专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]处理供给机构、供给方法及气体处理装置-CN200710154446.X有效
  • 佐藤亮;齐藤均 - 东京毅力科创株式会社
  • 2007-09-12 - 2008-04-09 - H01L21/00
  • 本发明涉及处理供给机构、供给方法及气体处理装置,该处理供给机构能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理处理供给机构(3)包括:用于向作为收容基板(G)的处理容器的腔室(2)内供给作为处理的氦气的He气体供给源(30);用于暂时贮存来自He气体供给源(30)的氦气的处理罐(33);和将来自He气体供给源(30)的氦气供给处理罐(33)并将处理罐(33)内的氦气供给腔室(2)内的处理流通部件(35),氦气经由处理流通部件(35)被从He气体供给源(30)暂时贮存在处理罐(33)中,并从处理罐(33)供给到腔室(2)内。
  • 处理气体供给机构方法装置
  • [发明专利]成膜装置-CN200910142629.9有效
  • 长谷部一秀;周保华 - 东京毅力科创株式会社
  • 2005-06-28 - 2009-11-04 - C23C16/455
  • 本发明涉及半导体处理用成膜装置,该装置具有:处理容器,支持被处理基板的支持部件,加热被处理基板的加热器,排放气体的排气系统,供给成膜用第一处理和与第一处理反应的第二处理以及与第一、第二处理均不同的第三处理的第一、第二、第三处理供给系统,激发第二处理的激发机构,控制成膜装置动作的控制部分,为通过CVD在被处理基板上形成薄膜,所述控制部分交叉实施如下工序:供给第一和第三处理,同时停止供给第二处理,通过激发机构,使第三处理以激发状态供给;停止供给第一、第二、第三处理;供给第二处理,同时停止供给第一和第三处理;停止供给第一、第二、第三处理
  • 装置
  • [发明专利]半导体处理用的成膜方法和装置-CN200710147867.X有效
  • 长谷部一秀;周保华;梅泽好太;门永健太郎;张皓翔 - 东京毅力科创株式会社
  • 2007-08-31 - 2008-03-05 - C23C16/44
  • 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法,在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理、含有含硼的气体的第三处理和含有碳氢化合物气体的第四处理处理区域内,通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。在第一工序中,供给第一处理、和第三与第四处理中之一的先行气体,另一方面,停止供给第二处理、和第三与第四处理中的另一种的后行气体。在第二工序中,供给后行气体,另一方面,停止供给第二处理和先行气体。在第三工序中,供给第二处理,另一方面,停止供给第一处理
  • 半导体处理方法装置
  • [发明专利]半导体处理用的成膜方法和装置-CN200710167674.0有效
  • 长谷部一秀;石田义弘;藤田武彦;小川淳;中岛滋 - 东京毅力科创株式会社
  • 2007-09-06 - 2008-03-12 - H01L21/316
  • 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法,在能够选择性供给第一处理、第二处理、第三处理处理区域内,利用CVD法在被处理基板上形成氧化膜,其中第一处理包括含有膜源元素且不含氨气的源气体,第二处理包括氧化气体,第三处理包括预处理。第一工序包括将第三处理在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段,利用由此生成的所述预处理的自由基对所述被处理基板的表面进行预处理。第二工序是供给第一处理,由此,使膜源元素吸附到被处理基板的表面。第三工序包括将第二处理在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段,利用由此生成的所述氧化气体的自由基,使吸附在所述被处理基板的表面的膜源元素氧化。
  • 半导体处理方法装置
  • [发明专利]基板处理装置、气柜以及半导体器件的制造方法-CN202010875155.5在审
  • 锅田和弥;竹胁基哉 - 株式会社国际电气
  • 2020-08-27 - 2021-03-26 - H01L21/67
  • 本发明防止以温度为起因的气体流量控制性的降低。本发明的基板处理装置具有:对基板进行处理处理炉;向处理室供给对基板进行处理处理处理供给路;控制向处理室供给的处理的量的处理供给控制部;对处理供给路或处理供给控制部的至少一部分进行加热的加热器;和将处理供给路、处理供给控制部、和加热器收纳的气柜。气柜具有:将气柜外的环境气体向气柜内吸入的吸入口;与排气管道连接并将气柜内的环境气体向排气管道排出的排气口;冷却气柜内的环境气体并且测定或监视环境气体的温度的温度控制设备;和探测泄漏到气柜内的处理气体泄漏传感器
  • 处理装置以及半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201510501921.0在审
  • 小川有人;竹林雄二 - 株式会社日立国际电气
  • 2015-08-14 - 2016-03-23 - H01L21/28
  • 在衬底上形成薄膜时,将生成的副产物排出到处理室外。本发明提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理方法,其具有下述工序:通过将对衬底供给第一处理的工序、对所述衬底供给第二处理的工序和对所述衬底供给与由所述第一处理及所述第二处理反应生成的副产物进行反应的第三处理的工序进行规定次数,由此在所述衬底上形成膜,供给所述第一处理的工序、供给所述第二处理的工序及供给所述第三处理的工序在将所述衬底维持为室温以上且450℃以下的规定温度的状态下进行,供给所述第三处理的工序与供给所述第一处理的工序及供给所述第二处理的工序中的至少任一项工序同时进行
  • 半导体器件制造方法衬底处理装置
  • [发明专利]等离子蚀刻装置-CN201410324224.8有效
  • 荒见淳一;冈崎健志 - 株式会社迪思科
  • 2014-07-09 - 2018-09-11 - H01L21/3065
  • 本发明提供等离子蚀刻装置,其具备:具有等离子处理室的壳体;被加工物保持构件,其配设在等离子处理室内,在上表面保持被加工物;处理喷射构件,其具有处理喷射部;处理供给构件,其向处理喷射构件提供处理;和减压等离子处理室的减压构件,该处理喷射部具有中央喷射部和外周喷射部,处理供给构件具备:处理供给源;缓冲箱,其与处理供给源连通,暂时收纳处理;将缓冲箱和中央喷射部连通的中央喷射部供给路径
  • 等离子蚀刻装置
  • [发明专利]成膜方法-CN200810109374.1有效
  • 长谷部一秀;周保华 - 东京毅力科创株式会社
  • 2005-06-28 - 2009-03-11 - C23C16/455
  • 本发明涉及半导体处理用的成膜方法,该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理和与第一处理反应的第二处理,通过CVD在被处理基板上形成薄膜的方法。在第一工序中,向处理区域供给第一和第二处理。在第二工序中,停止向处理区域供给第一和第二处理。在第三工序中,在向处理区域供给第二处理的同时,停止向处理区域供给第一处理。在第四工序中,停止向处理区域供给第一和第二处理
  • 方法

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