板供给反应气体的第2反应气体供给系统，在第2反应气体供给管设有储存反应气体的气体积存部，经该气体积存部向基板供给反应气体；控制部，控制原料气体供给系统、第1反应气体供给系统及第2反应气体供给系统，进行向基板供给原料气体的处理、和从第1反应气体供给管及第2反应气体供给管向基板供给反应气体的处理。
处理装置半导体器件制造方法程序

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201910154884.9有效
发明人：三浦纮树;小堆正人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种使用了具有原料气体供给部和清洗气体供给部的成膜装置的成膜方法，该成膜方法包括以下工序：不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而从所述原料气体供给部向基板供给原料气体，来使所述原料气体吸附于所述基板；以及不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而向吸附了所述原料气体的所述基板供给能够与所述原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体
方法装置

[发明专利]半导体装置的制造方法、存储介质和基板处理装置-CN201910865389.9有效
发明人：竹林雄二;高木康祐;平野敦士;中川隆一;矶边纪之 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法、存储介质和基板处理装置，在将原料气体和反应气体交替地向多个基板供给而在基板上形成膜的情况下，抑制因气体分解而在供给原料气体的喷嘴的内壁上附着堆积物。将交替地各进行一次原料气体供给工序和供给反应气体的反应气体供给工序作为一个循环来执行一次或多次，且满足以下(1)～(4)的条件而在多个基板上形成膜，(1)各循环的原料气体供给工序中的原料气体的供给时间：20秒以下；(2)原料气体供给工序中的原料气体喷嘴内的原料气体的压力：50Pa以下；(3)原料气体供给工序中的处理室内的温度：500℃以下；(4)为了在基板上形成膜而持续进行的循环数：100次以下。
半导体装置制造方法存储介质处理

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